현재 EUV 설비 인프라 확보에 불붙었습니다. 인텔은 유럽 자동차 업체를 대상으로 위탁생산을 강화하며, 삼성은 14nm EUV D램 양산, TMSC는 EUV 노광장비 80대를 보유하고 있습니다. 인텔, 유럽 거점 아일랜드에 EUV 설비, 삼성도 노광기 수십대 투입 전망 ■글로벌 반도체 제조사 EUV 기술현황 ① 삼성전자 - 상반기 3nm EUV 파운드리 공정 도입 예정 - 14nm EUV D램 양산 시작 ② 인텔 - 아일랜드에 EUV 노광장비 반입 - ASML에 첫 차세대 High-NA EUV 장비 주문 - 2023년 판매할 제품에 첫 EUV 적용 예정 ③ TSMC - 올해 시설 투자에 52조원 투입 예정 - 현재 80대 내외 EUV 노광장비 보유 ④ 마이크론테크놀로지 - 미국 R&D 설비에 ASML 최..
글로벌 탑 5 파운드리에 속해 있는 중국의 파운드리 기업인 SMIC이 막대한 투자를 한다고 합니다. 美 제재도 아랑곳... '반도체 굴기' 첨병 中 SMIC, 6조 베팅 중국의 최대 파운드리 기업인 SMIC가 반도체 생산능력을 증대하기 위해 올해 약 6조원을 신규투자한다고 밝혔습니다. 도널드 트럼프 전 미국대통령 시절부터 시작된 미국의 제재에도 아랑곳 하지 않고 중국은 반도체를 전략 산업으로 키우고 있습니다. 지난해 중국의 SMIC는 미국산 장비를 수입하지 못하는 상황에서 중국 정부의 지원을 받아 전년 대비 138% 이익 증가의 호실적을 기록했습니다. SMIC는 올해 50억 달러 (약 5조 9,800억원)을 투자한다고 밝혔으며, 지난해 투자액인 45억달러 (약 5조 3,800억원)보다 5억 달러 늘어난 ..
러시아와 우크라이나 양국간의 긴장이 팽팽해지면서 반도체 대란의 우려가 확산되고 있습니다. 그것은 바로 반도체 핵심소재 때문인데요. 아무쪼록.. 전쟁은 안났으면 좋겠습니다. 우크라이나발 '반도체 대란' 우려 확산, 삼성전자, SK하이닉스도 영향권 [국제시사] 우선 우크라이나와 러시아의 무력 갈등에 대해서 간단하게 알아보겠습니다. 현재 러시아의 우크라이나 침공이 곧 현실이 될 수 있다는 우려가 잇따르기 때문입니다. 현재 미국 백악관에서도 러시아의 우크라이나 침공의 가능성을 열어두고 자국민 구출에 나서고 있습니다. 조 바이든 대통령은 동맹국들에게 "러시아의 우크라이나 침공 날짜는 2월 16일"이라고 제시할 정도로 긴박한 상황입니다. 러시아는 최근 몇 달 동안 우크라이나 국경 인근에 10만 병력을 배치했고, 이..
올해 글로벌 탑5 파운드리 매출 전년비 10% 증가 글로벌 탑 5 파운드리 올해 매출이 전년 대비 10% 증가한다는 전망이 나왔습니다., 지난해에는 전년 대비 26% 증가한 것으로 조사됐습니다. 올해 글로벌 탑 5 파운드리 매출은 지난해보다 10% 증가한 800억 달러(약 89조 4,000억원)가 예상된다고 합니다. 글로벌 탑5 파운드리는 TSMC, 삼성전자 파운드리사업부, SMIC, 글로벌파운드리, UMC 입니다. 글로벌 탑 5 파운드리 업체는 2019년과 비교해 26% 성장한 매출을 기록했습니다. 비대면 활동이 늘어나면서 PC, 가전제품의 수요가 증가했기 때문입니다. "올해 반도체 품귀현상에도 불구하고 대부분 파운드리 업체의 캐파가 꽉 찬 상황이라 드라마틱한 매출 상승은 기대하기 어렵습니다. 하지만 ..
램리서치가 3D 낸드 플래시 성능 발전을 위해서는 박막에 가해지는 압력을 조절하는 기술 개발이 요구된다고 강조했습니다. 셀 적층 높이가 증가하면서 웨이퍼의 변형 방지가 반도체 수율을 높일 수 있다는 이야기입니다. 고적층 3D 낸드, 웨이퍼 휘어짐 현상 해결이 과제! 고성능 반도체 생산에 따라 웨이퍼 보우(bow) 현상이 증가하면서 압력을 조절할 수 있는 기술 개발이 요구됩니다. 웨이퍼 bow 현상은 3D로 쌓인 적층 박막에 압력이 가해지면서, 이에 따라 웨이퍼가 활 처럼 휘어져 변형되는 현상입니다. 노광공정에서 DoF와 Overlay 성능을 낮추고 구조적인 변형을 일으켜 제대로 된 패턴이 형성되지 않아 전체적인 수율 저하에 요인이 됩니다. 웨이퍼 보우 현상은 웨이퍼 적층수가 높아지면서 발생하게 됩니다. ..
낸드와 D램의 장점을 결합한 차세대 메모리 기술이라고 합니다. SK하이닉스, P램에 4D 낸드 기술 적용 '데이터센터 공략' SK하이닉스가 차세대 메모리인 상변화메모리, PRAM에 4D 낸드플래시와 동일한 Peri Under Cell, PUC 기술을 적용한다고 밝혔습니다. SK하이닉스는 낸드와 D램의 장점을 지닌 P램을 활용해 데이터센터 시장을 공략할 예정입니다. 지난해 11월 인텔이 SK하이닉스에게 낸드 사업 매각시 옵테인은 제외한 이유도 데이터센터 사업을 지속하기 위해서입니다. 옵테인은 P램 기술에 기반한 메모리입니다. P램에 PUC와 알고리즘을 적용해 성능과 비용 차원에서 스토리지 클래스 메모리 (SCM),의 요구사항을 모두 충족시켰습니다. P램 기술은 비용과 밀도, 메모리 용량면에서도 전보다 경쟁..
차량용 반도체 관련 기사는 끊이질 않는 것 같습니다. 현재 차량용 반도체 공급난이 지속되고 있는 가운데, 반도체 업계들의 다양한 동태들이 눈에 보이기 시작했습니다. 차세대 차량용 반도체 생태계, '급물살' 차세대 차량용 반도체는 실리콘 카바이드 (SiC), 산화갈륨 (Ga2O3), 질화갈륨(GaN) 등의 새로운 소재를 기반으로 전력효율을 극대화 시키는데 초점이 맞추어져 있습니다. 글로벌 완성차 업체들은 신소재 기반의 반도체를 내재화함으로써 자동차 전력 효율을 높으닌 한편, 현재 차량용 반도체 공급난에도 적극적인 대응 전략을 짜고 있습니다. 한국자동차연구원에 따르면 차세대 차량용 반도체는 실리콘 대비 높은 전압 사용이 가능하고 전력소모를 줄일 수 있어 전기차에 활용하기 수월합니다. 테슬라는 모델3 전기차 ..
최근댓글