반도체 산업/시사
[반도체 시사] 초격차.. 삼성, 차세대 V-NAND 10세대 430단대 직행 검토
요약 기사 "속도내는 이재용 式초격차' 삼성, 차세대 V낸드 10세대 430단대 직행 검토" ■ 기사 주요 내용 삼성전자가 2030년까지 1,000단 V-NAND를 개발하겠다고 호언장담 했고, 현재 차세대 V낸드 Roadmap이 윤곽을 드러내고 있습니다. 최근 8세대 V-NAND(236단)의 양산을 시작한 가운데 9세대 V-NAND는 280단으로 알려져 있습니다. 삼성전자는 2025~2025년 양산 예정인 10세대 V-NAND의 경우 300단 대를 넘어 430단 대로 바로 직행하는 것을 검토중에 있습니다. 이재용 회장이 강조하는 '초격차 전략'의 실행속도가 더 빨라지고 있습니다. 2013년 세계 최초로 개발한 V-NAND는 수직으로 쌓아올린 평면 단의 3차원 간에 Hole을 뚫어 각 층을 연결하는 구조...
2023. 1. 4. 20:55
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