Basic 01. Deposition 용어 정리
- Q1. Aspect Ratio에 대해서 설명해주세요.
- Q2. Step Coverage에 대해서 설명해주세요.
- Q3. Step Coverage에 영향을 미치는 요인에 대해서 설명해주세요.
- Q4. Sticking Coefficient 함수에 대해서 설명해보세요.
- Q5. Step Coverage와 공정 압력 간의 관계에 대해서 설명해보세요.
- Q6. 박막의 Stress에 대해서 설명해주세요.
- Q7. Deposition Rate에 대해서 설명해주세요.
[증착공정] 훈련 1 : "Deposition 용어 정리"
반도체 전공정에서 가장 높은 기술력을 요구하는 Deposition, 증착 공정에 대한 교육을 시작하겠습니다. [질문 1]. Aspect ratio 에 대해서 설명해주세요. Aspect ratio는 박막이 특정 단차를 가지는 profile
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Basic 02. Chemical Vapor Deposition, CVD
- Q1. Chemical Vapor Depostiion, CVD 공정에 대해서 설명하세요.
- Q2. CVD 공정이 반도체 산업에서 많이 사용되는 이유에 대해서 설명해주세요.
- Q3. CVD 공정의 장단점은 무엇이죠.
- Q4. CVD 공정의 박막 성장 Mechanism에 대해서 설명해주세요.
- Q5. CVD 공정의 박막 증착 시 영향을 끼치는 주요 공정변수에 대해서 설명해주세요.
[증착공정] 훈련 2 : "Chemical Vapor Deposition, CVD에 대해서 설명하세요"
이번 장부터는 CVD에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1]. Chemical Vapor Deposition, CVD 에 대해서 설명해주세요. CVD는 Chemical Vapor Deposition으로, 형성하고자 하는 박막의 구성성분을 가진 기상 상
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Basic 03. APCVD, LPCVD 공정
- Q1. CVD 종류를 구분하여 설명해주세요.
- Q2. APCVD 공정 Mechanism에 대해서 설명해주세요.
- Q3. Phosphorsilicate Glass (PSG)가 무엇인지 알고 있나요.
- Q4. LPCVD 공정에 대해서 설명해주세요.
[증착공정] 훈련 3 : "APCVD, LPCVD에 대해서 설명하세요"
이번 장에서는 CVD의 종류에 대해서 설명드리겠습니다. deposition 공정이 미세화 트랜드에 따라서 어떤 이슈가 발생했고 이슈를 트러블 슈팅했는지 흐름을 생각하면서 보시면 좋을 것 같습니다. [
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Basic 04. PECVD, HDPCVD 공정
- Q1. Plasma Enhanced CVD, PECVD에 대해서 설명해주세요.
- Q2. Plasma에 대해서 설명해주세요.
- Q3. PECVD와 LPCVD 차이에 대해서 설명해주세요.
- Q4. Plasma Damage에 대해서 설명하고, PECVD가 LPCVD 대비 강점인 부분에 대해서 설명해주세요.
- Q5. High Density Plasma CVD, HPCVD 공정에 대해서 설명해주세요.
- Q6. HDPCVD 공정이 기존 PECVD 대비 Step Coverage 특성을 개선시킬 수 있었던 이유에 대해서 설명하세요.
- Q7. CCP type 과 ICP type Plasma Source 차이에 대해서 설명해주세요.
- Q8. PECVD도 저압에서 Plasma Power를 높여서 Plasma Density를 높일 수 있는 것 아닌가요?
- Q9. HDPCVD 공정의 주요 이슈는 무엇이 있나요.
- Q10. Plasma Source type에 따른 Wafer Uniformity에 끼치는 영향에 대해서 설명해주세요.
[증착공정] 훈련 4 : "PECVD, HDPCVD에 대해서 설명하세요"
저번 장에서는 LPCVD에 대해서 알아보았습니다. LPCVD가 왜 저압으로 가게 되었는지, 그리고 고온공정이 되었는지에 대해서 알아보았습니다. 이번에는 플라즈마를 에너지원으로 한 PECVD에 대해서
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Basic 05. CVD 공정 Roadmap
[증착공정] 훈련 5 : "Evolution of Chemical Vapor Deposition, CVD"
이번 장에서는 증착공정의 기술발전 history에 대해서 간략하게 교육하는 시간을 가져보겠습니다. 각 공정마다 어떤 이슈가 발생했고 상응하는 솔루션이 무엇인지 논리를 갖추는 것이 중요합니
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Basic 06. MOCVD 공정
- Q1. Metal Organic CVD, MOCVD 공정에 대해서 설명해주세요.
- Q2. MOCVD 공정의 장단점에 대해서 설명해주시죠.
- Q3. MOCVD 공정의 증착 메커니즘에 대해서 설명해주세요.
- Q4. MOCVD 공정이 2가지 Step으로 이루어져 있는데, Plasma 처리를 해주는 이유를 설명해주세요.
- Q5. MOCVD로 증착하는 주요 Target 박막은 무엇인가요.
