딴딴's 반도체사관학교

[딴딴's 직무면접] HBM(High Bandwidth Memory) 기술 동향

캡틴 딴딴 — Tue, 26 May 2026 20:39:46 +0900

AI 시대가 도래하면서 면접에서 AI시장과 HBM 메모리에 대한 Keyword로 질문이 꼭 한 두개씩은 나오더군요. 우리가 흔히 알고 있는 HBM, DRAM 적층과 같은 기본적인 내용이 아닌 시장과 기술 경쟁력 그리고 추후 로드맵까지 한 번에 정리하는 시간을 가져보도록 하겠습니다.

[질문 1] DDR5가 있는데 AI 서버에 HBM이 별도로 필요한 이유는 무엇인가요.

[변형] DDR5와 HBM의 차이는 무엇인가요.

HBM은 기존의 DDR5를 대체하는 것이 아니라, 그 역할이 다릅니다. HBM의 경우 GPU 바로 옆에서 연산 전용 초고속 데이터 공급을 담당합니다. AI가 추론 시 GPU는 수천억 개의 파라미터를 동시에 처리하는데, 토큰 하나를 생성할 때마다 이 파라미터 전체를 메모리에서 GPU로 가져와야 합니다. 그 과정에서 데이터 병목이 발생하게 되며 HBM은 이러한 병목 현상을 효과적으로 처리할 수 있습니다. DDR5는 서버 메인보드에서 범용 메모리 역할을 하고, HBM은 GPU 패키지 바로 옆에서 전용으로 데이터를 공급한다는 차이가 있습니다.

[훑어보기] "폰 노이만 병목"
현대 컴퓨터의 기본 구조는 수학자인 폰 노이만이 설계한 아키텍처를 따릅니다. Processor (CPU/GPU)와 메모리가 물리적으로 분리된 구조로, 데이터를 처리할 때마다 메모리에서 Processor로 데이터를 이동시켜 주어야 하죠.

일반적은 PC 환경은 이 정도면 충~분 합니다. 그런데 생성형 AI가 등장하면서 AI가 사용자의 입력 프롬프트의 내용과 문맥을 파악하면서 확률적으로 답변을 생성하는 추론 과정에서 수천억개의 파라미터를 동시에 참조하고, 다음 토큰을 예측해야 하죠. 이 반복적인 메모리 접근이 쌓이면서 추론 속도가 결정됩니다. GPU가 병렬처리니 뭐니 속도가 아무리 빠르다고 해도 데이터의 공급이 늦으면 당연히 기다릴 수밖에 없습니다. 그래서 빠른 데이터 공급을 위해 필요한 것이 바로 HBM인 것이죠.

DDR5 vs. HBM의 구조 차이
DDR5는 평면에 놓인 단일 칩 구조입니다. 메인보드에 꽂혀 OS, 어플리케이션 등 다양한 용도에서 메모리를 공유하죠. HBM은 DRAM 칩을 수직으로 적층한 (HBM4 16단) 구조로 GPU 패키지 바로 옆 인터포저(Interposer) 위에 탑재됩니다. 데이터 이동 거리가 수 mm에 불과 하기에 외부 Parasitic 기인 Data 왜곡, Noise 등에 강하며, Data 전송 통로가 2,048개 이기에 대용량으로 데이터를 공급할 수 있는 것이죠.

[질문 2] TSV 기술은 기존 와이어 본딩과 어떤 차이가 있습니까.

TSV는 Through Silicon Via의 약자로, 실리콘 관통 전극이라고 표현합니다. TSV는 Chip 내부에서 Layer 간 Layer를 수직으로 직접 연결하는 기술입니다. 기존 와이어 본딩의 경우 Chip 외부 가장자리에 가느다란 금속 Wire를 각층에 전극 Pad에 연결해 데이터를 주고 받는 방식입니다. 기존 Wire 본딩은 연결 수가 물리적으로 제한되며 (수십개 수준), 신호가 칩 외부를 우회해서 이동하므로 Data Path가 길기에 신호 지연과 전력 손실이 발생합니다. TSV 기술은 수직 관통된 Cu 금속을 통해 수직으로 데이터가 이동하는 차이가 있습니다. TSV는 와이어 본딩과 달리 Data 전송 Path가 짧아 기생 성분에 따른 신호 왜곡, 전력 손실에 매우 강력합니다. 또한, 집적도가 증가하면서 데이터 전송 통로 역할을 하는 VIA Hole의 Density는 현재 ~2,048개로 HBM3e 대비 HBM4에서 2배 증가하여 데이터 전송 특성이 2배 향상되었습니다.

[질문 3] DRAM을 많이 적층 할수록 발생하는 문제는 무엇이 있을까요..

HBM에서 DRAM의 적층 단수가 높아질수록 2가지의 물리적인 문제가 발생할 수 있습니다. 첫 번째는 칩의 휨 현상입니다. 칩을 16단까지 쌓게 될 경우, 소재별 열팽창 차이로 인해 전체 구조가 휘기 시작합니다. 이는 특정 영역 내 Layer간 Stress가 집중되면서 Layer의 박리나 핀홀, 공정 균일도, 소자 특성 변동, 정합성 특성을 저하시킵니다. 두 번째는 발열입니다. 칩 내부에서 발생한 열이 외부로 빠져나오지 못하면서 소재 간 열팽창계수 차이에 의해 Wafer 전체가 비대칭적으로 변형되는 Warpage 현상이 나타날 수 있습니다. 또한, 이러한 발열은 칩 자체 Stress로 작용하여 제품 신뢰성 열화를 가속시키는 요인 중 하나입니다.

[질문 4] HBM 적층 단수의 한계를 극복하기 위해서는 어떻게 해야 하는가

(SKH 기준) MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) 기술이 있습니다. 이는 Chip과 Chip 사이의 빈 공간에 액체 보호재 (EMC, Epoxy Molding Compound)를 주입하여 굳히는 공정으로 EMC 자체가 굳으면 단단히 잡아주어 칩의 휨 현상을 억제하고, EMC 자체 소재 특성으로 열 전도율이 높아 방열 경로를 충분히 확보하여 발열에 의한 이슈도 개선할 수 있습니다. 칩을 하나씩 압착 후 접합하는 기존 TC-NCF (Thermo Compression-Non Conductive Film) 방식과 달리 MR-MUF 기술은 칩을 모두 적층한 후에 대량 Reflow로 한 번에 접합하여 공정 시간 단축과 생산성 향상에 기여합니다.

[훑어보기] SK하이닉스가 HBM의 격차를 벌린 시점
NVIDIA의 HBM 검증 기준은 아주 명확합니다. HBM의 Chip 온도가 CPU 코어보다 10℃ 이상 높아지면 Fail입니다. AI 가속기가 풀 부하로 동작할 때, 이 온도 차이가 시스템 안정성에 직접적인 영향을 미치기 때문이죠. 삼성전자는 HBM3e 단품 칩 인증을 두 차례나 통과했습니다. 그러나 완성품(시스템) 시험 인증에서는 두 차례 모두 탈락한 이력이 있죠. 직접적인 원인은 바로 발열 기준 미달이었습니다. CES2025에서 젠슨 황이 이런 말을 했었죠. "삼성은 새로운 디자인이 필요하다" 이떄, 세계 1위 메모리 기업에게 내려진 공식적인 불합격 통보였습니다.

1) 단품 시험 인증 (Component Level Test)
- 개별 Chip, Package, 소자 단위로 시험 진행
- Temperature Cycle (TC), 고온 동작 수명 (HTOL), 습도 시험 (HAST) 등 소자 자체의 내구성과 재료/공정 신뢰성 검증

2) 시스템 시험 인증 (System Level Test)
- 완성된 모듈, 보드, 제품 단위로 진행 (실제 고객사 제품에 탑재해서 실제 동작 환경에서 Test)
- 전기적 스트레스, EMI, EMC, ESD 등 시험. 실제 단품시험 인증에서 Pass되었다 하더라도, 시스템 탑재 시 이슈 및 불량 발생할 수 있음 → 단품 시험과 시스템 시험의 각 결과는 서로를 대변해줄 수 없음 (☆☆)

삼성전자가 2019년 HBM 개발을 일시 중단한 기간 동안, SK하이닉스는 MR-MUF 기술을 지속적으로 고도화했습니다. 이때 당시의 하이닉스 경영진들의 선택과 의사결정이 이제와서 보면 참 대단합니다. 2022년 첫 생성형 AI ChatGPT의 등장으로 HBM 수요가 폭발했을 때, HBM의 대량 양산이 가능했던 기업은 SK하이닉스 뿐이었습니다. 이것이 현재의 SKH(~70%) vs. Samsung(~20%)의 점유율 격차를 만들어낸 것이죠.

[질문 5] HBM 로드맵 상 HBM4 부터 왜 파운드리의 협력이 중요해졌는가

네. 그 이유에 대해서 말씀드리겠습니다. HBM4 부터 Base Die의 기능이 매우 복잡해졌기 때문입니다. Base Die는 수직으로 적층된 DRAM 전체를 제어하는 맨 아래층의 Logic Die 입니다. HBM3e까지는 그래도 메모리 공정으로도 충분히 제작 가능한 컨트롤러 기능의 Logic Die를 제작했지만, HBM4 부터는 AI 연산에 최적화된 고성능 Logic 기능이 추가 됩니다. 이에 따라 HBM4 부터는 DRAM의 적층 단수 뿐만 아니라, Base die의 고도화가 필요해졌으며 2nm / 3nm 수준의 advanced Logic 공정이 요구가 됐습니다. 이에 따라 SK하이닉스는 기업 단독으로 고도화된 Base die 구현 제한으로 TSMC와의 파트너십을 맺었고, 삼성전자의 경우 자사 Foundry를 적극 활용하여 내부에서 설계부터 완제품까지 일괄 제작하는 턴키(원스톱 종합 솔루션) 전략을 채택하였습니다.

[세부 사항] 베이스 다이 역할의 진화
HBM의 구조를 아파트에 비유하자면, 베이스 다이는 1층의 관리사무소로 보시면 됩니다ㅎ. 위층 (DRAM 층)의 데이터를 취합해서 GPU에 전달하고, 각 층의 전압, 타이밍, Error Correction을 담당하죠. HBM3e까지의 베이스 다이는 Pass-through 기능이 중심이었습니다. 그래서 이때까지는 자체 메모리 공정만으로도 충분히 베이스 다이의 기능을 구현할 수 있었죠. 하지만 HBM4부터는 관리사무소가 아니라 이제는 스마트 빌딩의 데이터 관제 센터 수준으로 복잡해지게 됩니다. AI 연산 중 자주 쓰이는 데이터는 전처리를 한다거나, GPU와 더 정교한 프로토콜로 통신을 하는 등 AI 연산에 최적화된 기능들이 추가가 되었습니다. 이러한 기능들을 구현하기 위해서 수nm의 Advanced node 공정이 요구되었고, Foundry의 역할이 매우 중요해진 것이죠.

"SK하이닉스 + TSMC 연합"
SK하이닉스는 24년 4월 TSMC와 베이스 다이 제작 및 패키징 협력 MOU를 체결했습니다. TSMC가 첨단 Logic 공정으로 베이스 다이를 제작하고, sk하이닉스가 1b DRAM을 16단으로 적층하는 것이죠. 이때 이목을 집중했던 건은 각 분야의 세계 1위 기업들의 협력이라는 것이죠. 물론 두 회사는 어찌 보면 고객, 협력사 관계이기 때문에 설계 데이터 공유나 이슈 대응, 개발 일정 조율에서 오는 복잡성과 Resource 제한이라는 Trade-off도 분명 존재합니다.

"삼성전자의 턴키 전략"
삼성전자는 자사의 파운드리로 노선을 정했습니다. 베이스 다이를 직접 제작하는 턴키(Turn-key) 전략을 선택한 것이죠. 메모리-파운들-패키징을 모두 자체 처리할 수 있는 세계 유일한 기업입니다. HBM4에서 10nm 6세대(1c) DRAM과 4nm급 Logic을 자사 공정으로 결합합니다. 삼성의 턴키 전략이 특히, 고객사 입장에서 매력적인 이유는 HBM 메모리, Logic Chip, 패키징 모두 한 곳에서 제작하다 보니, 공급망 관리가 단순해지고, 이슈 관련 책임 소재도 명확해지죠. 현재 삼성 팡드는 시장 점유율 ~11%로 TSMC와의 점유율 측면에서는 큰 격차가 있죠. 하지만 삼성의 턴키 전략으로 글로벌 팡드 점유율을 이제 확대할 기회라고도 할 수 있습니다. 삼성 팡드에서 얼마나 베이스 다이를 높은 수율로 안정적으로 생산할 수 있냐에 사활이 달렸다고 볼 수 있겠네요.

