728x90

삼성이 또 사고를 쳤습니다.
저도 이런 연구에 꼭 참여하고 싶습니다. 흑흑.. 우리 모두 하나 되어 영차! 영차!

IBM-삼성, '성능 2배' 새 반도체 기술 VTFET 발표

 IMB과 삼성전자는 Vertical 수직 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 디자인 VTFET을 발표했습니다. VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistor) 기술을 통해 칩 표면에 수직으로 트랜지스터를 쌓아 수직 혹은 상하로 전류를 흐르게 하는데 성공한 것입니다. 기존 planar FET 소자와 달리 VTFET은 침 설계자들이 한정된 웨이퍼 면적에 많은 트랜지스터를 집적할 수 있게 되었습니다. 

 

[요약]

  • IMB과 삼성전자는 수직 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 VTFET을 공개했습니다. 새로운 VTFET 디자인은 기존 스케일링 된 FinFET 아키텍처 대비 전력 사용량을 최대 85%까지 절감할 수 있다고 합니다.

  • 새로운 VTFET 아키텍처 개발에 따라 향후 반도체 산업은 나노 공정의 한계를 뛰어넘어 반도체 성능의 확장을 지속할 수 있게 됩니다.
  • VTFET의 기대효과는 일주일 동안 충전 없이 사용 가능한 핸드폰 베터리, 암호화폐 채굴 및 데이터 암호화 같이 높은 전력을 요구하는 작업의 전력 사용량을 줄이고 탄소 배출량을 절감하여 에코시스템을 구축할 것으로 기대됩니다. 
  •  집적도가 높아지면서 물리적인 면적 자체가 부족해지고, 기존 트랜지스터는 수평으로 배치해 표면에 전류가 측면 혹은 좌우로 흐르게 설계됐다면, 새로운 VTFET 기술은 칩 표면에 수직으로 트랜지스터를 쌓아 올려 수직 또는 상하 전류를 흐르게 하는데 성공했습니다.

  • IBM은 최근 손톱만한 크기 공간에 500억 개의 트랜지스터를 집적 할 수 있는 2nm 노드 기반 혁신 기술을 선보인 바 있으며, VTFET은 완전히 새로운 관점에서 무어의 법칙을 지속할 수 있는 방법을 제공합니다. 

  • 발표한 기술은 기존의 관습에 도전하며, 일상과 비즈니스를 개선하고 환경에 미치는 영향을 줄이는 새로운 혁신을 제공하며 세상을 발전시키는 방법에 대해 재고하는 것을 의미합니다. 현재 반도체 업계가 여러 부문에서 어려움을 겪고 있는 상황에서도 IBM과 삼성은 반도체 설계 부문에서의 혁신은 물론, '하드 테크'를 추구해 나가는 데 함께 노력하고 있다는 것을 보여주고 있다고 강조했습니다.

IBM, 2nm 반도체 기술 공개

 IMB의 새로운 2난조 칩 기술은 7나노 노드 칩보다 45% 더 높은 성능과 75% 더 낮은 에너지 사용을 달성할 것으로 예상됩니다. IBM 연구소의 7나노 업그레이드 버전을 포함한 IBM의 첫 상용화 제품은 올해 말 IMB 파워 10 기반 IMB 파워 시스템이 적용되어 출시 예정입니다. 2나노 설계는 IBM의 나노시트 기술을 사용한 반도체 기술의 진보를 보여줍니다.

[요약]

  • 최첨단 2나노 칩을 사용하면 휴대폰 베터리 수명이 4배 증가할 수 있습니다. 전 세계의 에너지 사용량 1%를 차지하는 데이터센터의 탄소 배출량을 감소시킬 수 있습니다. 데이터 센터 내의 모든 서버를 2나노 기반 프로세서로 변경하게 되면, 잠재적으로 에너지 사용량 및 탄소배출량을 크게 감소시킬 수 있습니다. 

  • 어플리케이션 처리 속도의 향상부터 인터넷 엑세스 속도 향상, 언어 번역 지원 등 노트북 기능이 대폭 향상될 것으로 기대됩니다. 자율주행차에서 물체 감지 및 반응 시간 단축에도 크게 기여 할 수 있습니다.

  • 칩당 집적된 트랜지스터 수를 늘리면 칩은 더 작고, 더 빠르고, 더 안정적이고, 더 효율적으로 동작합니다. 2나노 설계는 IBM의 나노시트 기술을 사용한 반도체 기술의 진보를 보여줍니다.

  • 칩에 집적된 트랜지스터가 많다는 것은 프로세서 설계자가 칩에 보안 및 암호화를 위한 새로운 경로나 인공지능, 클라우드 컴퓨팅과 같은 첨단 워크로드의 기능을 개선할 수 있는 핵심적인 혁신 기술을 더 많이 포함할 수 있다는 것을 의미합니다. 

  • IBM 반도체 혁신은 다음과 같습니다.
    1. 7나노 및 5나노 공정 기술의 첫 구현
    2. 단일 셀 DRAM
    3. 데너드 세키일링 법칙
    4. 화학적으로 증폭된 감광액
    5. 구리 상호 연결 배선
    6. Silicon on Insulator, SOI 기술,
    7. 멀티 코어 마이크로프로세서
    8. High-k gate dielectric 기술
    9. embedded DRAM, eDRAM
    10. 3D 칩 스태킹 기술 

출처 : ZEnet KOREA 링크 참고

 

IBM-삼성, '성능 2배' 새 반도체 기술 'VTFET' 발표

IBM과 삼성전자는 수직(vertical) 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 디자인(VTFET)을 15일 공개했다.새 디자인은 기존 스케일링된 핀펫(finFET) 아...

zdnet.co.kr

 

반응형
  • 네이버 블러그 공유하기
  • 네이버 밴드에 공유하기
  • 페이스북 공유하기
  • 카카오스토리 공유하기