여러분들 오늘도 MOSFET 소자 신뢰성을 저하 이슈에 대한 대표적인 Mechanism에 대해서 다루도록 하겠습니다. 그 중 우리는 Tunneling에 대해서 다루어 볼 것인데요, 이전에 Zener Breakdown 혹은 Gate Induced Drain Leakage, GIDL의 Mechanism으로 알려진 Band-to-Band Tunneling에 대해서 다루었습니다. 면접 때, 절대 놓쳐서는 안 될 Basic Knoweledge 이니 꼭 한 번 정리 하시길 권장합니다.[제목 1] Fowler-Nordheim Tunneling에 대해서 설명해주세요. (FN Tunneling) FN Tunneling은 Metal-Oxide-p-type Si (MOS) Capacitor 구조에서 Bias를 인가하면 Si..
오늘은 반도체 소자의 신뢰성에 영향을 미치는 이슈에 대한 Mechanism에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. 소자의 성능이 Aging 되는 이유!! [질문 1] Band-to-Band Tunneling (BTBT)에 대해서 설명하세요. Band-to-Band Tunneling은 PN Junction에서 강한 Reverse Bias가 인가되어, E-Field가 8MV/cm 이상 걸렸을 때, P-type Bulk Si의 Valance Band에 있는 Electron이 Conduction Band로 Tunneling이 일어나면서 발생하는 Tunneling Current를 의미합니다. Band-to-Band Tunneling Current는 Reverse Bias가 클수록, 소재의 Energy Band gap ..
여러분들 오늘은 소자 신뢰성을 열화시키는 이슈의 Mechanism 마지막 시간입니다. 실제로 여러분들이 모두 알고 계시는 DIBL에 의한 Vth Lowering 역시 시간이 지남에 따라 Vth의 Variation이 증가하면서 소자 신뢰성을 떨어트리는 신뢰성 저하 Mechanism 중에 하나죠. 오늘 이야기할 주제는 바로 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) + Hot Carrier Injection (HCI) + Negative Bias Thermal Instability (NBTI) 입니다. [질문 1] Gate Induced Drain Leakage (GIDL) Mechanism에 대해서 설명해주세요. GIDL은 Gate Induced Drain Leakage를 의미합니다. G..
여러분들 금일 다룰 주제는 반도체 산업에서의 꿈의 물질 바로 2차원 물질입니다. 대표적인 물질로 그래핀이 있죠. 그래핀의 출현 이후 2차원 소재를 반도체 산업에 적용시키기 위한 많은 노력들이 이루어지고 있습니다. 현재 2차원 물질들이 반도체 산업에 어디까지 왔는지, 어떤 한계를 가지고 있는지 다루어보도록 하겠습니다! 요즘 카드 뉴스 식으로 작성하니깐 훨씬 더 가독성이 좋네요ㅎㅎ 여러분들 오늘 하루도 고생 많으셨습니다!
반도체 3nm 공정 경쟁력 어디까지 왔을까요? 반도체 시장에서 3nm 공정을 앞세우고 경쟁할 수 있는 곳은 세계에서 딱 두 곳이 있죠. Samsung / TSMC 입니다. 두 반도체 괴물들이 현재 기술적으로 어느 위치에 있는지 다루어볼게요. 삼성 파운드리 vs. TSMC의 3nm 경쟁력현재 3nm Tech에서 적용되는 소자는 Gate-All-Around GAAFET 입니다. Current Path가 형성되는 채널부 4면을 Gate가 감쌈으로써 Gate Controllability를 극대화 시킨 소자 구조라고 할 수 있습니다. 모두가 아시다시피 3nm 공정부터는 GAAFET 소자가 전격 도입이 됐고, 현재도 GAAFET 소자의 Performance를 안정적으로 내는지 겨루고 있는 상태입니다. 삼성의 경우,..
오늘은 Dynamic / Static Power Current에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 생각보다 용어 개념을 혼동하시는 분들이 많더라구여. 꼭 숙지하시길 바라겠습니다. 질문을 하기 앞서 한 가지 숙지하고 가셔야 할 가장 기본적인 개념은 바로 'Current'가 흐른다는 것은 반드시 Power Consumption이 있다는 것을 의미합니다. 물리 수업 시간에 'P = VI'라는 식을 배우셨을 것입니다. 바이어스를 인가했을 때, 전위차에 의해서 전류가 흐른다는 것은 저항이 있다는 것입니다. 부하가 있어야 전위차가 발생할 수 있기 때문입니다. 당연한 이야기를 해서 죄송합니다. 다시 한 번 강조하자면 전류가 흐른다는 것은 부하가 있다는 것이고 그 부하에서 전력소모가 발생한다는 것을 의미합니다. 오늘은 반..
반도체 Chip의 Spec table을 보시면, Vcc, Vdd, Vss, Vee 와 같이 다양한 전압이 표현됩니다. 그리고 Power면 그냥 Power지 Dynamic Power, Static Power로 구분됩니다. 오늘은 이 부분에 대해서 간략하게 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1] Dynamic Power에 대해서 명하세요. Dynamic Power는 Device가 ON 되었을 때, 소모되는 Power입니다. 단위 시간당 Charge를 통해 전류를 구함으로써 소모되는 Power를 계산할 수 있습니다. 먼저 단위 시간 당 Charge는 아래 식 같이 Current를 의미합니다. 1/t는 1주기로 평소 우리가 알고 있는 Frequency 임을 알 수 있습니다. 그리고 C=QVdd 식을 활용하여 위와..
최근댓글