[질문 1] 2D DRAM과 3D DRAM의 차이점은 무엇인가요.2D DRAM과 3D DRAM은 1Tr. + 1Cap. 즉 Memory Cell의 모양에서 큰 차이가 있습니다. 기존에는 Plat한 Si Wafer 위에 전류를 제어하기 위한 Tr.을 배치하고, 이 전하의 저장 유무에 따라 Data를 나타내는 Capacitor가 위치했습니다. 3D DRAM의 경우 Transisto와 Capacitor를 가로로 눕혀서, 수직으로 적층시킨 구조입니다. 이러한 구조를 채택하면, EUV와 같은 초미세 공정을 활용하지 않아도 된다는 강점이 있습니다. 또한 Memory Cell 사이 공간이 여유롭기 떄문에, 인접 Cell 간 간섭도 최소화 시킬 수 있습니다. 2D DRAM의 최대 용량은 32GB으로, 수직 적층 구조의..
[요약] HBM 시장 1위, SK하이닉스 / 파운드리 1위 TSMC, 기술협력을 위한 MOU 체결 1. SK하이닉스가 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와 High Bandwidth (HBM) 기술 동맹을 맺었습니다. 현재 HBM 시장에서 독보적인 선두를 차지하고 있는 SK하이닉스는 차세대 제품에서도 기술 우위를 놓치지 않겠다는 의지입니다. 2. SK하이닉스는 TSMC와 협업하여 26년 양산 예정인 6세대 HBM4 개발 계획이며, TSMC와 기술적 협력을 통해 HBM 기술혁신을 이끌어내겠다며 선언하였습니다. 이어서, 고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 현 메모리 성능의 한계를 돌파할 것이라고 단언했습니다. SK하이닉스는 TSMC와 HBM의 최하단에 위치하는 베이스 다이의 성능을..
제가 너무 날로 먹는 것 같지만..ㅎ 민지 기자님이 보내주신 자료를 공부.. 아니 검토해서 여러분께 전달드리는 것입니다! 이해해주세요!
딴사관 서포터즈 2기 홍이 기자님 자료입니다ㅎ 메모리 관련 기사들을이 많이 보이네요ㅎㅎ 기사를 통해 혹은 전공역량을 통해 활발한 소통의 장을 만들어주시는 기자님들께 진심으로 감사드립니다!
딴사관 서포터즈 기자단 1기 마스코트인 김민지 기자님이 작성해주신 자료입니다. 아직 학부생임에도 불구하고 정말 열심히 공부하는 모습을 보면서 참 반성하게 되네요! 좋은 정보를 주신 김민지 기자님 감사드립니다!
삼성전자는 12nm DRAM 개발을 예정대로 진행중에 있으며, 선단 파운드리 공정 수율이 안정 궤도에 진입했다고 발표했습니다. 삼성전자, '반도체 위기설' : '문제 없다' 정면 대응 삼성전자가 메모리 및 파운드리 사업에 대한 시장의 세 가지 우려에 대해 '모두 문제 없다'라고 정면 대응했습니다. 선단 공정 개발과 수율 향상에 대해 차질없이 진행되고 있고, 주요 고객사의 수요 또한 견조하다는 주장입니다. 삼성전자는 DRAM 개발에서 1b 나노를 건너뛰고 1c로 갈 수 있다는 얘기가 나온다는 질문에 사실무근이라고 답변했습니다. (1b, 1c, 세대). 1b는 회로의 선폭을 12nm로 구현하는 선단 DRAM 공정입니다. 삼성전자가 기술 개발에 난항을 겪으면서 1b 개발을 건너뛰고 다음 세대인 1c DRAM을..
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