각기 다른 의사결정에 따라 어떤 결과가 만들어질지 기대가 되네요.

[질문 6] HBM의 Bandwidth가 무엇을 의미하는가

HBM의 High Bandwidth가 높은 성능을 가질수록 AI의 추론 속도가 빨라진다는 것을 의미합니다. AI는 토큰을 하나 생성할 때마다 수천억 개의 파라미터를 메모리에서 GPU로 공급해야 하는데, 대역폭이 좁으면 아무리 빠른 GPU라고 하더라도 가동률이 낮아지고 토큰 생성 속도가 느려지기 마련입니다. 그래서 HBM의 적층 단수와 TSV 기술의 고도화가 High Bandwidth 성능을 구현하고, MR-MUF 기능 등이 휨과 발열 같은 공정 이슈와 신뢰성 관련 문제를 개선하는데 중요한 패키징 기술이라 할 수 있죠. SK하이닉스는 HBM4e 차세대 모델에서 하이브리드 본딩을 최초 도입할 예정이라 발표했습니다.

[질문 7] 하이브리드 본딩에 대해서도 간략하게 설명이 가능한가

네 말씀드리겠습니다. 현재 HBM4는 칩 간 연결에 Micro Bump를 적용하고 있습니다. Micro Bump를 사용할 경우, 수직으로 적층된 칩 간 간격이 커질 수밖에 없습니다. HBM4e 부터는 최초로 하이브리드 본딩을 적용하는데, 하이브리드 본딩은 칩 간 연결에서 범프 자체를 없애는 전략입니다. Bump 없이 Cu 전극면을 직접 접합함으로써 층간 간격을 70% 이상 Shrink 할 수 있습니다. 칩 간 간격이 줄어들면 Parasitic 성분이 최소화 되고 Data 이동 경로가 짧아져서 그에 따라 신호 전달 속도가 빨라지고, 기존 Bump 접촉면적 보다 Cu가 직접적으로 접촉하다 보니 접촉 면적 증가에 따른 전력 효율까지 동시에 개선되는 효과를 볼 수 있습니다.

HBM의 칩 단가가 비싼 이유 3가지!!
트렌드포스 추정 기준 HBM4의 1GB 당 가격은 약 20달러 수준이죠. 일반 DRAM은 1GB당 1달러도 안 됩니다. 약 20배 이상의 가격 차이가 존재한다는 것인데, 이러한 가격 차이가 날 수밖에 없는 이유를 한 번 이야기 해봅시다.

1. 공정 복잡도 : 일반 DRAM은 평면 칩 하나를 만들지만, HBM은 16개의 칩을 수직으로 쌓고 TSV로 연결하며, MR-MUF로 패키징을 합니다. 이런 복잡한 여러 공정 Step을 거치고, 각 Step 마다 Yield Loss도 누적되다 보니 높은 Chip 단가가 산출 될 수밖에 없죠.

2. 베이스 다이 : HBM4부터는 Advanced Node의 첨단 파운드리 Logic 공정이 적용됩니다. 즉, TSMC / 삼성파운드리의 공정 사용 비용도 포함되는 것이죠.

3. 낮은 수율 : 16-Hi 적층 구조에서 하나의 층이라도 불량이 발생하면 칩 전체가 불량인 셈이죠. 따라서 일반 DRAM 대비 Total Yield가 낮을 수밖에 없죠.

즉, 앞서 PPA 관점에서 Q&A를 했다면, Cost와 Time to Market 관점에서 HBM의 공정 복잡도와 Yield의 Ramp가 제품 경쟁력에 미치는 효과를 간헐적으로 이야기해보았습니다. 공정 엔지니어들의 책임이 막중하다고 생각됩니다.

HBM4 12단 36GB Chipset의 단가는 약 500~600달러로, 한화로 70~80만원 수준입니다. 엄청 고가입니다... 그리고 AI 서버 하나에 이런 칩들이 여러개 들어가죠. 구글 TPU 아이언우드 (7세대)에는 단일 칩에 192GB HBM을 탑재합니다. HBM 용량으로 환산하면 5GB 이상 칩이 여러 개 들어가는 구조이죠. 16단 이상 고단 제품으로 갈수록 기술 난이도와 용량이 커져갈수록 공정복잡도, 수율과 같은 이유로 그 비용은 더욱 높아져 갈 전망입니다.

[질문 8] AI 시장과 HBM의 앞으로의 전망은 어떻게 생각하나요.

네. HBM의 단가는 공정복잡도와 기술 난도, 수율, 그리고 파운드리 공정 사용의 이유로 높은 단가로 책정되어 있습니다. 그럼에도 불구하고, 현재 HBM 시장에서 AI 가속기 수요의 폭발적인 증가로 인해 공급이 수요를 따라가지 못하고 있는 상황입니다. 현재 NVIDIA는 전체 HBM의 구매량의 73% 비중을 차지하고 있습니다. 아무리 HBM 생산량을 늘려도 NVIDIA 혼자 전체 물량의 3/4을 소화하고, 여기에 구글, AMD, AWS, 마이크로소프트 자체 AI 칩 수요까지 더해지면 더욱 공급 부족이 이어질 수밖에 없습니다. 그래서 현 시장에서 HBM의 기술 경쟁력 확보와 AI 시장을 선도하는 탄탄한 기술력이 요구된다고 생각됩니다.

Tip!
1) 구글 TPU : 아이언우드(7세대), 192GB HBM 탑재, 메타플랫폼이 수십억 달러 규모의 TPU 구매를 논의 중
2) AWS, 마이크로소프트 : ASIC 개발 확대
3) AMD : 자체 AI 가속기 확대
→ TPU 한 대에 HBM 6~8개 탑재, TPU 수요 증가 = HBM 수요 동반 증가

[질문 9] 현재 국내 HBM 시장의 주요 Risk는?

현재 HBM 시장은 90% 이상을 국내 기업이 차지하고 있을 정도로 HBM 시장을 선도하고 있습니다. 하지만 국외 기업 중 마이크론 또한 HBM4 양산을 앞두고 뒤를 바싹 쫓아 오고 있습니다. 뿐만 아니라 중국 반도체 기업 CXMT가 2026년까지 HBM2 제조를 준비 중이라는 소식이 있습니다. HBM2는 10년 전에 개발된 기술이라 직접 경쟁은 어렵고, 미국의 현재 장비, 소재 제재로 대량 양산까지는 시간이 걸릴 것입니다. 하지만 중국이 본격적으로 HBM 자급 체계를 구축한다면 기존에 중국에 공급하던 한국 기업의 점유율이 잠식될 가능성이 있죠. 방심할 수 없는 중장기 Risk라고 할 수 있습니다.

[반도체 시사] HBM 완전 정복 - 기술부터 시장 패권까지, AI 시대 핵심 반도체

캡틴 딴딴 — Sun, 24 May 2026 19:12:50 +0900

HBM 구조 TSV, MR-MUF부터 SK하이닉스 역전 서사,
SK+TSMC vs. 삼성 턴키, NVIDIA 협상 전략, K반도체 핵심까지

HBM 시사 한 번에 챙겨봅시다.

핵심 내용 요약

HBM은 DRAM Chip을 수직으로 16단까지 쌓아 초당 2TB 이상 데이터를 처리하는 고대역폭 메모리로, AI 서버의 폰노이만 병목을 해소하는 핵심 반도체임.
SK하이닉스는 2013년 시장 점유율 1% 미만이던 HBM에 올인했고, 삼성전자는 2019년 HBM 개발을 일시 중단했던 이력이 있습니다. 그 결과 2025년 2분기 SK하이닉스 62%, 마이크론 21%, 삼성전자 17% ....
HBM4부터 베이스 다이 복잡화로 인해 파운드리가 필수화 됐으며, SK하이닉스+TSMC 연합 대 삼성 턴키의 대결이 핵심임.
NVIDIA는 SK하이닉스 독점 구도에서 협상력을 회복하기 위해 삼성, 마이크론의 HBM4 퀄 통과를 기다렸고, 구글 TPU 시장에선 삼성이 60% 이상 공급.
2026년 HBM 시장 약 67~70조원, 한국 기업이 수요의 90%이상 공급. 글로벌 반도체 시장은 약 1,400조원(9,750억 달러)으로 그 중심에 HBM이 있음.

※ 삼성 턴키(Turnkey) - 원스톱 솔루션 전략
1. 반도체 분야에서 설계부터 생산, 패키징까지 모든 과정을 한 번에 제공하는 '원스톱 솔루션 전략'을 의미함. 즉, 고객사가 여러 회사를 거치지 않고 삼성 한 곳만으로 완제품 칩을 받을 수 있는 방식임.

2. 삼성 턴키 전략의 핵심은 '설계 → 생산 → 패키징 통합' 으로 기존에는 반도체 설계, 파운드리, 메모리, 패키징을 각각 다른 회사가 담당했지만, 턴키 전략은 이를 모두 자체적으로 해결함.

3. HBM + Logic Chip 결합으로 차세대 HBM4 메모리를 고객 맞춤형으로 설계하고, 삼성 파운드리에서 직접 생산해 피징까지 진행함. 강점으로 메모리+파운드리+첨단 패키징 기술 및 노하우 모두 보유하고 있으며, 고객 맞춤형 AI 칩 제공 및 Time to Market 관점 단축 효과가 큼.

4. 현재 파운드리 시장 점유율은 TSMC (61.7%), 삼성 파운드리 (11%) 수준으로 뒤쳐져 있지만, 삼성 턴키전략으로 파운드리 시장 점유율 격차를 줄이고자 함.

→ 턴키 전략은 내부에서 모든 공정을 처리하지만, 이는 막대한 투자와 기술작 난제가 뒤따를 수밖에 없음. SK하이닉스, TSMC, 인텔 등도 각각의 경쟁력과 강점을 가지고 있기 때문에, 과연 어느 쪽의 전략이 더 효과적일지 궁금하네요.

AI 뉴스에 빠지지 않는 그 단어, HBM (High Bandwidth Memory)

요즘 AI 관련 뉴스를 읽다보면 Chat GPT, Claude, GenSpike 등 AI 플랫폼 서비스의 경쟁 관련 기사도 많이 보이지만, 대한민국 국민이라면 AI 시장 메모리 반도체의 압도적인 비중을 차지하고 있는 SK하이닉스, 삼성전자의 HBM 메모리 반도체를 한 번 즈음은 보셨을 것입니다. SK하이닉스 HBM4 양산, 삼성전자 HBM 퀄테스트 통과, 엔비디아 루빈에 HBM4 탑재... 그런데, HBM이 정확하게 무엇일까요. 물론 딴사관에서 취업을 준비하시는 분들이라면 당연히 어느 정도 HBM에 대한 내용을 숙지하고 계실 것이라고 생각합니다.

그렇지 않으신 분들이라면, 단순히 "무언가 빠른 메모리 아닌가?" 정도로 아시는 분들도 계실 거에요. 그런데 '왜 빠른지', '일반 DRAM이랑 무엇이 다른지', '왜 하필 AI에서 필수가 됐는지', '그리고 SK하이닉스가 어떻게 33년 동안 DRAM 시장 부동의 1위였던 삼성전자를 HBM 시장에서 뒤집었는지'까지 설명할 수 있는 분은 많지 않을 것입니다.

이번 게시글을 통해서 한 번 그 내용을 뜯어 보도록 하겠습니다. 평소 관심 있으신 분들은 편하게 읽어주세요.
기술 원리부터 시장 패권 전쟁, 가격 구조, 미래 전망까지 한 번 이야기해보겠습니다.

1부 : HBM 기술 해부 - 16층 아파트와 수직 엘레베이터

HBM 이란 무엇인가. "1차선 도로 vs. 16차선 고속도로"

HBM은 High Bandwidth Memory의 약자입니다. 우리말로 고대역폭 메모리라고 부르죠. '대역폭'은 데이터가 지나다니는 도로의 넓이라고 할 수 있습니다. 출퇴근 시간에 1차선 도로는 꽉 막히지만, 8차선 고속도로는 원활하게 흐르죠. HBM은 그 고속도로를 16차선으로 늘린 것이라 보면 됩니다.

우리집 컴퓨터에 들어가는 DDR4, DDR5 같은 일반 디램은 "평면에 하나의 칩이 놓여 있는 구조"입니다. HBM은 다르죠. "디램 칩을 수직으로 여러 층 쌓아 올린 구조"입니다. 서울 강남에 땅이 부족해서 위로 아파트를 짓는 것처럼요. 이전 세대 HBM3e는 최대 12층, CES 2026에서 SK하이닉스가 공개한 HBM4는 무려 디램을 16층까지 쌓아 올렸습니다.