- Q6. MOCVD 공정의 비전에 대해서 설명해주세요.
- Q7. MOCVD 설비의 주요 구성에 대해서 알고 있나요.
[증착공정] 훈련 6 : "MOCVD에 대해서 설명하세요."
CVD는 보통 산화막을 증착합니다. 이때 성장한 산화막은 gate oxide로도 사용되며, PECVD와 같이 저온공정으로 성장된 산화막은 passivation layer, diffusion blocking layer, ILD, IMD 와 같은 용도로 사용됩니다.
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Basic 07. Atomic Layer Deposition, ALD 공
- Q1. ALD 공정에 대해서 설명해주세요.
- Q2. ALD 공정의 장점과 증착 메커니즘을 설명해주세요.
- Q3. CVD와 ALD 공정의 주요 차이점에 대해서 설명해주세요.
- Q4. 자기포화반응 (Self-Saturated Reaction) or 자기제어반응 (Self-limited Reaction)에 대해서 설명해주세요.
- Q5. ALD 박막 최적화를 위한 ALD Window에 대해서 설명해주세요.
[증착공정] 훈련 8 : "Atomic Layer Deposition, ALD에 대해서 설명하세요"
드디어, Atomic Layer Deposition, ALD 까지 왔습니다. ALD 장비를 이해하면 왜 ALD 장비가 EUV와 함께 미세화 트랜드에 반드시 필요한 공정인지 알 수 있을 것입니다. [질문 1]. Atomic Layer Deposition, ALD 에 대해
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- Q6. ALD도 CVD와 마찬가지로 Precursor와 Reactant Gas를 주입하는데, 증착 메커니즘 상 어떤 차이를 가지죠.
- Q7. ALD의 공정이슈와 개선사항에 대해서 설명해주세요.
- Q8. 시공간 분할 ALD에 대해서 설명해주세요.
- Q9. 미세공정에서 ALD의 필요성에 대해서 설명해주세요.
- Q10. ALD가 GAA 공정에서 중요한 이유에 대해서 설명해주세요.
- Q11. ALD 공정은 주로 어떤 용도의 박막을 증착하는지 설명해주세요.
- Q12. Plasma Enhanced ALD, PEALD에 대해서 설명해주세요.
[증착공정] 훈련 9 : "미세공정에 따른 ALD 추가 직무면접"
미세화 트랜드에 따라 ALD의 비중은 점점 더 중요해지고 있습니다. ALD와 관련된 예상질문들을 정리해보았습니다. [질문 1]. 가볍게 'ALD'에 대해서 설명해주세요. ALD는 Atomic Layer Deposition으로 원자
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Basic 08. PVD 공정
- Q1. PVD 공정에 대해서 설명해주세요.
- Q2. PVD 공정의 종류에 대햇 알고 있나요.
- Q3. Thermal Evaporation의 원리에 대해서 설명해주세요.
- Q4. Mean Free Path와 Vacuum 관계애 대해서 설명해주세요.
- Q5. E-beam Evaporation의 증착 원리를 설명해주세요.
- Q6. Evaporation 공정의 장단점은 무엇이죠.
- Q7. Evaporation 공정은 보통 어느 공정에서 사용되죠.
[증착공정] 훈련 10 : "PVD 공정에 대해서 설명하세요"
이번 교육에서는 PVD에 대해 다루어보도록 하겠습니다. 특히 Sputter의 경우 plasma가 활용되기 때문에 plasma에 대해서 심도있게 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1]. PVD 공정에 대해서 설명해주세요.
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Basic 09. Plasma - Debye Length
- Q1. Debye Shielding에 대해서 설명해주세요. (디바이 차폐)
- Q2. 디바이 차폐는 반도체 공정에서 어떻게 적용할 수 있을까요.
- Q3. Plasma를 디바이 차폐를 가지고 설명해주세요.
[증착공정] 훈련 11 : "Debye length에 대해서 설명하세요"
오늘은 Metalization 공정에서 사용되는 Sputter 공정에 대해서 알아보기 전에 디바이 차폐에 대해서 설명드리겠습니다. 물리적인 이야기이니, 가볍게 보시고 넘어가셔도 좋습니다. [질문 1]. 디바이
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Basic 10. Plasma - 파센 법칙 (Paschen's Law)
- Q1. 파센법칙을 설명해주실 수 있을까요.
- Q2. 전극간 거리가 가까우거나 멀 경우 발생하는 현상에 대해서 설명해주세요.
- Q3. Glow Discharge를 가지고 Plasma 발생 원리를 설명해주세요.
- Q4. DC Sputter 공정 시 Plasma Power를 무작정 높이면 안 되는 이유는 무엇이죠.
- Q5. DC Sputter 공정 시 설비 관점 이슈에 대해서 설명해주세요.
[증착공정] 훈련 12 : "플라즈마와 파센 법칙, Paschen's Law"
플라즈마는 PVD, CVD, Etch 등 정말 다양한 반도체 공정에서 사용됩니다. 플라즈마가 사용되는 공정은 항상 플라즈마의 '형성'과 '유지'가 매우 중요합니다. 오늘은 플라즈마 형성과 유지와 관련된
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Basic 11. DC Sputter : 음극전압 강하 (Sheath)
- Q1. DC Sputter 공정의 증착 메커니즘을 설명해주세요.
