반도체 공정 검색 결과

7 개의 검색 결과가 있습니다.

★딴사관 서포터즈 기자단★

[#딴사관서포터즈] C&C 공정 - CMP편 : 공정 미세화에 따른 CMP 공정 중요성!

민지 기자님은 우리 딴사관 블로그 내용을 이해하기 쉽게 자기만의 방식으로 요약해서 교육생 분들이 조금 더 접근성이 쉬울 수 있게 도와주는 감사한 분입니다. 정말 감사드립니다.

2023. 6. 21. 09:06

[딴딴's 비밀노트] Threshold Voltage, Vth #1편 : 'Flat Band Voltage'

보호되어 있는 글입니다.

2022. 8. 23. 21:43

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[세정 공정] 훈련 1 : 세정 공정 - Cleaning 관련 용어

Cleaning 공정 요청이 생각보다 많아서 세정 공정에 대해서 다루어 보려고 합니다. 아무래도 세정공정은 화학 기반이다 보니 많이 어려웠습니다. 제가 물리 전공이다 보니 표현이 서툴 수 있다는 점 양해 바랍니다. 1. Deionized Water, (DI Water) 이온 교환 수지, Reverse Osmosis, RO (역삼투압), Ultra Filteration, UF 등의 고도처리 과정을 통해 물속의 이온성분, Particle, 박테리아, 미생물, 용존 가스 등을 제거한 고도로 정제된 물을 의미합니다. 특히 반도체 산업에서 Wafer의 생산 수율을 높이기 위해서 비저항이 18.2Mohm-cm, 이온 및 기타 수질 항목이 ppb 또는 ppt 단위 Level의 고순도로 생산된 초 순수 물을 DI Wa..

2022. 5. 30. 20:25

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[이온주입 공정] 훈련 6 : 격자 손상 & 결함 & Annealing [1/2]

Ion Implant 공정은 가속된 양이온이 격자와 충돌되면서 격자가 손상됩니다. 손상된 격자를 Curing하고, 주입된 이온을 Activation 시키기 위해서는 후속공정인 Annealing이 필수적입니다. 여러 Type의 Annealing 기술이 개발됐는데, 미세 트랜드에 따라 어떤 Annealing 기술이 적용되고 채택되었는지 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1] Ion Implant Damage 대해서 설명하세요. 에너지를 가진 이온들이 규칙적인 원자핵들과의 충돌, 전자와의 상호작용에 의해 정지하면서 격자 내부에 분포합니다. 이때, 원자핵 충돌에 의해 결정 격자 위치에서 벗어나 손상이 발생하는 '격자손상'(Lattice Damage), '격자 혼란(Lattice Disorder)'가 발생합니다. ..

2022. 5. 2. 23:06

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[이온주입 공정] 훈련 4 : 이온주입 공정의 변수, Ion Channeling, Shadowing Effect

이온주입 공정에서 정확한 Depth에 정확한 양의 Dopant를 주입하기 위해서는 어떤 제어가 필요한지, 주입된 이온의 분포가 어떤지에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. [설명 1] 이온주입 공정에서의 변수에 대해서 설명하세요. 이온주입 공정에서 엔지니어가 제어할 수 있는 변수는 크게 5가지로 설명드릴 수 있습니다. 첫 번째는 바로 Dopant Type입니다. 이온주입으로 불순물을 도핑할 때, p-type 반도체의 경우 Boron, n-type의 경우는 P, As를 선택할 수 있습니다. 그 중에서도 이온 질량을 계산하여 Dopant Source를 결정할 수 있습니다. 두 번째는 단위 면적당 단위 시간당 Doping 정도인 Dose 량입니다. 단위면적당 Wafer에 주입되는 이온의 개수를 의미하며 이온 수로..

2022. 4. 28. 20:22

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[이온주입 공정] 훈련 2 : Diffusion 과 Implant 공정의 차이에 대해서 설명하세요.

여러분들 이온공정 주입은 반도체 공정의 핵심이라고 할 수 있습니다. 기존에는 Diffusion 방식으로 이온을 주입했었는데, 집적도가 높아지고, 복잡한 구조의 미세공정 시대가 도래하면서 Diffusion을 활용한 이온주입 공정은 도태될 수밖에 없게 됐습니다. 오늘은 여기에 초점을 두고 교육을 진행하겠습니다. [질문 1] Diffusion을 통한 Doping에 대해서 설명하고 이슈에 대해서 설명해주세요. Thermal Diffusion은 과거의 불순물 주입 방법으로, 고온에서 Gas 혹은 Doping된 산화물 혼합소스를 이용하여 열확산에 의해 불순물이 주입됩니다. 이떄 Doping 영역이 아닌 부분은 Diffusion Barrier를 활용하여 선택적으로 주입할 수 있습니다. 그리고 Doping Profil..

2022. 4. 18. 19:02

반도체사관학교 훈련과정/반도체 전공정

[이온주입 공정] 훈련 1 : Ion Implant 공정에 대해서 설명하세요.

여러분들 이번 장 부터는 이온주입 공정에 대해서 다루어보겠습니다. 여러분들은 Si이 반도체 학문으로 다루어질 수 있었던 가장 큰 이유는 바로 Doping에 의한 전기적 특성을 변화할 수 있다는 점입니다. 저도 소재를 연구했지만, 항상 신소재를 연구하면 빠질 수 없는 것이 바로 Doping 특성을 확인한답니다. 특히 박막의 경우, Si의 PN Jucntion 처럼 P-type & N-type 구현이 가능하다면 새로운 학문으로 이어질 정도로 중요한 특성입니다. 특히 반도체 소자에서 Threshold Voltage를 Modulation 할 수 있는 핵심 공정인 Ion Implant 공정에 대해서 차근차근 준비해보도록 하겠습니다. [질문 1] Ion Implant 공정에 대해서 설명하세요. Implant 공정은..

2022. 4. 18. 17:49