한 가지 더 강조하자면 HBM은 DDR5를 완전히 대체하는 것이 아닙니다. AI 서버 안에서 HBM과 DDR5의 역할과 기능이 다릅니다. HBM은 GPU 바로 옆에 붙어서 초고속 연산 데이터를 처리하고, DDR5는 서버 메인보드에서 일반 메모리 역할을 하죠. HBM으로 저장 기능까지 다 대체하기엔 아직은 가격이 너무나도 비싸거든요. 이 비용 관련해서는 아래에서 다루겠습니다.

Tip! SK하이닉스와 삼성전자의 HBM4 전략
현재 SK하이닉스의 HBM4는 16단(16-Hi) 적층 구조를 채택했습니다. 삼성전자의 HBM4는 12단 (12-Hi) 적층 구조를 내세우고 있죠. SK하이닉스는 적층 단수를 강조하며 기술적 우위를 보고 있으며, 삼성전자는 대역폭과 속도 성능을 강조하는 전략을 취하고 있습니다. (삼성전자도 추후 HBM4 고객사 수요와 제품일정에 맞춰 16-Hi 계획)

SK하이닉스 HBM4
- 16단 적층 구조
- 10나노급 5세대(1b) D램 공정 적용
- 데이터 전송 통로를 기존 1,024개에서 2,048개로 확대
- 대역폭 최대 2TB/s
- 전력효율 40% 이상 개선
- 전략 : 안정성이 검증된 공정을 활용하여 양산 위험 최소화, TSMC와 협력하여 베이스 다이 제작 진행
- 현재 : 적층 단수와 안정성에서 기술적 우위를 확보, 현재 HBM 시장 점유율 70%로 독주 중

삼성전자 HBM4
- 12단 적층 구조 (현 양산)
- 10나노급 6세대(1c) D램 공정 적용 + 4nm 파운드리 공정 (Logic)
- I/O 속도 11Gbps 이상
- 대역폭 2.8TB/s 이상 (JEDEC 기준 2.0TB/s보다도 높음)
- 전략 : 대역폭과 속도 성능을 강조함, 엔비디아 인증 확보를 통한 시장 반격!!
- 현재 : 대역폭과 속도에서 차별화, 엔비디아 인증을 통해 공급망 확대를 노리고 있음.

TSV - 머리카락 보다 가는 두께의 수직 엘레베이터

아파트를 높게 쌓기만 하면 뭐합니꽈. 1층에서 16층까지 올라가려면 엘레베이터가 당연 있어야죠. 저는 2층도 엘레베이터를 꼭 타야 하는 사람이죠. 계단으로 16층까지 올라가라 하면 참을 수 없습니다.

HBM에서 이 엘레베이터 역할을 하는 것이 바로 'TSV(Through Silicon VIA), 실리콘 관통 전극' 기술입니다. 칩에 아주 작은 구멍을 뚫어서 금속으로 채운 다음 층과 층을 수직으로 연결하는 기술입니다. 머리카락 굵기의 수십 분의 1밖에 안 되는 미세한 구멍을 수천 개 뚫는 것입니다.

기존 일반 D램도 칩을 수직으로 쌓을 수 있습니다. 하지만 각 층을 가느다란 와이어로 연결하죠. 데이터가 계단으로 오르락내리락 하는 것과 같죠. HBM은 TSV 기술 덕분에 데이터가 엘레베이터를 타듯이 수직으로 쭉 이동할 수 있습니다. 16층에서 1층까지 단숨에 오르락 내리락 할 수 있는 것이죠.

SK하이닉스 공식 발표에 따르면 HBM4는 데이터 전송 통로가 기존 HBM3e의 두 배인 약 2,048개나 됩니다. 대역폭 2배 확대, 전력 효율 40% 이상 향상된 결과죠.

MR-RUF, SK하이닉스의 비밀 병기

그런데, 층을 높게 쌓으면 또 다른 문제가 생깁니다. 젠가 게임 해보셨나요. 블록을 높이 쌓다보면 기울어지고 무너지기 마련입니다. 반도체도 이와 비슷한 문제가 있습니다. 층을 많이 쌓다 보면 휨 현상이 생기고, 열도 심하게 발생합니다. 16층 아파트 한복판에 갇혀 있다고 생각해보세요. 환기가 안 되면 엄청 덥고 답답할 거에요.

SK하이닉스의 MR-RUF(Mass Reflow Molded Underfill) 기술이 이 두 문제를 동시에 해결합니다. 칩과 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 주입해서 굳히는 공정 과정을 거치는데, 벽돌 사이에 시멘트를 바르는 것과 비슷합니다. 구조가 단단해지고 열방출도 매우 효과적입니다. 이 기술이 SK하이닉스의 HBM 경쟁력에 있어 결정적이었다고 해도 과언이 아닙니다. 삼성전자가 HBM3e 퀄 테스트에서 계속 이슈가 됐던 사유가 바로 '발열 문제'였거든요. 엔비디아는 HBM 칩 온도가 GPU 코어보다 10도 이상 높아지면 기준 미달로 판단 합니다. 삼성전자의 HBM은 이 기준을 통과하지 못 했거든요... 아무리 빨라도 열이 너무 나면 사용할 수가 없으니깐요. MR-RUF 기술이 없었다면 SK하이닉스도 같은 고충을 겪었을 것입니다.

왜 AI에 HBM이 필수인가 - 80년 묵은 병목

HBM은 원래 2013년도에 제안되었고 이미 개발이 됐었습니다. 10년도 넘은 기술인데, 왜 이제서야 난리인가요. 다들 아시다시피 바로 AI의 등장이겠죠.

ChatGPT와 같은 생성형 AI가 동작하려면 엄청난 양의 데이터를 순식간에 처리해야 합니다. 우리가 ChatGPT에게 질문을 하면 몇 초만에 요청한 프롬프트의 내용과 문맥을 판단하고 원하는 답을 해줍니다. 이 몇 초 동안 AI는 수천억 개의 매개변수를 동시에 연산하고 있습니다. 인간의 뇌에 있는 신경세포처럼 복잡한 계산을 순식간에 해내는 것이죠. 이때 메모리에서 데이터를 제때 가져오지 못하면 전체 속도가 느려지게 되죠.

이게 바로 "폰노이만 병목 (Von Neumann Bottleneck)" 입니다. 현대 컴퓨터의 기본 설계는 1940년대 만들어진 개념인데, 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동이 근본적인 병목이 됩니다. 네, 80년이 지난 지금에도 이 문제가 완전히 해결되지 않았다는 것이죠.

HBM은 GPU 바로 옆에 딱 붙어서 초고속으로 데이터를 공급합니다. 마치 F1 레이싱카 옆에 전용 주유소가 있어서 연료가 순식간에 공급되는 것처럼요. 일반 자동차는 주유소까지 가서 줄을 서야 하지만, F1카는 피트 스톱에서 몇 초만에 연료를 채우잖아요ㅎㅎ. 업계에서도 실제로 HBM을 F1 레이싱카에, 일반 DDR5를 도로를 달리는 승용차에 비유한답니다.

HBM4의 성능 - 영화 400편을 1초 안에

CES 2026에서 공개된 HBM4 16단 제품의 수치를 보면 얼마나 대단한지 실감이 납니다.

초당 대역폭 : 2TB 이상 (HBM3e 대비 60% 이상 향상)
데이터 전송 통로 : 약 2,048개 (HBM3e 대비 2배)
전력 효율 : 기존 대비 40% 이상 향상
처리 능력 : 고화질 영화 400편을 1초 만에 처리

우리가 눈 한 번 깜빡이는 시간에 넷플릭스 전체 인기 영화 목록을 다 훑어볼 수 있는 수준입니다. 이렇게 AI 세상이 빠르게 돌아가고 있습니다..

2부: SK하이닉스의 10년 도박 — 역전의 서사

2013년, 아무도 안 가던 골목에 분식집을 차렸다

2013년 SK하이닉스는 전체 메모리 시장에서 1%도 안 되는 틈새 시장에 올인하기 시작했습니다. 바로 HBM 개발 프로젝트였어요. 당시 회사 내부에서도 "이걸 왜 하냐"는 회의적인 시선이 있었다고 해요.

한때는 GDDR이라는 경쟁 기술에 비해 성능이 뚜렷하지 않아 계륵 취급을 받기도 했습니다. 먹자니 살이 없고 버리자니 아까운 것. HBM이 딱 그런 취급이었어요. 개발은 해 놨는데 시장이 안 열리니까요.

이건 마치 2013년에 비트코인을 산 것과 비슷해요. 당시엔 비트코인이 뭔지 아는 사람도 별로 없었고, 가격도 얼마 안 됐잖아요. 그런데 그때 산 사람들이 지금 어떻게 됐는지 아시죠? SK하이닉스가 HBM에 올인한 게 바로 그런 선택이었던 겁니다.

삼성의 실수 — 2년의 공백이 만든 치명적 격차

2022년 ChatGPT가 등장하고 엔비디아가 AI 가속기 시장을 장악하면서 HBM 수요가 폭발했습니다. 이 시점에 HBM을 당장 대량 생산할 수 있는 회사는 어디였을까요? 10년간 묵묵히 기술을 쌓아온 SK하이닉스였습니다.

삼성전자는 오히려 2019년에 HBM 개발을 일시 철수했다가 뒤늦게 재개했어요. 마라톤에서 중간에 쉬었다 가면 따라잡기 힘든 것처럼, 반도체 기술도 마찬가지입니다. HBM3 개발도 SK하이닉스보다 1년 늦었어요. 특히 이 기간 동안 SK하이닉스가 MR-MUF를 고도화하면서 격차가 벌어졌습니다.

결과는 냉혹했어요. 삼성전자는 엔비디아 퀄 테스트에서 HBM3e 단품칩 인증은 두 번 통과했지만 완성품 인증에서는 모두 탈락했습니다. 학교로 치면 중간고사는 통과했는데 기말고사에서 계속 떨어진 격이에요. 발열 문제가 발목을 잡았거든요. 아무리 빨라도 열이 기준 이상 나면 쓸 수 없습니다.

CES 2025에서 젠슨 황 엔비디아 CEO는 삼성의 HBM을 공급받지 않는 이유를 묻는 질문에 "삼성은 새로운 디자인이 필요하다"고 답했어요. 사실상 불합격 통보였죠. 메모리 세계 1위 회사가 이런 말을 들었으니 얼마나 자존심이 상했겠습니까.

젠슨 황의 방문 — 그가 직접 찾아온 이유

2024년, SK하이닉스는 HBM3e 8단·12단 제품을 업계 최초로 양산해 엔비디아에 납품하기 시작했습니다. 그리고 젠슨 황 엔비디아 CEO가 SK하이닉스 전시 부스를 직접 찾아와 사인을 남기는 장면이 화제가 됐어요.

세계 최고의 AI 반도체 회사 CEO가 직접 찾아와서 사인을 남긴다. 그만큼 SK하이닉스가 중요하다는 뜻이죠. 이어서 2025년 5월 대만 컴퓨텍스에서 젠슨 황은 SK하이닉스 부스를 방문해 HBM4를 잘 지원해 달라고 언급했고, 같은 해 11월에는 최태원 SK 회장이 젠슨 황으로부터 "HBM4 공급을 6개월 앞당겨 달라"는 요청을 받았다고 공개했습니다.

6개월이면 반도체 업계에서는 엄청난 시간이에요. 그만큼 HBM4가 급하다는 거죠.

2025년 결과표 — 33년 디램 왕좌의 역전

2025년 2분기 기준 HBM 출하량 점유율:

SK하이닉스 62%
마이크론 21%
삼성전자 17% (2위도 아닌 3위...)

디램 시장에서 삼성전자가 33년 동안 단 한 번도 1위를 내준 적이 없었습니다. 그 긴 세월을 HBM이 뒤집었습니다. 그것도 2위가 아니라 3위로 밀려났어요.

3부: HBM4의 새 전쟁 — 파운드리 경계가 무너지다

베이스 다이의 진화 — 관리사무소에서 스마트 관제센터로

HBM4부터는 구조 자체가 바뀝니다. HBM은 여러 층의 디램 칩을 쌓는데, 맨 아래층에 특별한 칩이 있어요. 이걸 베이스 다이(Base Die) 또는 로직 다이라고 합니다. 위에 쌓인 디램들을 컨트롤하는 두뇌 역할이에요. 아파트 1층의 관리사무소라고 생각하시면 돼요. 입주민 택배를 관리하고 방문객을 확인하는 곳이죠.

