[반도체 소자] "I-MOS, TFET, NC-FET, Suspended FET"

Short Channel Effect에 대한 정리가 마무리됐습니다. Short channel effect를 억제하기 위해 방법들이 머리속에 그려지시나요. 이제는 더이상 공정으로 억제하기 어렵다 보니 새로운 구조의 소자가 도입되었습니다. [지난 교육 review] 이전 교육에서는 반도체 소자의 dimension이 작아지면서 생기는 이슈에 대해서 다루어보았습니다. 그 중 subthreshold slope이 "60mV/decade"의 한계를 가진다는 것을 알고 계실 것입니다. 이 의미는 즉, Threshold voltage, Vt와 off state current (Ioff)와의 경쟁이라고 경쟁이라고 생각하시면 됩니다. 잠깐 요약하자면, Drain saturation current를 높이기 위해서는 thres..