식각공정 검색 결과

3 개의 검색 결과가 있습니다.

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[식각공정] 훈련 10 : Atomic Layer Etching (ALE) 차세대 식각공정 기술 [2/2]

여러분들은 Atomic Layer Deposition, ALD 공정에 대해서는 많이 접해보셨을 겁니다. 원자 한층 한층을 제어하여 Deposition하는 기술인데, Etch 공정에서도 원자 한층 한층 Etching 해나가는 ALE 기술이 존재합니다. 점점 더 공정이 미세해지면서 RIE는 한계에 봉착했고, 개발 이후 수십 년 동안 생산 부분에서 외면 받다가 이제서야 주목 받고 있는 ALE에 대해서 다루어보겠습니다. [질문 1]. Atomic Layer Etch, ALE 기술에 대해서 설명해주세요. Atomic Layer Etch, ALE 공정은 이름처럼 원자층 단위로 Etching 하는 공정입니다. Ion, Radical 인자의 반응을 시분할하여 공정을 진행합니다. Plasma가 발생하면 반응종들이 확산을..

2022. 4. 13. 20:02

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[식각공정] 훈련 9 : Pulsed Etch, Cryogenic Etch - 차세대 에치공정 기술 [1/2]

딴딴 후보생 여러분들 Etch 공정의 종착역까지 얼마 남지 않았습니다. 오늘은 Loading Effect를 개선하기 위한 Etch Tech와 차세대 Etch 기술에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1]. Pulsed Plasma Etch 기술에 대해서 설명해주세요. 최근 Pulsed Plasma 기술이 Etch 공정에서 주목받고 있습니다. Pulsed Plasma는 Plasma를 형성하는 Source에 가해주는 Power를 On/Off, 이온을 가속시키는 Bias Power를 On/Off 함으로써 Source와 Bias Power를 이용하여 싱크 Pulse를 가해줄 수 있습니다. Pulsed Plasma가 주목받는 이유는 Pattern Size가 넓은 영역도 있고 집적도가 너무 높아 좁고 복잡한 ..

2022. 4. 13. 19:05

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[식각공정] 훈련 1 : "Etching 공정, 용어정리"

초미세 공정이 도입됨에 따라 작은 domain 영역에서 소자구조는 더욱더 복잡해지고 있습니다. 복잡한 소자구조를 구현할 수 있는 이유는 바로 고도의 에칭기술 덕분이라고 생각합니다. ① Etch bias photo 공정을 통해 형성된 회로패턴이 식각과정을 거치면서 변화되는 것을 의미합니다. 패턴을 설계할 때 반드시 고려되어야 하는 사항입니다. 식각공정을 거친 후 선폭의 변화량을 측정한 것으로, Wb는 식각 전의 포토레지스트의 원래 선폭을 의미하며, Wa는 레지스트 제거 후 식각된 물질의 최종적인 선폭을 의미합니다. → Etch bias = Wb(photo dimension) - Wa (etch dimension) ② Overt etch & Undercut Over etch는 충분히 진행되어 원하는 두께나 ..

2022. 2. 15. 00:23