그런데 HBM4부터는 이 베이스 다이가 훨씬 복잡해졌어요. 단순 관리사무소가 아니라 최첨단 스마트빌딩 관제센터 수준이 된 겁니다. 그래서 이제는 파운드리(반도체 위탁생산) 공정이 필수가 됐어요. 메모리 회사 혼자서는 완성품을 만들 수 없게 된 거죠.

마치 아이폰을 만들 때 애플 혼자 다 만드는 게 아니라 삼성한테 디스플레이 받고 TSMC한테 칩을 받는 것처럼요. HBM4부터는 메모리 회사도 파운드리·패키징 역량이 함께 필요해진 겁니다.

SK하이닉스+TSMC 연합 vs. 삼성 턴키 — 어떤 전략이 이길까

이 변화 앞에서 두 회사는 완전히 다른 전략을 택했습니다.

SK하이닉스는 2024년 4월 세계 1위 파운드리 기업 대만 TSMC와 베이스 다이 제작 및 패키징 협력 MOU를 체결했습니다. 업계에서는 레알 마드리드와 바르셀로나가 손잡은 것만큼 충격적인 동맹이라고 했어요. 각 분야 최고 전문가들이 뭉친 구도라 기술력에서는 앞설 수 있지만, 회사가 여러 개라 의사소통이 복잡할 수 있다는 단점도 있습니다.

삼성전자는 베이스 다이를 자체 파운드리로 직접 생산하는 턴키(Turn-key) 솔루션 전략을 택했습니다. 메모리·파운드리·패키징을 모두 자체적으로 해결할 수 있는 유일한 기업이거든요. '턴키'란 열쇠만 돌리면 바로 쓸 수 있다는 뜻으로, 처음부터 끝까지 원톱으로 해결해 준다는 의미예요. 의사결정이 빠른 장점이 있지만, 파운드리 기술력에서 TSMC에 밀린다는 평가도 있습니다.

SK하이닉스+TSMC 연합 대 삼성 턴키. 어떤 전략이 이길까요? 아직 정답은 없어요. 전문가 팀플레이 대 수직통합의 대결입니다. 이 대결의 승자가 AI 메모리 시장을 주도하게 됩니다.

삼성의 반격 — 1c 디램과 1만 장 샘플

삼성전자는 HBM4에서 승부수를 던졌습니다. 경쟁사들이 HBM3e에서 쓰던 1b 디램을 HBM4에서도 유지하기로 한 것과 달리, 삼성전자는 한 세대 앞선 10나노급 6세대 1c 디램을 과감하게 적용했습니다.

1c 디램은 1b보다 회로 선폭이 더 미세해서 성능은 향상되고 전력 소비는 줄어듭니다. 도로로 비유하면 1b가 왕복 4차선이라면 1c는 왕복 6차선인데 땅은 똑같이 쓰는 거예요. 같은 면적에서 더 많은 차가 다닐 수 있고 연료도 덜 드는 거죠. 이를 통해 HBM3e 시절 발목을 잡았던 발열 문제를 획기적으로 낮췄다는 평가가 나옵니다.

웨이퍼 기준 1만 장이라는 이례적 규모의 HBM4 샘플도 찍어내고 있어요. 보통 샘플은 수백~수천 장 수준인데, 1만 장이면 거의 본격 양산 수준입니다. 그만큼 자신감이 있다는 뜻이기도 하고, 절박하다는 뜻이기도 해요.

업계 보도에 따르면 삼성전자의 HBM4가 엔비디아 퀄 수준의 결과를 얻었다고 합니다. 다만 이것이 SK하이닉스와 직접 비교한 결과는 아니라는 점을 업계 관계자들은 강조해요.

4부: 엔비디아가 삼성을 기다린 진짜 이유

독점 공급자에게 끌려다니기 싫다

엔비디아는 HBM4부터 공급망에 변동을 줄 것이라는 관측이 나옵니다. SK하이닉스에 몰아주기보다 삼성전자·마이크론으로 분산하려는 움직임이죠.

왜 그럴까요? 독점 공급은 공급자에게 유리하고 구매자에게 불리하거든요. SK하이닉스가 HBM을 거의 독점 공급하면 가격 협상에서 SK하이닉스가 유리해집니다. 엔비디아 입장에서는 공급처를 다변화해서 협상력을 높이고 싶은 거죠. 마트에서 물건 살 때 여러 군데 비교해야 가격을 깎을 수 있는 것처럼요.

그래서 엔비디아가 삼성전자와 마이크론의 HBM4 퀄 통과를 기다렸다는 분석이 있어요. 경쟁 구도가 만들어져야 가격 협상에서 엔비디아가 유리해지니까요. 삼성전자는 파격적인 가격 정책도 고려하고 있다는 소식도 있어요. 쿠팡이 처음에 로켓배송을 시작할 때 적자를 보면서도 밀어붙인 것처럼, 일단 시장에 진입해서 자리를 잡은 다음 가격을 올리는 전략이죠.

현재 엔비디아는 전체 HBM 구매량의 73%를 차지하고 있습니다. 전체 HBM 시장의 거의 4분의 3이 엔비디아 한 곳에 들어가는 거예요. 엔비디아가 SK하이닉스에게 납품을 6개월 앞당겨 달라고 요청한 것도, 차세대 AI 가속기 '루빈' 출시 일정에 맞추려면 HBM4가 제때 들어와야 하기 때문입니다.

구글 TPU 시장 — 완전히 다른 판도

흥미로운 건 구글 TPU 시장입니다. TPU는 구글이 자체 개발한 AI 가속기로, 엔비디아 GPU의 경쟁자예요. 작년에 공개된 7세대 TPU '아이언우드'는 이전 세대보다 4배 빠르고 6배 많은 192GB HBM 메모리를 탑재했습니다.

그런데 이 시장에서는 판도가 완전히 다릅니다. 한국경제신문 보도에 따르면 삼성전자가 브로드컴을 통해 구글용 HBM 전체 물량의 60% 이상을 공급한 것으로 확인됐어요. 전체 HBM 시장에서 SK하이닉스가 62%로 압도적 1위인데, 구글 TPU 시장에서는 삼성전자가 오히려 앞서 있는 거예요. 계란을 한 바구니에 담지 않은 셈입니다.

더 충격적인 건 메타플랫폼이 수십억 달러 규모의 TPU 구매를 논의 중이라는 소식이에요. 탈 엔비디아를 준비하던 빅테크 기업들이 TPU로 눈을 돌리고 있는 거죠. TPU 하나에 6~8개의 HBM이 탑재되니까, TPU 수요가 늘면 HBM 수요도 덩달아 늘어납니다.

AMD·AWS·MS도 줄서 있다

HBM 수요처는 엔비디아와 구글만이 아닙니다. AMD, AWS, 마이크로소프트 같은 글로벌 빅테크 기업들도 자체 AI 칩(ASIC) 개발을 확대하면서 HBM 수요를 끌어올리고 있어요. ASIC이 뭐냐면 특정 용도에 맞춰 맞춤 제작한 반도체예요. 기성복 대신 맞춤 양복을 입는 것처럼, AI 연산에 딱 맞춘 칩을 만드는 거죠. AI 데이터센터를 구축하려면 HBM이 필수라는 얘기입니다.

또한 구글의 AI 모델 제미나이(Gemini) 3.0이 뛰어난 성능을 보이면서 TPU의 중요성이 더욱 부각되고 있습니다. 제미나이가 ChatGPT를 위협하는 수준까지 올라왔거든요. 엔비디아 GPU가 아닌 구글 자체 AI 칩으로도 충분히 경쟁력 있는 AI를 만들 수 있다는 걸 증명한 거죠.

5부: HBM 가격의 충격 — 아이폰보다 비싼 칩 하나

이쯤에서 가격 이야기를 해봐야겠습니다. HBM이 왜 이렇게 중요한지, 그리고 왜 이렇게 비싼지.

트렌드포스 추정에 따르면 HBM4의 1GB당 가격은 약 20달러입니다. 우리가 쓰는 일반 디램은 1GB당 1달러도 안 하거든요. 20배 이상 비쌉니다. HBM4 12단 36GB 칩셋 가격은 500~600달러, 즉 70만~83만 원 수준이라고 해요. 칩 하나에 70만 원이 넘는 거예요. 아이폰보다 비쌉니다.

그리고 AI 서버 하나에 이런 칩이 여러 개 들어갑니다. 향후 16단 이상 고단 제품으로 가면 기술적 난도와 높은 용량으로 인해 훨씬 더 비싸질 것으로 예상됩니다.

그런데 이렇게 비싼데도 공급이 부족합니다. 수요가 워낙 폭발적이거든요. AI 가속기 수요 급증으로 공급 부족 현상이 올해까지 이어질 것으로 예상됩니다. 비싸도 사겠다는 사람이 줄을 서 있으니 가격이 내려갈 리가 없죠.

6부: K반도체 황금기 — 수치와 위협

2026년, 한국이 HBM4 시장을 독점한다

2026년 2월 삼성전자와 SK하이닉스가 동시에 HBM4 본격 양산에 돌입합니다. 세계 최초예요. 미국 마이크론은 올해 2분기에나 양산을 시작할 것으로 보여, 2~4개월이나 뒤처집니다. 상반기 기준 한국 기업이 사실상 HBM4 시장을 독점합니다.

KB증권 분석에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스가 글로벌 HBM4 수요의 90% 이상을 공급할 전망이에요. 전 세계에서 쓰이는 HBM4 칩 10개 중 9개가 한국산이라는 겁니다. 자동차로 치면 전 세계 자동차 10대 중 9대가 한국에서 만들어지는 것과 같아요.

시장 규모 — 1조 달러 반도체 시장의 심장부

HBM 시장 규모 자체도 어마어마합니다. 2026년 HBM 시장은 약 67~70조원(480억~500억 달러) 규모로 성장할 전망이며, 전년 대비 156% 급증하는 거예요. 2030년까지 연평균 68% 성장이 예상됩니다. 매년 거의 두 배 가까이 커지는 시장이에요. 복리로 따지면 5년 후에는 지금의 15배 이상 커지는 거예요. (현재 HBM은 전체 반도체 시장의 10% 정도

더 큰 그림으로 보면, 세계 반도체 무역 통계기구 자료에 따르면 올해 글로벌 반도체 시장은 약 9,750억 달러, 거의 1조 달러에 육박할 전망입니다. 우리 돈으로 약 1,400조 원이에요. 그중 메모리 부문이 전체 성장률을 상회하는 30%대의 증가세를 보일 것으로 예상되고요. 이 거대한 시장의 심장부에 HBM이 있고, 그 HBM 시장의 90%를 한국 기업들이 장악하고 있는 겁니다.

업계에서는 올해를 K반도체의 황금기라고 부릅니다. 삼성전자와 SK하이닉스의 합산 영업이익이 400~500조 원을 넘을 수 있다는 분석도 있어요. 100조 원이면 우리나라 1년 예산의 약 15%에 해당하는 금액입니다. 두 회사의 이익만으로요.

(삼성전자 2026년 연간 영업이익 전망 : 272조 원 / SK하이닉스 연간 영업이익 전망 : 233조원)

(제가 시장 관련 수치는 전문이 아니여서 수치적으로 문제 있으면 댓글로 정정 부탁드립니다..ㅠ)

리스크 — 중국의 조용한 추격과 멈추지 않는 기술 경쟁

물론 리스크도 있습니다. 중국 반도체 기업 CXMT가 올해까지 HBM2 제조를 준비 중이라는 소식이에요. HBM2면 10년 전에 개발된 기술이라 직접 경쟁은 어렵고, 미국의 장비·소재 제재로 대량 양산까지 시간이 걸릴 거예요.

그러나 방심할 수는 없습니다. 중국이 본격적으로 HBM 자급 체계를 구축하면, 기존에 HBM을 중국에 공급하던 한국 기업의 점유율이 잠식될 가능성도 있습니다. 지금도 중국은 점진적으로 기술력을 키워 나가고 있어요.

그리고 기술 경쟁은 멈추지 않습니다. SK하이닉스는 이미 HBM4e, 그다음 세대까지 준비하고 있을 거예요. 삼성전자도 1c 디램 양산 수율을 끌어올리면서 추격의 고삐를 늦추지 않고 있습니다. UBS는 올해 엔비디아 루빈 플랫폼에서 SK하이닉스가 약 70%의 HBM4 점유율을 달성할 것으로 예상했어요. 여전히 SK하이닉스가 앞서 있지만, 삼성전자가 무섭게 따라붙고 있는 상황이죠.

