[요약] HBM 시장 1위, SK하이닉스 / 파운드리 1위 TSMC, 기술협력을 위한 MOU 체결 1. SK하이닉스가 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와 High Bandwidth (HBM) 기술 동맹을 맺었습니다. 현재 HBM 시장에서 독보적인 선두를 차지하고 있는 SK하이닉스는 차세대 제품에서도 기술 우위를 놓치지 않겠다는 의지입니다. 2. SK하이닉스는 TSMC와 협업하여 26년 양산 예정인 6세대 HBM4 개발 계획이며, TSMC와 기술적 협력을 통해 HBM 기술혁신을 이끌어내겠다며 선언하였습니다. 이어서, 고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 현 메모리 성능의 한계를 돌파할 것이라고 단언했습니다. SK하이닉스는 TSMC와 HBM의 최하단에 위치하는 베이스 다이의 성능을..
[요약] 1. 어플라이드 머티리얼즈 (Applied Materials, AMAT) 최첨단 반도체 제조에 활용하는 회로 패터닝 장비 분야에서 30% 점유율로 세계 1위를 확보했다고 발표했다. AMAT은 삼성전자와 4nm node 공정 파운드리, 최첨단 DRAM 생산을 지원하고자 자사 장비를 적극적으로 개발하고 있다고도 추가 설명했다. 2. AMAT은 초미세 패터닝용 장비 매출이 13년 15억달러에서 지난해 80억 달러를 기록했으며, 10년 전에는 10% 내외였던 점유율이 지금은 30%로 급증했다고 발표했습니다. (Amen.. 30%...) 여기서 말하는 암크가 발표한 패터닝 장비는 바로 에치 장비입니다. 에치 장비는 미세화에 꽃이며, 초미세 공정으로 갈 수록 높은 난이도의 공정기술이 요구되고 있습니다. 반..
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여러분들 오늘은 증착공정에서 쉽게 발생할 수 있는 불량 유형에 대해서 다루어볼 예정입니다. 물론 정말 다양한 불량 유형이 있겠지만, 오늘은 증착공정에서 Hard성 Fail을 유발하며 쉽게 발생할 수 있는 쉽게 불량 유형에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. 1. Shallow Trench Isolation (STI) Gapfill 불량 첫 번째, 불량 이슈는 바로 STI Gapfill 불량입니다. Isolation 공정은 Trench Isolation과 Junction에 의한 Electrical Isolation으로 구분할 수 있습니다. 특히 Trench Isolation의 경우 인접 소자간의 물리적인 거리를 이격시켜 Tr 소자 Domain을 Define할 뿐 아니라, Isolation 기능을 수행합니다. ..
여러분들 오늘도 MOSFET 소자 신뢰성을 저하 이슈에 대한 대표적인 Mechanism에 대해서 다루도록 하겠습니다. 그 중 우리는 Tunneling에 대해서 다루어 볼 것인데요, 이전에 Zener Breakdown 혹은 Gate Induced Drain Leakage, GIDL의 Mechanism으로 알려진 Band-to-Band Tunneling에 대해서 다루었습니다. 면접 때, 절대 놓쳐서는 안 될 Basic Knoweledge 이니 꼭 한 번 정리 하시길 권장합니다.[제목 1] Fowler-Nordheim Tunneling에 대해서 설명해주세요. (FN Tunneling) FN Tunneling은 Metal-Oxide-p-type Si (MOS) Capacitor 구조에서 Bias를 인가하면 Si..
오늘은 반도체 소자의 신뢰성에 영향을 미치는 이슈에 대한 Mechanism에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. 소자의 성능이 Aging 되는 이유!! [질문 1] Band-to-Band Tunneling (BTBT)에 대해서 설명하세요. Band-to-Band Tunneling은 PN Junction에서 강한 Reverse Bias가 인가되어, E-Field가 8MV/cm 이상 걸렸을 때, P-type Bulk Si의 Valance Band에 있는 Electron이 Conduction Band로 Tunneling이 일어나면서 발생하는 Tunneling Current를 의미합니다. Band-to-Band Tunneling Current는 Reverse Bias가 클수록, 소재의 Energy Band gap ..
여러분들 오늘은 소자 신뢰성을 열화시키는 이슈의 Mechanism 마지막 시간입니다. 실제로 여러분들이 모두 알고 계시는 DIBL에 의한 Vth Lowering 역시 시간이 지남에 따라 Vth의 Variation이 증가하면서 소자 신뢰성을 떨어트리는 신뢰성 저하 Mechanism 중에 하나죠. 오늘 이야기할 주제는 바로 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) + Hot Carrier Injection (HCI) + Negative Bias Thermal Instability (NBTI) 입니다. [질문 1] Gate Induced Drain Leakage (GIDL) Mechanism에 대해서 설명해주세요. GIDL은 Gate Induced Drain Leakage를 의미합니다. G..
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