여러분들 오늘은 증착공정에서 쉽게 발생할 수 있는 불량 유형에 대해서 다루어볼 예정입니다. 물론 정말 다양한 불량 유형이 있겠지만, 오늘은 증착공정에서 Hard성 Fail을 유발하며 쉽게 발생할 수 있는 쉽게 불량 유형에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. 1. Shallow Trench Isolation (STI) Gapfill 불량 첫 번째, 불량 이슈는 바로 STI Gapfill 불량입니다. Isolation 공정은 Trench Isolation과 Junction에 의한 Electrical Isolation으로 구분할 수 있습니다. 특히 Trench Isolation의 경우 인접 소자간의 물리적인 거리를 이격시켜 Tr 소자 Domain을 Define할 뿐 아니라, Isolation 기능을 수행합니다. ..
여러분들 오늘도 MOSFET 소자 신뢰성을 저하 이슈에 대한 대표적인 Mechanism에 대해서 다루도록 하겠습니다. 그 중 우리는 Tunneling에 대해서 다루어 볼 것인데요, 이전에 Zener Breakdown 혹은 Gate Induced Drain Leakage, GIDL의 Mechanism으로 알려진 Band-to-Band Tunneling에 대해서 다루었습니다. 면접 때, 절대 놓쳐서는 안 될 Basic Knoweledge 이니 꼭 한 번 정리 하시길 권장합니다.[제목 1] Fowler-Nordheim Tunneling에 대해서 설명해주세요. (FN Tunneling) FN Tunneling은 Metal-Oxide-p-type Si (MOS) Capacitor 구조에서 Bias를 인가하면 Si..
오늘은 반도체 소자의 신뢰성에 영향을 미치는 이슈에 대한 Mechanism에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. 소자의 성능이 Aging 되는 이유!! [질문 1] Band-to-Band Tunneling (BTBT)에 대해서 설명하세요. Band-to-Band Tunneling은 PN Junction에서 강한 Reverse Bias가 인가되어, E-Field가 8MV/cm 이상 걸렸을 때, P-type Bulk Si의 Valance Band에 있는 Electron이 Conduction Band로 Tunneling이 일어나면서 발생하는 Tunneling Current를 의미합니다. Band-to-Band Tunneling Current는 Reverse Bias가 클수록, 소재의 Energy Band gap ..
여러분들 오늘은 소자 신뢰성을 열화시키는 이슈의 Mechanism 마지막 시간입니다. 실제로 여러분들이 모두 알고 계시는 DIBL에 의한 Vth Lowering 역시 시간이 지남에 따라 Vth의 Variation이 증가하면서 소자 신뢰성을 떨어트리는 신뢰성 저하 Mechanism 중에 하나죠. 오늘 이야기할 주제는 바로 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) + Hot Carrier Injection (HCI) + Negative Bias Thermal Instability (NBTI) 입니다. [질문 1] Gate Induced Drain Leakage (GIDL) Mechanism에 대해서 설명해주세요. GIDL은 Gate Induced Drain Leakage를 의미합니다. G..
오늘은 Plasma 편 마지막입니다! PT발표가 중요해진 만큼, 세부적인 것 하나 하나까지 모두 챙기시길 바라겠습니다. [질문 1] Plasma의 Potential 분포를 그림으로 그리고, Sheath 영역을 이용하여 Plasma의 생성 메커니즘을 설명해주세요. Sheath 영역은 Plasma 생성 메커니즘 상에서 자유전자와 양이온의 질량 차이에 따른 Mobility차이로 인해 생성되는 영역입니다. 자유전자보다 무거운 양이온이 축적되는 공간전하 영역이 형성되고, 음극 부근에서 급격한 전압강하가 일어나게 됩니다. (Sheath Voltage라고 함). 양이온이 Sheath 영역에 들어서게 되면 높은 전위차(Sheath Voltage)로 인해 Cathode로 가속되고 충돌 이후 2차전자를 발생시키게 됩니다...
지난번에 이어서 오늘은 Plasma의 종류에 대해서 간략하게 정리하는 시간 갖도록 하겠습니다. [질문1] Plasma의 생성에 대해서는 충분히 잘 들었습니다. 반대로, Plasma의 소멸에 대해서도 설명하실 수 있나요.Plasma의 발생 원리도 중요하지만, Plasma의 Density와 생성된 Plasma를 유지하기 위해서는 Plasma의 소멸 메커니즘에 대한 이해도 중요합니다. 일반적으로 Plasma의 소멸은 양이온의 중성화, 전자의 Loss로 설명할 수 있습니다. Plasma 내 양이온은 Cathode와 충돌했을 때, 혹은 Chamber 외부에서 Recombination이 일어나면서 중성기체로 돌아가게 되죠. 전자의 경우, 양이온과 충돌하지 못 하게 되면 Anode로 들어가면서 전자 Loss가 발생하..
최근 면접에서, PT 문제풀이가 부활하게 되면서 Knowledge Base를 깊게 검증하는 방식이 추가되었습니다. 특히 전공에 따라서 공정기술 엔지니어 직무 지원자들에게 물리화학적인 배경지식을 요구하기에, 문제 맛집인 Plasma에 대한 Keyword를 다루어보았습니다. [질문 1] Plasma 문제를 선택하셨네요. Plasma에 대해서 정의해주세요. Plasma는 물질의 제4의 상태라고 정의하며, 전기적으로 중성을 갖는 일반적인 기체분자가 전기에너지 혹은 열에너지를 받아 이온과 전자로 분리되어 있는 상태를 말합니다. 다시 말해, 외부에 고에너지가 인가되면 원자들 간의 충돌로 인해 수많은 전자들이 원자핵의 구속으로부터 벗어나게 되면서 플라즈마를 구성하는 여러 입자들의 집합체를 이루는 상태를 바로 Plas..
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