HBM4e 전략!!!
1. SK하이닉스 HBM4E 전략
- 양산 일정 : 2026년 하반기 샘플 출하 예정 (기존 계획보다 1년 앞당김)
- 핵심 기술 : 하이브리드 본딩 최초 도입 (마이크로 범프 없이 구리 직접 연결)
- 층간 간격 70% 이상 축소, 발열 개선, 신호 속도 향상
- 적용 공정 : 10나노급 6세대 D램 적용
- TSMC와 베이스다이 (Logic) 공동 제작 (2nm 급 Logic 공정)
- 투자 규모 : 2026년 CAPEX 30조 원대 중반, 청주 M15X 및 용인 클러스터 확장
- 시장 목표 : 2026년까지 HBM 점유율 50% 이상 유지

2. 삼성전자 HBM4E 전략
- 양산 일정 : 2026년 3월 GTC에서 공개, 16Gbps 핀 속도와 4.0TB/s 대역폭 제시
- 초고속 I/O (16Gbps), 대역폭 4.0TB/s (하이닉스보다 높은 수치 성능)
- 공정 자사 파운드리 활용, 턴키 전략 (HBM4, 4nm 급 Logic → 2nm Logic 공정)
- 원스톱 내재화(턴키) 방식으로 설계, 생산, 패키징을 모두 자체 처리
- 시장 목표 : 점유율 20~30% 확보 추, 엔비디아 루빈 플랫폼 등 주요 고객사 공급 확대 목표

마치며 — AI 시대의 패권은 어디로

2013년, 아무도 주목하지 않던 틈새 시장에 올인했던 SK하이닉스. 그로부터 10년이 지난 지금, 전 세계가 그 기술을 향해 손을 내밀고 있습니다. 젠슨 황이 직접 찾아가 사인을 남기고, 6개월 납품을 앞당겨 달라고 요청하는 위치에 서게 됐죠.

뼈아픈 실패를 겪었던 삼성전자도 1c 디램과 1만 장 샘플이라는 과감한 도박으로 무서운 속도로 따라붙고 있습니다. 다음 달 두 회사가 같은 출발선에서 HBM4 양산을 시작합니다.

결국 HBM4를 둘러싼 경쟁은 단순히 두 회사의 싸움이 아닙니다. AI 시대의 주도권을 누가 쥘 것인가, 그 거대한 질문에 대한 답을 찾아가는 과정이에요. 어쩌면 둘 다 웃게 될 수도 있어요. HBM 시장이 워낙 빠르게 커지고 있으니까요. 파이가 커지면 나눠 먹어도 배부를 수 있잖아요. 하지만 1등과 2등의 격차에 따라 앞으로 10년의 운명이 갈릴 수 있습니다.

HBM은 단순한 반도체 부품이 아닙니다. AI 시대의 기반 인프라이자, 앞으로 10년간 기술 패권을 결정할 핵심 전장입니다. 그 전장의 중심에 한국이 서 있어요. 앞으로도 이 이야기는 계속됩니다. 놓치지 마세요.

[합격후기] 25하 삼성전자 설비 직무 최종합격 - "취준의 정석, 울산님"

캡틴 딴딴 — Sat, 20 Dec 2025 20:31:35 +0900

우리 울산님이 드디어 목표하시던 커리어의 최종 문을 열었습니다.
어느덧 우리의 인연이 벌써 두 해가 지나갔네요ㅎ.
이번 하반기 좋은 소식 들려주셔서 진심으로 감사드립니다.

앞으로 딴사관 설비직군 후배 분들에 나침반이 되어주시길 바라겠사옵니다ㅎ

기본 소개

취업 준비 기간 : 24.01 ~ 25.12 (완료)
학군 : 지방대 / 전공 : (주) 기계공학부 / (복수) 전기전자공학부
학점 : 3.95/4.5 (전공 : 4.2/4.5)
어학 : OPic IH
합격 직무 : 메모리사업부 설비기술 직무

대내외 활동

인턴 활동 :
1. 반도체 소재 社 / 24.7 ~ 24.12 (6개월)
2. 반도체 소자 제작 연구소 / 25.2 ~ 25.4 (3개월)
유체역학 연구실 / 학부연구생 (7개월)
자동차연구동아리 / 베터리팩 제작 (18개월)
학술토론 동아리 / 기장 (3yrs)
캡스톤 디자인 프로젝트 (Python 이미지 분석을 통한 포토공정 최적화) / 3등
반도체 산학 프로젝트
유기반도체 연구실 (2개월)
KAIST 나노종합기술원 (장비교육)
축구 동아리 / 기획부장 (2yrs)
AI 데이터 분석 실습

취업 Score

서류 합격
- 24년 상반기 : DB하이텍 / 덕산하이메탈 / LX세미콘 / Amkor
- 24년 하반기 : KIA / SK하이닉스 / ASML / ASMPT / 대원강업
- 25년 상반기 : KAIST 나노종합기술원 / 램리서치 / SONY / 현대미포 / AMAT / 서연이화 / SJG / ASML / KIA / TEL
- 25년 하반기 : HD현대 / 쎄믹스 / 현대트랜시스 / EDWARDS / 자화전자 / 삼성전자 / KLA / HL만도

인사말

안녕하세요.
25년 하반기 삼성전자 메모리사업부 설비기술에 합격한 딴사관 오픈톡방 닉네임 '내년까지 못한다' 입니다.
저는 24년 1월부터 25년 12월까지 2년 간의 취업준비를 마치고 결국 유종의 미를 거둘 수 있게 되었습니다. 취업준비 기간 동안 정말 200곳이 넘는 회사를 지원하며 포기하고 싶은 생각도 들고 많은 생각이 들었습니다. 또 다른 취업준비생들께 조금이나마 도움과 위안이 되었으면 하는 마음에 이렇게 후기를 남기게 되어습니다.

다른 취업 준비생분들처럼 다양한 자소서 및 이력서 첨삭해주시는 분들에게도 첨언도 받아보았고, 그 누구보다 취업을 같이 준비했던 입장에서 가장 힘들어 하는게 무엇이고 어떤 것을 원하시는 지 잘 알기에 '어!? 나도 이 생각을 했었는데..' 하면서 읽어주시면 좋을 것 같습니다!

구성은 아래와 같이 준비해보았습니다. 첫 글이다 보니 다소 서투른 점이 있는 점 양해 부탁드립니다.

24년 상반기
24년 하반기
25년 상반기
25년 하반기

24년 상반기 (4학년 1학기)

교관님께 처음 연락을 해본 날입니다. 참 이때를 생각하면 다시 눈물이 앞을 가리네요. 우선 저에 대해 설명을 해드려야 할 것 같습니다. 무작정 '반도체 엔지니어가 멋있어서'라는 생각에 전기전자공학부로 복수전공하고 반도체에 대해 알아가게 된 것 같아요. 24년 상반기는 저에게 4학년 1학기 입니다. 4학년 1학기 학생들이라면 참고해주시면 좋을 것 같아요!

영어 점수 취득 : "오픽이나 토익스피킹 최대한 높은 성적 받아두기!"
외국계 장비사는 오픽 IH 가산점이 있다는 찌라시가 있긴 한데 실제한 것 같습니다.
1/2/3학년 때의 활동 경험 정리
저는 저만의 엑셀 파일을 만들어서 경험을 정리하기 시작했습니다. 과거의 기억을 끄집어 내는게 얼마나 힘든지 알기에 저학년 학생분들이나 4학년 취준생 분들은 경험을 했다, 완료했다, 하면 바로 바로 경험을 정리하시는 것이 꼭 필요합니다. 제가 정리한 경험 정리 예시를 보여드리겠습니다!

이런 식을 개조식으로 작성 추천드립니다. 바로 이력서에 복사 붙여넣기 가능할 정도로 말입니다.
프로젝트 요약 → 주요 업무 및 역할 (4개에서 5개로 요약) → 업무 성과(최대 2개) → 배운점 (최대 2개)

거진 이력서에 경험 하나 넣으면 500자 가량 됩니다. 저 정도면 500자 내외로 작성이 가능하기에 적극 추천드려요. 이렇게 작성하시면 보기도 편하고 관리도 편하여 참으로 아름답습니다. 이걸 취준 1년 반만에 이쁘게 만드는 법을 깨우친게 너무 아쉬울 따름입니다.
꼭 추천드려요. 아뇨 꼭 해주세요. 진짜로 정말 추천합니다.

삼성전자 및 다양한 기업 인턴 지원
삼성전자 이외에도 다양한 기업들이 4학년 1학기 학생들에게 인턴의 기회를 줍니다. 물론 저는 다 떨어졌습니다.. 그래도 지원 하셔야 합니다. 지원을 많이 해보셔야 본인만의 자기소개서 작성에 있어서 편해질 수 있습니다.
가능하다면 다양한 사람에게 자소서 피드백 받기
정말 저는 교관님에게는 죄송하지만, 거의 핑크 프린세스였습니다. 핑프라고 하죠. 자소서부터 면접까지 항시 도움을 받았습니다. 저는 다양한 분들께 첨삭을 받아 보았습니다. 시간이 지나서 생각해보니 좋은 경험치가 되었다는 생각이 들지만, 어느 정도는 본인이 직접 작성하고 계쏙 읽어봐야 '더 잘 읽히는 방법에 대해 알게 되고, 자신만의 강점으로 되살아난다'는 생각이 듭니다.

경험정리 이력서용(EX).xlsx

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24년 하반기 (4학년 2학기)

24년 상반기와 마찬가지로 진행하겠습니다.

자신만의 지원현황을 만들자!
정말 수없이 많은 회사를 지원하다 보면 자신만의 취업 플랫폼이 있어야 더욱 빠르게 또는 쉽게 자소서 및 이력서 작성이 가능하다고 느껴집니다. 아래를 봐주세요!

이런 식으로 저는 지원활 예정이거나 지원한 회사는 전부 기록했습니다. 다음 회사를 지원할 때, '아 맞다. 직무 강점은 여기서 참고하면 되겠다' 이런 식으로 확인하기 쉽더라구요. 제가 예시 파일을 교관님께 전달해 드렸으니 활용해보시는 것도 좋을 것 같습니다.

지원내역(EX).xlsx

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수없이 지원하자!
저의 본격적 취준은 이때부터 시작된 것 같습니다. 반기 하나당 최소 40개의 회사를 지원했던 걸로 기억합니다. 정말 매일 하나씩 지원하세요. 이유는 다음과 같아요.
- 첫째, 많이 지원할수록 붙는 기업이 생긴다!
  적게 지원하고 다 떨어질 경우 그만큼 자신감이 많이 떨어집니다. 취업 준비는 자신과의 싸움입니다. '난 이만큼 대단한 사람이야!' 라고 생각해야 하는데, 조금 쓰고 떨어지게 되면 '어.. 내가 생각했던 만큼 난 그렇게 대단한 사람이 아닌가.?' 라는 생각이 들 수 있습니다.
- 둘째, 붙는 기업이 생기면 면접을 자주 보게 되며 자신만의 노하우가 생긴다!!
  저는 쓴 기업이 많다 보니 면접을 보면서 '아! 다음에는 이렇게 보지 말아야지' 라는 생각을 하게 되었습니다. 이렇게 자신만의 노하우를 쌓아가면 추후 정말 중요한 기회를 놓치지 않을 수 있습니다! 이런 이유 때문에 수없이 지원하는 것을 추천드립니다. 자신의 대학이 좋지 않다고 아니면 자신이 선택한 산업군과 맞지 않다고 지원을 꺼리시면 안됩니다.
최종에서 떨어진다면...
제가 아직도 생생하게 떠오르는 날이기도 한데 24년 하반기 기아 최종면접에서 떨어지게 됩니다. 정말 준비를 많이 했고, 그만큼 자신도 있었다 생각했는데 떨어지더라구요. 면접은 운입니다. 여러분 (많이 지원해서 운을 쌓자!ㅎ) 24년 하반기에 ASML 1차 면접 탈락, SK하이닉스 SKCT 탈락 이런 거와는 급이 다르게 최종면접에서 탈락하면 가슴이 아프더라구요. 12월 24일에 발표가 났었습니다. 그 주 집에서 혼자 술을 마시면서 아파했었습니다. 되돌아보면 그렇게 아파할 시간도 필요하지만, 혼자 아파하지는 않으셨으면 합니다. 그런 부분이 저 스스로를 갉아먹고 자신감을 떨어트린다는 것이 느껴지더라구요.

혼자 아파하지 마시고, 친구들과 또는 부모님에게 이런 아픔이 있으니.. 보듬어 달라 해주십시오. 에겐남, 에겐녀가 되세요. 그 이후 다시 테토남, 테토녀로 도전하시면 됩니다.

