[반도체 시사] SK하이닉스, P램에 낸드기술 적용 '데이터센터 공약'

낸드와 D램의 장점을 결합한 차세대 메모리 기술이라고 합니다.

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SK하이닉스, P램에 4D 낸드 기술 적용 '데이터센터 공략'

SK하이닉스가 차세대 메모리인 상변화메모리, PRAM에 4D 낸드플래시와 동일한 Peri Under Cell, PUC 기술을 적용한다고 밝혔습니다. SK하이닉스는 낸드와 D램의 장점을 지닌 P램을 활용해 데이터센터 시장을 공략할 예정입니다. 지난해 11월 인텔이 SK하이닉스에게 낸드 사업 매각시 옵테인은 제외한 이유도 데이터센터 사업을 지속하기 위해서입니다. 옵테인은 P램 기술에 기반한 메모리입니다.  

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• P램에 PUC와 알고리즘을 적용해 성능과 비용 차원에서 스토리지 클래스 메모리 (SCM),의 요구사항을 모두 충족시켰습니다. P램 기술은 비용과 밀도, 메모리 용량면에서도 전보다 경쟁력을 갖추게 되어 데이터센터와 뉴로모픽 컴퓨팅의 메모리에 사용될 수 있습니다.
  
  
• SK하이닉스가 개발중인 P램은 PUC 방식을 사용해 메모리 용량을 대폭 늘릴 것으로 기대됩니다. PUC는 기존 셀 회로 옆에 위치했던 Peri. 회로를 셀 회로 하단부에 배치하는 방식입니다. 이는 칩 사이즈를 줄여주고 생산효율을 높일 수 있습니다. "P램은 10나노 공정 미만에서 저장 기반의 메모리보다 상대적으로 측면 스케일링 제한이 적고, 비정질 특성으로 인해 3D 구조로 손쉽게 적층 할 수 있습니다"라고 설명했습니다.
  
  
• P램은 PUC 뿐만 아니라 낸드플래시에서 활용중인 '더블스택(Double stack)' 기술도 적용됐습니다. 적층 수가 높아짐에 따라 셀 형성을 위한 구멍을 한 번에 뚫을 수가 없게 되면서 두 번에 걸쳐 뚫는 방식입니다. 셀을 이중으로 적층하게 되면 단위 당 셀면적을 줄이면서 읽기, 쓰기 성능을 높일 수 있게 됩니다. SK하이닉스는 향후 P램이 4스택, 6스택 기술로 확장될 것으로 전망했습니다.
  
  
• "적층기술을 P램에 적용하면 비트 수 증가, 프로세서 비용 절감, 성능 향상 등의 이점이 있습니다. 데이터 중심 컴퓨팅 시대의 전반적인 시스템의 성능 향상에 크게 기여할 것입니다." P램은 기존 낸드보다 응답속도가 빠르면서, D램과 달리 주기적으로 전류를 공급하지 않아도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리입니다. 전력량에 따라 '결정, 비결정' 상태로 바뀌는 물질을 활용해 데이터를 처리하고 저장합니다. 반면, 저항이 높고 열 간섭 문제가 발생한다는 이슈가 존재합니다. 

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출처 : 전자부품 전문미디어 디일렉

 

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