반도체사관학교 훈련과정/반도체 물리 및 소재 검색 결과

4 개의 검색 결과가 있습니다.

반도체사관학교 훈련과정/반도체 물리 및 소재

[반도체 소재] "High-k / Low-k 소재에 대해서 설명하세요"

여러분들 반도체 소자 카테고리에서 High-k 소재에 대해서 배우셨습니다. 정전용량을 높이기 위해서 High-k 소재가 도입되었는데, 오늘은 그 High-k 소재의 특성에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. 그리고 반도체 공정에서 Low-k 소재도 매우 중요합니다. 함께 다루어보겠습니다. [질문 1]. High-k 소재가 도입된 이유에 대해서 설명하세요. High-k 소재의 도입은 집적도를 높이는 데에서 시작합니다. 소자 Dimension이 미세화되면서 Subthreshold leakage current를 억제하기 위해 gate oxide thickness가 점점 얇아졌습니다. oxide thickness를 줄이는데 한계에 봉착하게 되면서 High-k 소재가 도입되었습니다. Transistor의 크기가 작아..

2022. 3. 6. 18:37

반도체사관학교 훈련과정/반도체 물리 및 소재

[반도체 소재] "Plug W(텅스텐) grown on CVD"

텅스텐은 우수한 Filling 특성으로 Via 나 Contact을 채우는데 사용됩니다. ■ Tungsten, W 텅스텐 [질문 1]. Tungsten, W 텅스텐 막의 용도에 대해서 설명해보세요. 텅스텐은 우수한 Gap filling 특성을 갖고 있습니다. 이러한 특성으로 인해 Via나 Contact을 채우는데 사용됩니다. 하부에는 Barrier metal인 TiN 박막이 필요합니다. TiN은 Barrier 역할과 nucleation seed 역할을 수행합니다. 텅스텐은 3410℃의 높은 녹는점을 가지므로 열적 안정성이 매우 뛰어납니다. 우수한 Conformal Step coverage 특성을 갖습니다. 낮은 기계적 stress 특성을 가집니다. 우수한 Electro migration EM 및 Corro..

2022. 2. 11. 00:15

반도체사관학교 훈련과정/반도체 물리 및 소재

[반도체 소재] "Si3N4, SiON grown on LPCVD & PECVD"

Silicon Nitride 역시 반도체 산업에서 많이 사용되는 박막 소재입니다. Silicon nitride의 물성과 소재 그리고 각각의 공정을 통해 성장했을 때 특징에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. ■ Silicon Nitride, Si3N4 ■ Si3N4 특징 ① Weight density : 2.9~3.1g/cm^3 vs. (SiO2 = 2.2g/cm^3) ② Index of refraction : 2.05 vs. (SiO2 = 1.46) ③ Dielectric constant : 6~7 vs. (3.6) ④ Energy bandgap : 5.1eV vs. (SiO2 = ~9.1eV) ⑤ Thermal expansion coefficient : 4E-6/K (Si 2.6E-6/K) ⑥ Nitri..

2022. 2. 10. 22:36

반도체사관학교 훈련과정/반도체 물리 및 소재

[반도체 소재] "SiO2 grown on LPCVD & PECVD"

이번 장에서는 각각의 공정을 통해 얻은 박막이나 소재의 특성에 대해서 알아보겠습니다. 박막의 용도나 공정 Type에 따라 같은 박막이더라도 공정조건이 다르고 특성 또한 다릅니다.■ Silicon Dioxide, SiO2■ SiO2 특징 ① Crystal structure : Armorphous 구조 ② Weight density : 2.20g/cm^3 ③ Molecular density : 2.3×10^22 molecules/cm^3 vs. (Si : 5×10^22atoms/cm^3) ④ Excellent Electrical Insulator : Resistivity > 1×10^20ohm/cm ⑤ Energy bandgap : ~9.1eV ⑥ High breakdown electric field : >..

2022. 2. 10. 20:56