25년 하반기 (공백 시작)

KAIST 나노종합기술원을 꼭 지원하자.
제가 올해 제일 잘한 일이 아마 KAIST 나노종합기술원을 지원한 일이 아닐까 싶습니다. 우선 프로세스부터가 너무 좋습니다.
제가 느꼈던 가장 큰 강점은 첫째 소자제작 실습을 진행하면서 트러뷸 슈팅 경험을 얻을 수 있다는 것입니다. (이거, 이거 아주 맛도리입니다. 여러분) 둘째, 취업을 준비하는 동기들과의 친목. 정말 많은 도움을 받고 여전히 연락하고 지냅니다. 3달 동안 얼마나 친해지겠어. 하지만 정말 많이 친해집니다. 셋째 대전에 있습니다. 스트레스 받을 때 성심당을 애용했습니다. 하십쇼 여러분.

자기소개서 작성법 (직무 강점)
자기소개서 질문으로 다양한 질문이 있죠. 지원동기 / 성장배경 / 장단점 / 직무강점 / 협업 경험. 저는 각 주제마다 쓰는 방식이 다르다고 생각합니다. 그중 그나마 제가 도움을 드릴 수 있는 직무강점 부분을 제 자소서와 함께 보여드리고자 합니다. (전체적으로 보여드리지 못한 점은 양해 해주시길 바라겠습니다. 따로 연락을 주시면 바로 도와드리겠습니다 → 오픈톡방 닉네임 #내년까지_못간다)

보여드리기 어려운 내용은 블러처리 한 점 양해부탁드립니다. 제가 반도체 소재 기업에서 인턴 근무를 하며 했던 경험인데 글을 봐주시면 아래와 같습니다.

소제목을 기깔나게 뽑아보자. (수치화 하면 멋있어 보임)
본인이 강조하고 싶은 역량을 소제목에 수치와 함께 작성해주시면 좋습니다.
첫문단을 보면 주로 첫 문장에 경험 한줄 요약, 두 번째 문장에 상황 제시를 합니다.
즉, 나 이런 문제상황이 있었고, 이후에 이런 것을 내가 어떻게 해결하는지 보여줄게. 이런 느낌입니다. 아래가 읽고 싶어지겠죠. 저만 그럴수도..
두번째, 세번째 문단에는 본인이 해결한 상황 설명
결과 도출

이런식으로 기승정결이 있으면 좋을 것 같아 첨부 드립니다. 제가 꼭 정담은 아닙니다.
하지만, 이런 식의 자소서로 많은 기업에서 서류 합격해봐서 여러분들이 꼭 참고해보시면 좋을 것 같다는 생각에 올려보았습니다.

연속으로.. 최종탈락을 하게 된다면..
기억에서 지우고 싶은 기아 최종면접 2연속 탈락이었습니다. 꽤나 아프게 느껴진 이유는 25년 상반기에 서연이화라는 자동차 부품회사를 최종합격해서 열심히 다니고 있었습니다. 그런데 또 한 번 ASML과 KIA가 합격을 해버렸고, 더군다나 TEL까지 합격해버렸습니다. 저는 이때 과감함이 필요하다 생각이 들었고, 서연이화를 그만두게 되었습니다. 그 다음날 ASML 1차 면접에 떨어지게 되었구요. 그래도 KIA와 TEL이 최종면접까지 갔다 보니 기대가 있었습니다. '이건 떨어지면 하늘이 날 버린 거지..' 라는 생각을 했습니다. 그런데.. 하늘이 저를 버리더라구요. 정말 다시 일어날 용기가 없었습니다.ㅠ

저보다 길게 취업을 준비하시는 분들도 있을 것이고, 이런 말씀 드리기 조심스럽지만 결국 버티면 이기는 것 같습니다!

25년 하반기 (삼성 돌입 작전)

삼성 이력서 및 자소서는 한달 전부터!
삼성이나 하닉 대기업의 이력서와 자소서는 필히 1달 전에는 작성이 완료되면 좋습니다. 그래야만 계속 보면서 어느 부분을 수정해야 할 지 확인이 가능하더라구요. 저는 이때부터 준비를 하기 시작했던 것 같아요.
인적성 준비 (GSAT 120개 풀기)
GSAT 준비는 서류 지원한 그날부터 시작했습니다. 서류 발표 전까지는 일주일에 2개. 발표 후에는 하루에 최소 3~4개를 풀었습니다. 저는 봉봉티비, 렛유인 인강을 이미 4학년 1학기 때 삼성 인턴 붙을 것이라는 생각에 미리 봐둔 상황으로 모의고사만 주구장창 풀었습니다. 첫 회차 당시 32점이 나왔었네요. (전.. 실전에 약합니다. 그래서 죽도록 했습니다..)

그리고 이런 결과가 나오더라구요. 시험 끝나자마자 넣은 결과라 추후 가채점 결과가 50/50인 것을 확인하고 너무 행복했던 것 같습니다. 120회를 풀며 저만의 꿀팁을 말씀드리고자 합니다.

수리 영역
① 1번부터 7번까지는 우선 빠르게 풉니다.
② 8번은 그냥 넘기세요. (수리에서 가장 어려운 문제입니다. 꿀팁인데.. 이미 다들 아시겠죠!)
③ 9번부터 20번까지 또 열심히 풉니다.

저는 주로 선지가 있는 문제를 먼저 풀고 그 이후 2,3문제 정도 계산(자료해석 제외) 문제는 제일 나중에 풉니다. 계산(자료해석 제외)에서 실수하면 화가 나니 시간 넉넉히 풀고 싶다는 생각이 들더라구요. 그래서 저만의 시간 계산법으로 1~10번까지 최대한 '10~13분 안에 풀기'를 연습했습니다. 만약 1~10번 사이에 계산(자료해석 제외) 문제가 2문제 이상으로 있을 경우는 10분으로 단축해서 연습했고, 계산 문제가 없을 시 13분을 투자하면 정확히 30분 내로 20문제를 완벽하게 풀 수가 있었습니다.

그리고 매일 봉봉의 계산 연습 문제를 풀었습니다. DAY1~30으로 구성되어 있다 보니 하루에 하나씩 해주시면 됩니다. (이거 한다고 실력이 늘겠어? 라는 생각이 들겠지만, 저를 보세요. 정말 많이 늡니다.)
추리영역
① 추리는 1~3번까지 빠르게 풀기 (실수가 없어야 함)
② 15번부터 쭉 풀기 방식으로 선택해서 풉니다. (4~14번을 제일 나중에 푸는 방식이 저에게는 맞더라구요.

그리고 알파벳 순서 옮기기 → 왠만해서는 알파벳 순서 다 번호로 외우시는 거 추천드립니다. 이게 제일 빠르더라구요.

면접 준비 (교관님 & KAIST 동기들과의 모의면접)
면접 준비 당시 EDWARDS라는 펌프사를 재직하다 보니 준비 시간이 턱없이 부족했습니다. 때문에 GSAT을 보자마자 바로 면접 준비를 시작했습니다. 하반기에도 EDWARDS를 다니는 과정에서 삼성, HL만도, KLA 면접이 잡혔고 상반기와 똑같은 상황이 되풀이 되더라구요. 또 한 번 EDWARDS를 그만두게 됩니다... (네..ㅎ 제가 생각해도 무슨 자신감인지 모르겠네요..)

본론으로 돌아와서 모의면접은 선택이 아닌 필수라고 생각합니다. 자신이 준비하지 못한 질문을 친구나 교관님이 해주시고 이러한 부분에서 많이 깨우치고 '아 다음엔 이런 질문이 나오면 이런 식으로 대답해봐야지' 라는 생각을 하게 됩니다.

(저는 교관님이 부르면 어디든 달려가야겠다라는 마음 먹은 순간입니다.)
저는 면접을 준비할 때 모든 질문에 대한 스크립트는 절때 짜지 않습니다. 면접을 20번 넘게 보면서 저만의 꿀팁은 정형화된 자기소개와 지원동기라고 생각합니다.
- 자기소개
  제 자기소개 틀을 설명드리겠습니다.
  삼성을 준비할 때는 저는 직무면접용 자기소개와 임원면접용 자기소개를 별개로 준비하였습니다.
  
  ① 직무면접용 자기소개
  안녕하십니까. 삼성전자 ~~~사업부 ~~직무에 지원한 OOO입니다.
  저는 ~~직무를 수행하기에 두 가지 큰 강점을 갖추어 왔습니다.
  첫째 A 입니다.
  ~~~인턴 당시 ~~~ (한 두줄 마무리)
  둘쨰 B 입니다.
  ~~~당시 ~~~ (한 두줄 마무리)
  이러한 경험을 통해 ~~~직무 수행에 필요한 A와 B를 갖추어 왔습니다. 이를 기반으로 (지원동기)에 기여하겠습니다.
  
  ② 임원면접용 자기소개
  안녕하십니까 맡을 일을 끝가지 해겨하는 책임감을 가진 지원자 OOO입니다.
  이러한 저의 성격을 대표하는 두 가지 사례에 대해 말씀드리고 싶습니다.
  첫째, ~~~~입니다.
  둘째, ~~~~입니다.
  이러한 두 가지 경험을 통해 ~~~(무엇을 배웠다) 이제 이를 기반으로 ~~~(책임감 어필)
  
  임원용 자기소개와 직무용 자기소개 모두 틀은 유사합니다. 다만 직무용은 해당 직무가 필요한 역량에 대해서. 임원용에서는 제 성격의 장점을 어필하는데 집중했습니다.
- 경험정리
  경험정리를 말하기 앞서 제가 말씀 드린 수없이 지원하라의 강점이 여기서 나오게 됩니다. 수없이 지원하다 보면 면접의 기회가 어디서든 잡히게 됩니다. 그때마다 경험 정리를 해둔 것이 빛을 발하게 됩니다. 경험정리 방법은 크게 4가지 정도 질문을 준비합니다.
  - #1 해당 경험을 설명하세요.
    #2 / #3 / #4 나올 수 있는 꼬리 질문 (쌓아온 면접 복기 자료 기반 데이터 베이스를 활용하는 순간이었습니다.
    하지만 경험 질문에 대해서는 이미 완벽하다라고 생각했기에 딴딴님 블로그에 있는 8대 공정 주요 내용을 거의 외우다 시피 해서 시험에 들어갔던 것 같습니다. 또한 기계 쪽에서는 오히려 모든 역학을 다 공부하기 보다는 제가 좋아하던 역학을 하나 정해서 해당 역학을 기반으로 각 공정의 설비 이슈상황에서 어떻게 활용할 수 있을지, 식은 어떤 것을 활용할 지에 대해 공부하며 준비를 했습니다.
    
    # 장비사나 설비기술 직무를 준비하시는 분들에게 도움이 될 수 있다고 생각합니다. (삼성 설비, PT면접이 무엇이 나왔는지에 대해 말씀 못 드리는 부분에 대해서는 상당히 아쉬운 마음이 듭니다.) 하지만 저 정도만 하고 가시면 어떤 질문이든 답변하기 편하실 것이란 생각이 듭니다.
- (번외편) 면접 당일 에피소드
  PT 면접을 보실 때는 면접관을 보면서 PT 내용을 설명하시는 것을 추천드립니다. 설명을 잘 해준다라는 칭찬을 받았습니다. 임원 면접의 면접장에 들어가기 전에 최종면접에서 떨어졌었던 회사들이 많이 떠올랐습니다. 들어가기 전에 마음 속으로 '차분하게 나를 보여주자'라는 생각으로 들어갔습니다. 면접관님께서 제 웃는 모습을 보시더니 '직무 면접을 잘 보았는지' 부터 목소리를 칭찬해주시더라구요. 목소리에서부터 자신감이 넘쳐 보인다는 말씀이 가장 와닿았습니다. 이후 면접 전부 자신감 넘치는 목소리로 마무리 지을 수 있었던 것 같아요.

후기 작성을 마치며

정말 2년간의 취업준비를 뒤돌아보며 많은 일들이 있었네요.

기쁜 일보다는 슬픈 일들이 더욱 많았고 포기하고 싶었던 순간이 더 많았던 것 같습니다.

서연이화를 그만두고 KIA,ASML,TEL에서 전부 떨어지고 더 이상 취업 준비를 못하겠다라는 생각에 3주정도 보낸 것 같네요. 정말 포기하고 싶었고 내가 할 수 있을까라는 생각이 들었습니다.

그리고 이번 하반기에도 EDWARDS를 그만두고 삼성,HL만도, KLA를 준비하였습니다. 상반기보다 무서웠고 또 반복될까봐 겁났습니다.

