오늘은 간략하게 파워반도체에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. 최근 전기차 시장에서 차량용 전력반도체의 수요가 급증하면서 반도체 시장에서 블루오션으로 자리잡고 있습니다. 개념에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1] 파워반도체에 대해서 설명하세요. 파워반도체는 주로 전력을 공급하는 소자로서 전력을 사용하는 제품에 알맞은 전력으로 변환하는 스위치를 말합니다. 전력반도체의 Spec은 기존의 수십 Volt의 High Voltage 소자와 비교했을 때, 400V, 800V, 수십 A 정도의 파워를 인가합니다. 전기차 시장에서 전력반도체 수요가 증가하면서 고전압에서도 안정적으로 동작하는 소자가 개발되고 있습니다. 또한 전세계적으로 뉴딜정책이 시행되면서 탄소배출 저감 등이 중요해지면서 효율적으로 전기 에너지를 ..
여러분들 DRAM의 구조부터 동작원리, 차세대 DRAM 까지 모두 알아보았습니다. DRAM 동작원리가 직관적으로 이해가 안 간다고 많은 분들이 피드백해주셔서, 이번 장을 통해 조금 더 상세하게 다루어보도록 하겠습니다. ★알림★ : 그림에서 Row Address Decoder와 연결된 buffer는 Row Address Buffer입니다ㅠ. 오타 Dynamic Random Access Memory, DRAM은 각 셀이 Transistor와 Capacitor를 포함하는 사각형의 Array로 배열된 수십억개의 셀로 구성됩니다. Capacitor에 전자가 축적되면 '1', 방전되면 셀에 '0'이 기록됩니다. 각 트랜지스터는 수평 Word Line과 수직 Bit Line에 연결됩니다. word line은 tran..
오늘은 메모리반도체의 용어 총정리에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1]. 메모리에 대해서 설명하세요. 메모리는 반도체를 이용하여 전하를 저장하는 메커니즘을 활용한 메모리반도체가 있으며, CD, DVD, 블루레이 디스크와 같은 광학 방식의 메모리가 있습니다. 그리고 플로피디스크나 하드디스크와 같은 자기장 방식 메모리도 있습니다. 특히 메모리반도체는 RAM과 ROM으로 구분할 수 있습니다. RAM은 Random Access Memory로 읽기/쓰기 속도가 매우 빠른 DRAM과 같은 비휘발성 메모리가 있으며, ROM은 Read Only Memory로 쓰기/지우기에 제한이 있는 비휘발성 메모리입니다. [질문 1.1] Random Access Memory, RAM에 대해서 설명하세요. RAM은 Rando..
4차 산업혁명이 도래하면서 5G, 자율주행 등 시스템반도체의 비중이 점점 커지고 있습니다. 시스템반도체는 우선 그 종류가 매우 다양합니다. 오늘 국내 기업에서 다루는 시스템반도체 제품들을 간략하게 다루어보는 시간이 되겠습니다. [질문 1]. 시스템반도체의 정의가 무엇인가요. 시스템반도체는 정보를 저장하는 메모리반도체와 달리 중앙처리장치 CPU 처럼 데이터를 연산, 제어, 처리하는 비메모리 반도체입니다. CPU처럼 특수한 기능을 하기 때문에 고도의 회로설계 기술이 요구됩니다. 시스템반도체는 중앙처리장치, 멀티미디어 반도체, 주문형반도체, 복합형 반도체, 전력반도체, 개별소자, 마이크로프로세서 등 메모리 이외의 모든 반도체를 시스템반도체로 칭합니다. 시스템반도체는 종류가 매우 다양하며, 제품별로 기술집약적인..
이전 교육에서 미세화에 따른 Floating gate의 이슈와 이를 개선하기 위한 CTF 구조에 대해서 배웠습니다. 오늘은 낸드플래시의 혁신 3D 적층 구조의 V-NAND에 대해서 알아보도록 하겠습니다. [질문 1]. 3D V-NAND에 대해서 설명하세요. 플래시 메모리의 저장용량을 높이기 위해서는 셀의 개수를 늘려야 합니다. 하지만 미세 소자를 구현하게 되면서 더이상 평면 상에 Cell size를 줄여 Cell 개수를 늘리는 데에 한계에 봉착합니다. 이를 극복하기 위해서 제안된 것이 바로 셀을 수직으로 적층시키는 기술입니다. 3D V-NAND는 기존 평면 셀 구조보다 공간효율성이 높고, 동일한 면적에서 수직으로 단수를 높임으로써 저장용량을 극대화시킬 수 있습니다. [꼬리 1-1]. Channel hol..
오늘은 기존 Floating gate에 전하를 저장하는 방식에서 진화된 Charge Trap Flash, CTF 방식에 대해서 알아보도록 하겠습니다. [질문 1]. Floating gate의 한계에 대해서 설명해보세요. Floating gate는 Control gate에 고전압을 인가하여, tunneling에 의해 floating gate로 전하가 저장되는 원리입니다. 하지만 Floating gate는 전기적으로 도체이기 때문에 'Cross talk'의 문제가 생깁니다. Cross talk란 하나의 회로가 주변에 있는 다른 회로에 영향을 주는 것을 말합니다. 집적도를 높이기 위해 낸드플래시 하나의 셀의 크기가 점점 미세화 되면서 주변 셀에 대한 간섭이 커지는 Cross talk 이슈가 심화됩니다. 그리고..
오늘 교육에서는 플래시메모리의 데이터 저장용량을 늘리는 방법에 대해서 알아보겠습니다. 데이터를 저장할 셀의 개수를 늘리면 저장용량을 늘릴 수 있지만, 한 셀에 더 많은 비트정보를 담을 수 있는 기술입니다! [질문 1]. SLC, MLC, TLC에 대해서 설명해보세요. 초기 수평으로 셀을 제작했던 NAND Flash memory의 저장용량 문제를 획기적으로 개선할 수 있었던 방법이 바로 '한 Cell에 여러 비트를 저장하는 것'이었습니다. Control gate에 인가되는 전압을 세분화하여 floating gate에 축전되는 전하의 양을 세분화합니다. 축전된 전하의 양에 따라 Threshold voltage의 변화 또한 영역으로 구분할 수 있으며 선택적으로 전자의 portion rate을 조절하여 여러 비..
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