이온주입공정 검색 결과

3 개의 검색 결과가 있습니다.

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[이온주입 공정] 훈련 9 : 'Shallow Junction Depth Profile' 접합 깊이

여러분들 이미 반도체 소자 카테고리에서 SCE를 억제하기 위해서 Junction Depth를 Shallow 하게 만드는 것이 얼마나 중요한지에 대해서 다루어 보았습니다. 오늘은 Shallow Junction Depth Profile을 구현 내용에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1] Shallow Junction Depth Profile의 중요성에 대해서 설명하세요. Gate CD (Critical Dimension)이 작아짐에 따라 Vt의 산포 관리가 어려워지고 있습니다. 이는 Leakage Current를 증가시키고 Leakage 성 Fail에 의해 수율 저하로 이어지는 심각한 이슈를 야기합니다. Gate CD를 줄인다는 것은 반도체 소자를 미세화시키고 소형화하는 단계입니다. 그럼에도 불구하고..

2022. 5. 3. 19:40

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[이온주입 공정] 훈련 5 : 이온 분포, Doping Profile, 이온 정지 이론 (Nuclear Stopping & Electronic Stopping Mechanism)

여러분들 이온주입 공정 교육 잘 따라오고 계신가요. 포스팅을 진행할 때마다 각 파트별 썸네일 교관의 얼굴을 선택하는 것이 가장 어려운 것 같아요. 이온주입 공정 교관 얼굴은 참 순수해서 글을 작성할 때마다 미소가 절로 나네요ㅎ. [설명 1] 이온 정지에 대한 Mechanism에 대해서 설명하세요. 이온 정지 이론은 에너지를 갖는 Ion이 Solid Target으로 주입될 때 멈추게 되는 Mechanism으로 Nuclear Collision과 전자와의 쿨롱 상호작용에 의한 Electronic Stopping Mechanism으로 구분됩니다. 이온주입 이후 두 메커니즘에 의해 가속된 이온은 에너지를 잃고 특정 Depth에서 멈추게 됩니다. 첫 번째는 결정을 이루는 원자와 충돌하면서 이온의 에너지가 손실돼 정..

2022. 4. 28. 21:33

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[이온주입 공정] 훈련 3 : 이온주입 공정 설비에 대해서 설명해보세요

오늘은 본격적으로 Ion Implantation에 대해서 다루어보겠습니다. 오늘 다룰 내용은 Ion이 주입되는 과정과 설비에 대한 내용입니다. [질문 1] Ion Implant 공정 설비에 대해서 간략하게 설명해주세요. 이온주입공정 설비를 살펴보면 크게 Ion Source, Beam Line, End Station 3개의 영역으로 구분됩니다. 간략하게 설명드리자면, Ion Source 부에서는 Filament에 전류를 흘려주어 열전자를 방출시키고, 주입된 Dopant Gas와 충돌하여 Ion을 만들어냅니다. 이렇게 형성된 Ion은 Extraction Voltage와 Current를 조절하여 일정한 에너지를 가지는 Ion Source가 형성됩니다. 형성된 Ion Source는 Analyzer를 통해 원하는..

2022. 4. 18. 19:50