[이온주입 공정] 훈련 8 : 이온주입 평가 방법, SIMS, 4-Probe

여러분들 오늘은 이온주입 공정 이후 평가에 대한 내용을 다루어보도록 하겠습니다. 합격하신 분들 모두 열심히 공부하셔서 K-반도체에 기여하는 인재가 되길 기원하겠습니다! [질문 1] 이온주입 공정 이후 평가 방법에 대해서 설명하세요. 이온주입 공정은 Dopant를 주입하여, Si Wafer의 전기적 특성을 가지도록 하기 위함입니다. 즉, 이온주입 공정이 끝나면 (후속 열처리 포함) 전기적 성질을 가지게 되고 우리는 원하는 Spec 내에 공정이 잘 진행되었는지 평가합니다. 대표적인 평가 방법은 확산층의 저항을 측정하는 4 Point Probe, Therma Wave, 이차 이온질량 분광법인 SIMS가 있습니다. 4-Point Probe는 간격이 일정한 Probe Tip 4개를 Wafer에 Contact 시켜..