[반도체 소자] "Silicon on Insulator, SOI 기술에 대해서 설명하세요."

Off-state current를 억제하기 위한 여정을 달려왔습니다. [Background review] "gate oxide thickness가 얇아져야 하는 이유" Channel length, L가 짧아지면 depletion capacitance, Cdep가 증가합니다. Cdep이 증가하면, oxide capacitance, Cox에 인가되어야 하는 gate voltage가 분배되어 게이트 구동력이 저하됩니다. 게이트 구동력이 저하되면 leakage current가 증가하고, 이를 억제하기 위해 게이트 구동력을 향상시키기 위해 Cox를 높여야 합니다. Cox를 높이기 위해서 gate oxide thickness가 얇아져야 합니다. '무작정 숙지하는 것보다, 원인과 결과로 논리적으로 접근하시는 편이 좋..