[식각공정] 훈련 1 : "Etching 공정, 용어정리"

초미세 공정이 도입됨에 따라 작은 domain 영역에서 소자구조는 더욱더 복잡해지고 있습니다. 복잡한 소자구조를 구현할 수 있는 이유는 바로 고도의 에칭기술 덕분이라고 생각합니다. ① Etch bias photo 공정을 통해 형성된 회로패턴이 식각과정을 거치면서 변화되는 것을 의미합니다. 패턴을 설계할 때 반드시 고려되어야 하는 사항입니다. 식각공정을 거친 후 선폭의 변화량을 측정한 것으로, Wb는 식각 전의 포토레지스트의 원래 선폭을 의미하며, Wa는 레지스트 제거 후 식각된 물질의 최종적인 선폭을 의미합니다. → Etch bias = Wb(photo dimension) - Wa (etch dimension) ② Overt etch & Undercut Over etch는 충분히 진행되어 원하는 두께나 ..