- Q2. DC Plasma Sheath 영역에 대해서 설명해주세요.
- Q3. Sheath 영역이 생기는 물리적인 이유는 무엇이죠.
- Q4. Plasma Potential과 Floating Potential은 무엇이죠.
- Q5. Plasma는 중성이라고 말씀하셨는데, 전극이나 기판 부근에 전위차는 무엇 때문에 생기는 것이죠.
[증착공정] 훈련 : 13 "DC Sputter, 음극전압강하, sheath 영역에 대해서 설명해보세요"
PVD는 CVD와 달리 화학적 반응을 수반하지 않기 때문에, 정말 물리적인 내용으로 접근할 수 있어서 마음이 편하네요. 재료 쪽으로 연구를 해도 멀게만 느껴지는 화학.. [질문 1]. DC Sputter에 박막 증
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- Q6. DC Sputter 공정의 공정이슈에 대해서 설명하세요.
- Q7. Plasma가 집단적 거동을 보이는 물리적 원리를 설명해주세요.
- Q8. DC Sputter에서 부도체 Target 박막을 증착할 수 없는 이유는요?
[증착공정] 훈련 : 14 "DC Plasma는 부도체 전극에서 플라즈마를 유지할 수 없는 건지, 플라즈마의 col
지난 교육에서는 DC Plasma에 대해서 알아보았습니다. DC Plasma는 여러분들도 아시다시피 세라믹이나 비금속 등의 부도체 전극에서는 플라즈마를 유지할 수 없습니다. 그 이유에 대해서 알아보겠습
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Basic 12. RF Plasma : 자기바이어스 효과 (Self Bias Effect)
- Q1. RF Plasma와 DC Plasma 공정의 차이에 대해서 설명해주세요.
- Q2. RF Plasma 방전에 사용되는 주파수 크기는 어느 정도 수준이죠.
- Q3. Self Bias Effect에 대해서 설명해주세요.
- Q4. 자기바이어스 효과에 영향을 미치는 공정 변수에 대해서 설명하세요.
[증착공정] 훈련 : 15 "RF Plasma, 자기바이어스효과에 대해서 설명하세요"
지난 교육에서는 DC Plasma에 대해서 알아보았습니다. 이번 장에서는 RF Plasma에 대해서 심도있게 다루어보도록 하겠습니다. 출발! [질문 1]. RF Sputter 공정에 대해서 설명하세요. DC 직류 전압을 사용
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- Q5. 전극 면적에 따른 자기바이어스 효과에 대해서 알고 있나요.
- Q6. Blocking Capacitor의 역할에 대해서 설명하세요.
- Q7. Blocking Capacitor 없이 양 전극에 서로 다른 극성의 RF 교류 전압을 인가하면 안 되나요?
[증착공정] 훈련 : 16 "전극 면적에 따른 자기바이어스효과, 中"
지난 교육에서는 RF Plasma에서 플라즈마를 형성하고 유지할 수 있게 하는 Self bias effect에 대해서 알아보았습니다. 자기바이어스 효과는 전극 면적과도 밀접한 관계가 있습니다. 오늘 이 시간 주제
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- Q8. Sputtering 공정에서 Sheath 역할의 중요성에 대해서 설명하세요.
- Q9. Cathode 대비 Anode의 면적이 더 작으면 공정이 어떻게 되죠.
- Q10. 그럼 RF Plasma에서 Cathode와 Anode 면적이 동일하면요?
- Q11. Cathode 면적이 Anode 면적보다 작아야만 공정이 이루어진다는 것이죠?. 물리적 메커니즘을 설명해주세요.
- Q12. Sheath 영역은 Cathode와 Anode 쪽 어디 쪽에 형성되죠?
[증착공정] 훈련 17 : "전극면적에 따른 자기바이어스 효과, 完"
오늘 RF Plasma 마지막 교육을 시작하겠습니다. DC Plasma와 달리 RF Plasma는 전극면적이 매우 중요하다고 했습니다. 오늘 마무리 교육에서 심도있게 다루어보도록 하겠습니다. [질문 1]. Sputtering 공정
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Basic 13. Reactive Sputtering 공정
- Q1. Reactive Sputtering 공정 개념에 대해서 설명해주세요.
- Q2. Reactive Sputtering 공정 변수에 대해서 알고 있나요.
- Q3. Gas 분압은 어떻게 제어하죠?
[증착공정] 훈련 18 : "반응성 스퍼터링 (Reactive sputtering)에 대해서 설명하세요"
DC Sputter는 세라믹이나 비금속과 같은 부도체 소스타켓을 사용할 수 없다고 말씀드렸습니다. 하지만 Reactive sputtering을 이용하면 DC Plasma를 활용해서 부도체 박막을 형성할 수 있는 방법이 있습니
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