[식각공정] 훈련 5 : Conductor & Dielectric Etch 방법 + ICP vs. CCP Type Plasma

미세 공정이 기업 경쟁력이 되면서 Etch 공정의 기술력이 정말 중요해지고 있습니다. 그 이유는 박막을 Etching 하기 위해서는 메커니즘, 설비 이슈 뿐 아니라 Target 박막에 대한 적절한 Chemistry가 있어야 하기 때문이죠. 오늘은 이 부분에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1]. Plasma Etch에 대해서 간략하게 설명해주세요 [복습] Plasma Etch는 화학적으로 반응성이 높은 Gas에 의해 표면의 원자가 휘발성ㄹ 화합물을 형성하면서 식각이 되는 방식입니다. 높은 Selectivity 특성을 가지지만 Etchant Gas의 조성이 화학적 반응성이 높을수록 등방성 식각 특성이 나타나 Undercut이 발생할 수 있기 때문에 이를 제어하기 위한 첨가가스가 요구됩니다. 간단하게..