[식각공정] 훈련 8 : 이온 질량에 따른 RF Frequency가 미치는 영향

Etch 공정시 이온의 질량에 따라 RF Bias Frequency가 중요 인자로 작용합니다. 앞선 Conductor & Dielectric Etch 파트에서 다루었어야 했는데, 누락돼서 짧게 글을 올리는 점 양해부탁드립니다.[질문 1]. Etch 공정에서 RF Frequency가 미치는 영향에 대해서 설명해주세요.Etchant Gas가 주입되고 Plasma를 형성했을 때, 무거운 이온일수록 낮은 RF Frequency, 가벼운 이온일수록 높은 Frequency 조건에서 효율적인 Etching이 일어납니다. 무거운 이온일수록 높은 Frequency에서 반응속도가 낮습니다. 그래서 이온이 충분한 에너지를 가질 수 없기 때문에 낮은 Frequency에서 충분히 가속될 시간이 주어지면서 높은 이온에너지를 확보..