반도체 산업/시사
[반도체 시사] 삼성전자, 세계 최초 '3D DRAM' 도전
제품 카테고리에서 DRAM을 다루면서 여러분들의 이해를 돕기 위해 3D DRAM 관련 기사를 공융해드립니다! 스태킹으로 日 꺾은 삼성전자, 세계 최초 '3D D램' 개발 도전 올해부터 3nm tech node를 적용하고 특히 GAA 기술을 함께 적용한다고 해서 삼성전자는 세계 반도체 업계의 큰 주목을 받고 있습니다. 여기서 말씀드리고 싶은 것은 이전 반도체 소자 교육에서 더이상 공정 미세화는 한계에 도달했고 tech node를 줄이는 것만으로는 큰 성능 향상의 제한이 있다고 말씀드렸습니다. 그래서 최근 삼성전자는 DRAM의 데이터 저장용량을 높이고, 데이터처리속도, 저전력 동작을 달성하기 위해 'Stacking'을 적용한다고 발표했습니다. 3D 낸드플래시와 마찬가지로 DRAM도 3D로 적층함으로써 메모리..
2022. 3. 2. 16:48
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