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삼성전자 연구진이 자기저항메모리, Magnetroresistive Random Acess Memory, MRAM을 기반으로 한 In-memory 컴퓨팅을 세계 최초로 구현하고, 네이처 학술저널에 연구성과를 게재했습니다.
MRAM 기반 데이터 저장과 연산까지 수행하는 인메모리 컴퓨팅 구현
기존 컴퓨터는 데이터 저장을 담당하는 메모리 칩과 데이터의 연산을 책임지는 프로세서 칩이 따로 구분되어 동작합니다. 인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내에서 데이터의 저장 뿐만 아니라 데이터의 연산까지 수행하는 최첨담 칩 기술입니다. 메모리 내의 대량 정보를 이동없이 메모리 내에서 병렬로 연산하기 때문에 전력소모가 현저히 낮다는 장점이 있습니다. 그로 인해 차세대 저전력 인공지능 칩을 만드는 유력한 기술로 주목받고 있습니다.
- 저항메모리 Resitive RAM, RRAM과 위상변화메모리 Phase-change RAM, PRAM 등 비휘발성 메모리를 활용한 인-메모리 컴퓨팅의 구현은 수년간 전 세계적으로 관심이 높은 연구주제 였습니다.
- 하지만 비휘발성 메모리인 MRAM은 데이터 안정성이 높고 속도가 빠른 장점에도 불구하고, 저항값이 낮은 특성으로 인해 인-메모리 컴퓨팅에 적용한다해도 전력 이점이 높지 않다고 하여 인-메모리 컴퓨팅으로 구현되지 못했습니다.
- 삼성전자 연구진은 이러한 MRAM의 한계를 기존의 '전류 합산' 방식이 아닌 새로운 개념의 '저항 합산' 방식의 인-메모리 컴퓨팅 구조를 제안함으로써 저전력 설계에 성공했습니다. 연구진은 MRAM 기반 인-메모리 컴퓨팅 칩의 성능을 인공지능 계산에 응용해 숫자 분류에서는 최대 98%, 얼굴 검출에서는 93%의 정확도로 동작하는 것을 검증했습니다.
- 이번 연구는 시스템반도체 공정과 접목하여 대량생산이 가능한 비휘발성 메모리인 MRAM을 세계 최초로 인메모리 컴퓨팅으로 구현하고 차세대 저전력 인공지능 칩 기술의 지평을 확장했다는 의미를 가지고 있습니다. 새로운 구조의 MRAM 칩을 인-메모리 컴퓨팅으로 활용할 뿐 아니라 생물학적 신경망을 다운로드하는 뉴로모픽 플랫폼으로의 활용가능성도 제안되었습니다.
- 삼성전자는 초격차 메모리 기술 역량을 기반으로 시스템반도체와 접목시켜 차세대 컴퓨팅 및 인공지능 AI 반도체 분야에서 지속적으로 기술리더십을 확장해 나갈 계획입니다.
출처 : 삼성전자 반도체이야기
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