힘들고 두려울때마다 교관님께 물어보면서 정말 많은 힘이 되고 믿고 의지할 수 있었던 것 같습니다. 교관님이 “00님은 됩니다” 라는 말씀을 항상 되뇌이며 이 기간을 보내왔던 것 같아요. 저의 20대를 교관님과 함께 보내게 된 것이 참 영광이고 너무 감사하단 말씀 전해드리고 싶어요. 여러분들 중에서는 저보다 더 힘드신 분들도 있다 생각합니다. 그러한 분들을 너무 응원합니다. 그 마음을 조금이나마 알기에 도움 되고 싶습니다. 연락주시면 바로 가보겠습니다.

취업준비는 끊임없는 도전이라 생각합니다. 너무 스스로 탓하기보다는 가끔은 쉬기도 하고 애쓰고 있는 자신을 바라보며 격려하는 것도 매우 중요하다 생각합니다. 저는 그런 부분을 너무 늦게 알았기에 아쉬움이 있었습니다.

긴 글을 끝까지 읽어주셔서 너무 감사합니다. 이 글을 읽으신 분들 모두 좋은 결과 얻으실 거라 믿습니다. 여기에 제 번호를 올려도 되나 싶기도 해서 저는 딴딴 톡방에 남아서 도와드리겠습니다.!!!! 모두 파이팅입니다!!!

2년간의 긴 여정을 고군분투 하시느라 정말 고생 많으셨습니다.

사실 제 주관적인 생각으로 OO님의 면접실력은 Top급이라고 항상 느껴왔습니다.
본인의 경험과 역량에 대한 이해, 그리고 본인의 강점을 설득시키고 풀어나가는 언어 능력까지.
그래서 저 또한 최종면접에서 탈락 소식을 들었을 때, 그 상황이 이해가 안되었습니다.

하지만, OO님의 그런 강점들이 보이고 또 시간이 갈수록 강점들의 두각이 드러나면서
꼭 좋은 결과를 얻으실 것이라고 믿어 의심치 않았습니다.

고생 많으셨습니다. 이제는 새로 걸으셔야 할 길을 뒤에서 응원하겠습니다!
따뜻한 연말 되시고, 미리 새해 복 많이 받으세요.

다시 한 번 진심으로 축하드립니다!

[합격 후기] 25상 삼성전자 DS 부문 메모리 합격 후기 - 뿌리만 내렸다면 꽃은 언젠가 피어남.

캡틴 딴딴 — Sun, 22 Jun 2025 16:57:13 +0900

25년 상반기가 어느덧 마무리가 되었네요.
반도체 채용 시장이 얼어붙은 지 꽤 되었지만, 눈치 없이 날씨는 매우 덥습니다.
그럼에도 불구하고 꺾이지 않는 마음으로 최종 관문을 넘어섰고,
누구보다 취업을 준비하는 분들에 마음을 잘 알고 있는 A님의 합격후기 전해드립니다.

작은 동기부여, 작은 성장의 씨앗이 되길 바라겠습니다.

취업 준비 기간 : 석사 졸업 전 1년 / 졸업 후 6개월 (1년 6개월)
학력 : 지거국 신소재공학 전공
학점 : 4.06/4.5 (전공 평점 : 4.38/4.5)
기본 스펙 : 오픽 IH
합격 직무 : 메모리사업부 공정기술 직무

대내외 활동

연구실 생활 4년 (학부 연구생 2년 + 석사 2년)
증착 관련 경험 다수 (CVD, ALD)
국내외 학회 경험 다수 (구두 발표)
SCI급 논문 1저자 1건
국내 특허 2건
교내 봉사 동아리 1년
아르바이트 경험 1년
교내 성적 우수 장학ㄱ금 (학부 차석)

※ 교관 曰
A님의 취업 이력이나 Spec.이 화려하지만, 그 무엇보다도 A님의 강점은 이 모든 내용을 이력서에 '맛있게' 녹였다는 점입니다. 이력서가 자신을 어필하는 설명서 이지만, 누구보다도 이력서를 읽는 이들을 배려한 이력서인 것 같습니다. 가전제품의 사용설명서를 한참 들여다 봐야 하는 이력서가 있는 반면, 직관적으로 어떤 역량을 갖고 있는 지 한 눈에 알아보기 쉬운 이력서가 있죠.

매력적인 이력서란 면접관이 에피소드에 대한 명확한 주제 (구체적인 내용까지는 어차피 이해하지 못 함), 그 경험을 통해서 배운 역량과 직무 관점, 조직 관점에서의 강점을 빠르게 캐치할 수 있는 것이 아닐까 쉽습니다. 그러면 경험에 대한 질문이 많이 나오겠죠!

면접을 이미 경험하셨다면, 내가 작성한 경험에 대한 질문이 나왔는 지 꼭 점검해보세요. 질문이 나오지 않았다면 '경험 자체가 경쟁력이 없다'라고 치부하기 보다, '경험의 경쟁력을 잘 전달하지 못한 것'이 더 클 것이라고 생각 됩니다.

인사말

안녕하세요. 25년 상반기 삼성전자 메모리사업부 반도체 공정기술에 합격한 훈련병입니다. 올해 2월 석사 졸업 후 첫 면접인 삼성전자에서 좋은 결과를 얻었고, 취업 준비과정에서 딴딴's 반도체사관학교 블로그, 교관님께 정말 너무나도 많은 도움을 받았고, 또 다른 취준생분들께 조금이나마 도움과 위안이 되었으면 하는 마음에 이렇게 후기를 남기게 되었습니다.

딴딴's 반도체사관학교 블로그를 통한 직무 공부, 자소서 첨삭, 멘토링, 모의면접 참여했고, 서류 → 인적성 → 면접준비→ 면접 당일 에피소드 순으로 제가 준비한 방법이나 취준 과정 중 얻은 인사이트를 작성해보았습니다. 제가 한 방법이 100% 정답은 아니오니 본인에게 적합한 방법을 찾아가는 과정에서 참고 하시면 좋겠습니다!

서류 [경험 정리 → 서류 작성 → 서류 첨삭]

Chap 1. 경험정리 [★★★]
이력서는 서류 합격 뿐만 아니라 면접까지 고려해야 한다.
그러기 위해서는 경험정리가 정말 중요하다.

서류를 작성하기 여러분 모두 아시다시피 경험 정리를 하는 것이 정말 중요합니다. 경험 정리는 이력서 뿐만 아니라 면접에 가서도 막중한 역할을 해내기 때문이죠.

① 상황
② 공학적 난관
③ 본인만의 고민과정 및 해결 방안
④ 결과
⑤ 배운점 및 회사에 어떻게 기여할 수 있는지 (인재상)
⑥ 해당 경험과 관련된 예상질문

위 순서로 작성해보며 경험을 깊이 있게 정리하는 것이 중요하다고 생각합니다. 저의경우 경험 정리 과정에서 예상 질문을 미리 준비해 보며 '이 경험은 면접에서 공격을 많이 받겠다'라는 경험은 과감하게 제외하고 핵심 경험만 이력서에 작성했습니다. 위 과정을 통해 제가 느낀점은 서류 작성이 단순히 서류 합격만을 위한 것이 아니라 면접까지 고려해야 한다는 점입니다. 물론 개인마다 차이가 있겠찌만, 공격 받을 만한 것은 전략적으로 제외하는 것도 또 다른 방법 중 하나라고 생각됩니다.

Chap 2. 서류 작성
경험을 바탕으로 인성 + 직무 캐릭터를 만들어내라!

이력서 작성입니다. 정리한 경험표를 바탕으로 Keyword, 수치화 중심으로 면접관님들이 읽기 쉽게 작성하는 것이 핵심입니다. 다음으로 자소서를 작성할 때, 정리한 경험표를 바탕으로 본인이 서류 + 면접에서 어필하고 싶은 인성적 + 직무적 캐릭터 (각각 1개 정도)를 만들어내야 합니다.

인성적 캐릭터는 존경하는 인물과 이유 / 자소서 2번 문항 (성장 과정)에 녹이시는 것을 추천합니다.
직무적 캐릭터는 대내외 활동, 자소서 4번(직무 관련 경험)에 녹이시면 되겠습니다.

이렇게 서류를 작성할 때부터 본인의 캐릭터를 확실히 정해 두시면 최종 면접에서도 면접관님께 차별화되고 설득력 있는 답변을 하는데 큰 도움이 된다고 생각합니다.

Chap 3. 서류 첨삭
내 이력서가 경쟁력이 있는가!?

마지막으로, 위 방법대로 서류를 작성하셨다면, 교관님, 딴기님, 주변 현직자, 주변 친구들 등 가용한 모든 분들께 첨삭을 요청해서 내용적 오류, 글이 쉽게 읽히는 지, 다른 지원자와 비교했을 때 차별화 된 자소서인지 등 객관화하고 여러 번 수정해 나가시는 것을 추천드립니다. 저 같은 경우는 교관님과 딴기님, 주변 현직자, 친구들을 통해 수십 번 이상 정말 많은 첨삭을 받았습니다.

물론 위 과정이 생각보다 매우 귀찮고, 인내를 필요로 하는 과정입니다. 저도 경험을 해보았기에 너무나도 잘 알고 있지만 그럼에도 불구하고 첨삭을 통해 내 서류가 얼마나 완성도가 있는지 확인하는 것은 정말 중요하다고 생각 됩니다.

인적성 시험 준비

최근 삼성전자 GAST 컷이 높아지면서, 인적성 공부는 미리 준비하는 것을 추천드립니다. 작년 하반기 48 컷이라는 높은 벽으로 인해 탈락을 하며 많이 울기도 했고 힘들었던 경험이 있습니다. '와.. 어떻게 48개를 맞출 수 있지?' 라는 생각을 하며 끝없는 우울에 빠져 살았습니다. 그런데, 한편으로 생각해보면 '48개를 맞추고 합격한 사람이 있구나...' 라는 생각이 들었죠. 이후로는 만점을 받겠다는 목표로 마음을 굳게 가지고 정말 후회없이 열심히 인적성 공부를 했습니다.

25년 상반기를 준비하며 1월부터 매일 평균 6시간 이상 인적성 공부를 하며 시중에 있는 교재를 약 20권 5~6회독 했습니다. 인적성의 경우 흔히 말하는 '양치기'도 중요하지만, 본인의 약점이나 실수를 정확하게 파악하여 정답률을 높이는 것이 중요하다고 생각합니다. GSAT을 처음 공부하는 분들은 먼저 유트브 '봉봉티비' 영상을 숙지하신 후, 시중에 있는 교재 (E-Book)을 푸는 것을 추천드립니다.

인적성 공부 순서

1. 비타민 계산 연습 (매일 1-2회 씩 풀이 *검색창에 '비타민 계산'이라고 검색하면 pdf 파일로 다운 가능)+기본서 (모의고사 제외) 전권 1회독 풀이 + 오답노트 (매일 작성)
2. 전권 1회독 후 작성한 오답노트 재풀이
3. 비타민 계산 연습 (매일 1회씩) + 기본서(모의고사 제외) 전권 2회독 풀이 + 오답노트 (매일 작성)
4. 전권 2회독 후 작성한 오답노트 재풀이
5. 반복

위 공부방법을 통해 오답노트를 점차 줄여 나가며 제 약점을 보완할 수 있었고, 모의고사를 풀 때 정답률을 높일 수가 있었습니다. 이후 인적성 시험 약 3주 전부터 실제 인적성 시험을 치는 시간 (오전 or 오후)에 맞춰 아껴둔 실전 모의고사 + 온라인 모의고사를 풀며 실전 감각을 익혔습니다. 인적성 시험 당일에는 가볍게 비타민 풀이와 오답노트를 쓱 훑어 보며 뇌를 깨웠습니다. 물론 만점을 받지는 못했지만, 꽤 높은 점수로 인적성을 합격할 수 있었습니다. ㅎㅎ

교관 曰
인적성을 정말 열심히 준비해야 하는 것은 당연하죠. 우선 인적성 합격을 해야 하니깐요.
그런데 한 가지 이유가 더 있습니다. 바로 면접을 준비하는 데 있어서 마인드 셋에 문제죠. 모두들 24년 하반기 48 컷으로 분명 탈락의 아픔을 느꼈던 분들이 많은 것이라고 생각 됩니다. 그러면 시험을 잘 보고도 자신의 점수에 대한 의심을 품게 되죠. 그렇게 되면 인적성 시험 종료 시점에서 면접까지 2~3주의 시간 동안 면접 준비에 집중을 하지 못할 수 있습니다.

