반도체공정기술 검색 결과

4 개의 검색 결과가 있습니다.

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[포토공정] 훈련 5 : "Resolution과 DoF의 관계에 대해서 설명하세요"

Resolution 과 Depth of Focus 는 'Trade off' 관계입니다. 이는 공정마진과 관련하여 매우 중요한 파라미터라고 할 수 있습니다. [질문 1]. Depth of Focus에 대해서 설명해주세요. Keyword : [Rayleigh 1st criteria, NA, Trade off, DoF] DoF는 Depth of Focus 초점심도를 나타냅니다. 사진을 찍을 때 초점이 맺히는 부분과 defocus 되는 부분이 있습니다. Best focus 부분은 패턴이 잘 형성되지만 그렇지 않은 부분은 감광 깊이가 균일하지 않아 원하는 패턴이 형성되지 않습니다. CD를 유지하면서 수직 포커스 마진을 나타내는 것이 바로 DoF입니다. DoF가 클수록 공정마진이 넓고 패턴이 잘 형성됩니다. 예를 ..

2022. 1. 8. 00:24

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[포토공정] 훈련 4 : "Resolution에 대해서 공식으로 설명해보세요"

Rayleigh 1st criteria 를 설명하지 못 한다면 면접관을 100% 설득시킬 수 없다. [질문 1]. 포토공정에서 Resolution 에 대한 공식에 대해서 설명해보시고, Resolution 에 영향을 끼치는 변수에 대해서 설명해주세요. Keyword : [Rayleigh 1st criteria, k1, NA, Resolution, EUV, 설비, low k1-technology] 해상도(Resolution)는 유효렌즈 크기 (NA)가 클수록, 규격화된 광원의 파장(λ)이 단파장일수록 해상도는 향상됩니다. Resolution의 변화를 가장 빠르게 얻을 수 있는 방법은 바로 '단파장'의 광을 사용하는 것입니다. 해상도를 향상시키기 위해 I-line (365 nm), KrF (248 nm), A..

2022. 1. 7. 17:01

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[포토공정] 훈련 3 : "Illumination mode, OPC, PSM 기술"

빛이 들어오게 되면서 마스크 패턴들이 웨이퍼에 잘 도달하게 만드는 것이 리소그래피 기술 중에 대부분을 차지합니다. Input layer (설계 마스크), Illumination mode (빛의 경로) [질문 1]. 이미지 패턴이 웨이퍼에 이미징 되기 위한 공식에 대해서 설명하세요. Keyword : [Pitch, NA, 회절각, off-axis illumination mode] 'sinθ = λ/P', 이미지 패턴이 웨이퍼에 이미징 되기 위해서는 마스크를 만나 회절된 빛의 회절각 Sinθ가 렌즈의 크기 NA보다 작아야 웨이퍼에 이미징 될 수 있습니다. 수직으로 웨이퍼에 들어오는 빛을 0차광, 회절된 빛을 1차, -1차광이라 했을 때, 회절광의 회절각이 NA보다 작아야 렌즈 안으로 빛이 들어오게 되고 웨이..

2022. 1. 7. 00:24

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[포토공정] 훈련 2 : "포토마스크에 대해서 설명하세요"

[질문 1]. 레티클에 대해서 설명하세요. Keyword : [마스크, 펠리클, DUV, ArF, I-line, EUV, 브래그반사경] 레티클은 노광공정에서 설계 도면을 포함하고 있는 포토마스크를 말합니다. 마스크의 세부구조는 펠리클 (얇은 고분자 기능성 막)과 액정보호필름, 쿼츠 유리판 그리고 전체적으로 패턴부분에 크롬을 코팅함으로써 입사된 빛을 차단하고 원하는 이미지 패턴만 투과되도록 설계됩니다. I-line (365nm), KrF (248nm), ArF (193nm)를 포함하는 DUV에서는 투과형 마스크를 사용하고, EUV (13.4nm)는 단파장이기 때문에 대부분의 에너지가 마스크에서 흡수 되는 이슈가 발생하기 때문에 반사형 마스크가 채택되었습니다. : [꼬리 1-1]. EUV에서 반사형 마스크에..

2022. 1. 6. 22:46