여러분들도 아시다시피 '나는 인적성은 무조건 합격임' 확신하는 사람과, '하.. 합격할 수 있을까.. 애매한데?' 라고 생각하는 분과의 2~3주 기간을 활용하는 데에 있어 집중도는 큰 차이가 납니다. 최종면접이라는 중요한 일을 해야 하는데, 멧돌 손잡이가 없어서 정작 해야 할 일에 집중 하지 못 한다. 즉, 어이가 없는 일이죠. 모두 어이를 꼭 미리 미리 잘 챙겨 두십시오!

면접 준비

서류를 작성하기 전에 경험 정리를 하셨다면 면접을 준비하는 데 수월할 것이라고 생각합니다. 면접을 준비할 때 제가 생각하는 중요한 것을 몇 가지 정리해보겠습니다.

Chap 1. 자기소개 + 마무리 발언
(인성적, 직무적 캐릭터으로 어필)

앞서 서류에서 어필한 인성적 + 직무적 역량을 보여줍니다. (자기소개 예시)

안녕하십니까. 삼성전자 ooo사업부 ooo직무에 지원한 ooo입니다. ooo직무를 성공적으로 수행하기 위한 ~(직무적 캐릭터)와 ~(인성적 캐릭터)를 지니고 있습니다. 이후 직무적, 인성적 캐릭터 관련 경험을 간략하게 설명합니다. 마무리 발언은 (직무적 캐릭터)와 (인성적 캐릭터)를 발판 삼아 ooo 하겠습니다.

Chap 2. 완벽한 경험정리와 예상 질문 정리 (★★★)

먼저 본인의 경험을 30초~1분 내외로 설명할 수 있도록 연습하는 것이 정말 중요합니다. 이외로 경험 관련해서 나올 수 있는 이론이나 메커니즘에 대한 예상 질문 또한 완벽하게 숙지하는 것이 중요합니다.

Chap 3. 인성 질문 정리

앞서 말씀드린 본인의 인성적 캐릭터를 인성질문에서 일관성 있게 답할 수 있도록 해야 합니다. 저의 경우에는 직무+인성 예상질문을 약 500개 이상 준비했습니다. 사실 제가 많이 준비한 편(?)이라고 생각하는데, 이렇게까지 할 필요는 없지만 그래도 만약 시간적 여유가 되신다면 최대한 준비하는 것을 추천드립니다. 모든 질문에 완벽하게 답변을 준비해야 한다는 관점보다는, 이렇게 여러 질문을 준비하다 보면 나의 가치관이 무엇이고, 어떻게 일관적이게 답할 수 있는 지 감을 잡는데 큰 도움이 된다고 생각하기에 조심스럽게 권해드립니다.

Chap 4. PT 면접 준비

많이 걱정하시는 PT면접 입니다. 저의 경우 8대 공정, MOSFET, DRAM, NAND 정도로 준비하였습니다. 딴딴's 반도체사관학교 블로그를 통해서 공부했습니다. 제 개인적인 생각으로는 딴사관 블로그 내용만으로도 PT면접은 충분히 준비할 수 있다고 생각됩니다. 제가 PT면접을 준비하면서 중요하다고 생각하는 것은 단순히 블로그 내용을 보고 공부하는 것 보다는 본인만의 Flow, 언어로 정리하면서 공부하는 것이 중요하다고 생각됩니다.

예를 들어, EUV 공정
(1) EUV 공정의 등장 배경 (ArF, KrF, Low-K Tech 등, 그리고 한계)
(2) EUV 정의, 메커니즘, 장단점 등
(3) EUV 공정의 한계 (광원, 마스크, Resist), 극복 방안
(4) 현재 삼성전자 어떤 제품에서 EUV 공정이 적용되는지, 어떤 공정 Step에 적용되는지, 어떤 기술적 한계가 있는 지 등 (자세히 알면 알수록 면접에서 어필하기 좋습니다.)

Chap 5. 경험 필살기 어필 + 기여점

간단한 예시지만, 이렇게 하나의 공정이나 키워드를 기반으로 본인만의 Flow로 정리하고 설명하는 연습을 하신다면 PT 면접은 정말 걱정할 필요가 없습니다. 특히, 본인이 타겟한 공정이 있다면 더욱 깊히 있게 공부하시는 것을 추천드립니다. 저의 경우 8대 공정, MOSFET, DRAM, NAND에 관한 내용을 모두 위 방식대로 정리를 했었고, 면접 스터디 때 스터디원과 함께 매번 1~2개 공정을 정해 서로 문제를 내주고, 판서를 통해 설명해주며 직무 공부 외에도 판서하는 법, 설명하는 태도 등을 고쳐나갔습니다.

이렇게 저만의 Flow를 가지고 깊이 있게 직무 공부를 하다 보니, 실제 면접에서도 칭찬을 많이 받으며 좋은 인상을 남길 수 있었습니다.

Chap 6. 면접스터디 + 모의면접 (★★★)

면접 스터디와 모의면접은 가능한 많이 해보시는 것을 추천합니다. 저는 석사 졸업 후 본가에서 혼자 취업 준비를 하다 보니 자연스럽게 다른 사람과 말하는 시간이 줄어들었고, 면접을 처음 준비하며 '와 정말 말을 너무 못한다...' 라는 생각을 했습니다. 하지만, GSAT 시험 이후 거의 매일 면접 스터디와 모의면접을 하다 보니 자연스레 말하는 것이 늘었고, 예상 질문의 경우에도 스크립트를 달달 외우는 것이 아닌 키둬르르 중심으로 말하는 스킬이 늘었습니다.

면접 당일 에피소드

저는 동탄역을 집결지로 선택했고, 집결시간 4시간 전에 미리 메이크업+헤어를 받고 집결지 주변 카페에서 준비한 질문을 가볍게 훑어 보았습니다. 집결지에서 차를 타고 약 20분 정도 후에 면접 장소에 도착하여 거의 바로 직무 면접장에 들어갔습니다. 합격이 너무 간절했던 터라 긴장도 되었지만, 긴장하면 오히려 나만 손해라는 생각으로 면접에 임했습니다.

저는 면접에서 태도가 중요하다고 생각하는데, 먼저 옷 매무새를 정리한 후 정중히 인사드리고, '판서 후 답변을 드려도 되겠습니까?'라고 말씀드린 후 판서를 시작했습니다. 판서가 끝난 후에는 '오래 기다려주셔서 감사합니다'라고 말씀 드린 후 앞서 말씀 드린 저만의 Flow로 설명 드렸고, '지금까지 지원자 중에서 가장 논리적으로 설명도 잘 하시고, 내용적으로도 흠잡을 곳이 없다.'라며 엄청 칭잔해주셨습니다ㅎㅎ.. 직무 면접이 끝난 후 대기실로 이동하는 중에 앞선 직무 면접관님이 갑작스레 복도에서 마주치게 되었습니다. 다행히도 흐트러진 자세(?)로 걷고 있지 않아서, 바로 복도에서 정중히 또 인사를 드렸습니다. (면접이 끝나고 방에서 나오더라도 자세 유지 중요!)

직무 면접 후 인성 면접에서는 아이스브레이킹으로 제 헤어와 메이크업에 대해 질문을 하셔서 '면접관님께 단정한 모습을 보여드리고 싶어서 아침 일찍 샵에 다녀왔습니다.'라고 말씀드리니 좋아하셨고, 이후 이어진 질문에서도 웃어 주시며 큰 어려움 없이 면접을 끝마칠 수 있었습니다. 인성 면접에서는 정말 긴장하지 않고 자신감은 있지만 자만하지 않는 자세로 물 흐르듯 대화하는 형식으로 답변하는 것이 중요한 것 같습니다.

교관 曰
좋은 말씀을 해주셨네요. '면접에서 태도가 정말 중요하다.' 라는 말이죠. 저는 '매력적인 지원자는 어떤 사람일까'라고 항상 고민을 많이 합니다. '직무적 역량이 뛰어난 사람?', '잘생기거나 이쁜 사람?' 물론 그럴 수 있죠. 그런데 저도 나이가 들면서 사람을 보는 안목이 생겼다 할까요. 제가 생각하는 매력적인 사람은 '안정적인 사람'입니다.

이 말은 참 많은 것을 내포하고 있습니다. 제가 생각하는 안정적인 사람은 예의 '태도가 바르고, 예의, 침착하고, 기복이 없고, 잘 웃는 사람' 입니다. 물론 면접이라는 짧은 시간에 이런 것들을 다 파악할 수는 없습니다. 하지만 느낌은 충분히 받을 수가 있다고 생각합니다. A님이 정중하게 '판서 후 답변을 드려도 되겠습니까'. '오래 기다려주셔서 감사합니다.' 또 분명 생긋 웃으면서 말하지 않았겠습니까. 그렇게 말로는 내 자신을 어필할 수 없는 느낌을 주는 것도 중요한 것 같습니다.

후기 작성을 마치며.

작년 24년 1월 처음 딴딴's 반도체사관학교를 접하며, '나도 다른 분들처럼 합격 후기를 작성할 수 있을까..?' 하는 막연한 생각을 했는데, 이렇게 제가 합격 후기를 작성하게 되어 감회가 새롭습니다^_^. 제가 이런 결과를 얻을 수 있었는데에는 교관님, 그리고 오픈채팅방에 계시는 모든 분들의 도움이 컸다고 생각합니다. 정말 감사드립니다. 저도 다른 분들께 꼭 도움이 될 수 있도록 회사에서 열심히 배우도록 하겠습니다.

1년 6개월 정도 취업준비 생활을 하며 정말 우여곡절도 많았고, 우울한 날도 많았던 것 같습니다. 우울에 휩싸여 일상생활을 못할 정도로 제 스스로를 몰아 세운 날도 너무 많았던 것 같습니다. 사실 취업 준비라는 것이 내가 행복해지기 위해서 하는 것인데 왜 이렇게 스스로를 몰아 세웠는지 참... 스스로 반성도 많이 했습니다. 물론 행복하게 취업준비를 하시는 분들도 계시겠지만, 취업 준비로 어려움을 겪는 분들도 많이 계실 것이라고 생각합니다.

취업 준비를 열심히 하는 것도 물론 중요하지만, 1주일에 하루 정도는 쉬어가며 마음을 다독여 보는 것은 어떨까요. 제가 1년 6개월 정도 딴딴's 반도체사관학교 엤으면서 모두 다 원하는 회사에 합격할 수 있을 만큼 훌륭한 분들이라는 것을 알게 되었습니다. 너무 스스로를 몰아 세우기 보다는 가끔씩 쉬기도 하고 여행도 하셔서 최선을 다하는 자신을 격려하는 것도 정말 중요하다고 생각됩니다.

후기를 작성하니 글이 조금 길어졌네요. 긴 글 읽어주셔서 정말 감사드립니다. 이 글을 읽으신 분들 모두 좋은 결과 얻으실 거에요! 합격 부적!!! >< 모두 화이팅입니다!

정말 고생 많으셨습니다. 좋은 말씀 감사드리며, 다시 한 번 진심으로 축하드립니다!
앞으로 업무 하시다보면 정말 힘든 일과 심적 고민하는 일들이 분명 있을 거에요.
그럴 때마다 본인이 작성하셨던 이 후기와 이 시기에 감정, 생각을 상기하시면서 더 큰 엔지니어로 성장하시길 바라겠습니다!
감사합니다. 고생 많으셨습니다ㅎ

자소서 작성 시 주의사항! - 공격질문을 만드는 표현 - Top 7

캡틴 딴딴 — Sun, 11 May 2025 18:16:42 +0900

이력서는 항상 면접까지 고려한 글쓰기가 되어야 합니다.
게시글 참고하시어 공격질문을 유발하는 자소서 표현들 참고하시어 좋은 결과 있길 바라겠습니다.

성공적인 면접이란. 면접에서 이것만은 꼭 말하고 오자!

캡틴 딴딴 — Tue, 8 Apr 2025 21:35:56 +0900

합격 자소서 : 성장과정 작성 시 놓치면 안 될 TOP 6

캡틴 딴딴 — Fri, 28 Mar 2025 20:46:55 +0900

면접에서 이걸 말하는 순간.. 위험해!! -탈락으로 이끄는 면접장 금지표현!

캡틴 딴딴 — Thu, 27 Mar 2025 21:53:41 +0900

면접관의 질문의 의도 : 질문의 의도를 알면 답이 보인다.

캡틴 딴딴 — Sun, 23 Mar 2025 18:03:30 +0900

※ 딴사관 공식 인스타그램 : @captain.ddanddan

합격하는 면접은 어떤 면접일까? : 합격 면접의 공통분모

캡틴 딴딴 — Sat, 22 Mar 2025 13:56:37 +0900