Plasma 기출 및 예상질문 (PT면접)Q1. Plasma 주제를 선택하셨네요. Plasma에 관해서 간략하게 정의해주세요.Q2. Plasma를 구성 입자들의 집합체라고 하셨는데, 그 구성입자들의 특징에 대해서 설명해주세요.Q3. Plasma의 생성 Mechanism에 대해서 설명해주세요.Q4. 전공이 물리학이시니, 파센 법칙(Paschen's Law)과 Plasma 관계를 설명해주세요.Q5. 판서를 활용하셔도 좋으니, 파센 커브를 그려보시고 그래프를 해석해주세요.Q6. 이온화 에너지 이상의 크기가 전달되어야만 Plasma가 발생한다는 말씀인데, 그럼 이온화 에너지 이하의 에너지가 인가되면 내부에서는 무슨 일이 벌어지나요? [딴딴's 속성과외] #1편, "플라즈마, 3편으로 끝낸다." #Plasma ..
[면접관 Q1.] 금속 배선 공정에 대해서 설명해주세요.금속배선은 IC 내 수없이 많은 소자의 전원 공급과 전기적 Signal 전달, IC Chip Packaging 등 외부 Module과 Chip을 연결할 때 주로 사용됩니다. 금속공정은 일반적으로 PVD(Physical Vapor Deposition) 공정을 통해 증착하며, Contact/Via Hole, Barrier Metal의 경우 Step Coverage구 우수한 CVD를 이용하여 증착합니다. [면접관 Q2.] Metal 공정을 지원하셨다면, Plasma에 대해 이해도가 높을 것이라고 생각됩니다. 간략하게 설명해주시겠어요.Plasma는 이온화된 기체로서 양이온과 자유전자 그리고 중성종인 Radical로 구성되어 있습니다. 글로우 방전으로 인해..
오늘은 Plasma 편 마지막입니다! PT발표가 중요해진 만큼, 세부적인 것 하나 하나까지 모두 챙기시길 바라겠습니다. [질문 1] Plasma의 Potential 분포를 그림으로 그리고, Sheath 영역을 이용하여 Plasma의 생성 메커니즘을 설명해주세요. Sheath 영역은 Plasma 생성 메커니즘 상에서 자유전자와 양이온의 질량 차이에 따른 Mobility차이로 인해 생성되는 영역입니다. 자유전자보다 무거운 양이온이 축적되는 공간전하 영역이 형성되고, 음극 부근에서 급격한 전압강하가 일어나게 됩니다. (Sheath Voltage라고 함). 양이온이 Sheath 영역에 들어서게 되면 높은 전위차(Sheath Voltage)로 인해 Cathode로 가속되고 충돌 이후 2차전자를 발생시키게 됩니다...
지난번에 이어서 오늘은 Plasma의 종류에 대해서 간략하게 정리하는 시간 갖도록 하겠습니다. [질문1] Plasma의 생성에 대해서는 충분히 잘 들었습니다. 반대로, Plasma의 소멸에 대해서도 설명하실 수 있나요.Plasma의 발생 원리도 중요하지만, Plasma의 Density와 생성된 Plasma를 유지하기 위해서는 Plasma의 소멸 메커니즘에 대한 이해도 중요합니다. 일반적으로 Plasma의 소멸은 양이온의 중성화, 전자의 Loss로 설명할 수 있습니다. Plasma 내 양이온은 Cathode와 충돌했을 때, 혹은 Chamber 외부에서 Recombination이 일어나면서 중성기체로 돌아가게 되죠. 전자의 경우, 양이온과 충돌하지 못 하게 되면 Anode로 들어가면서 전자 Loss가 발생하..
최근 면접에서, PT 문제풀이가 부활하게 되면서 Knowledge Base를 깊게 검증하는 방식이 추가되었습니다. 특히 전공에 따라서 공정기술 엔지니어 직무 지원자들에게 물리화학적인 배경지식을 요구하기에, 문제 맛집인 Plasma에 대한 Keyword를 다루어보았습니다. [질문 1] Plasma 문제를 선택하셨네요. Plasma에 대해서 정의해주세요. Plasma는 물질의 제4의 상태라고 정의하며, 전기적으로 중성을 갖는 일반적인 기체분자가 전기에너지 혹은 열에너지를 받아 이온과 전자로 분리되어 있는 상태를 말합니다. 다시 말해, 외부에 고에너지가 인가되면 원자들 간의 충돌로 인해 수많은 전자들이 원자핵의 구속으로부터 벗어나게 되면서 플라즈마를 구성하는 여러 입자들의 집합체를 이루는 상태를 바로 Plas..
Wet etching 습식식각 방식은 세정이나 에싱 공정 분야로 발전했습니다. 반도체 회로 패턴을 구현하기 위해서 Plasma를 이용한 Dry etching 건식식각이 주류로 자리를 잡았습니다. 오늘은 패턴을 형성하기 위한 Dry etching에 대해서 설명해보겠습니다. [질문 1]. Dry etching 건식식각에 대해서 설명해주세요. 포토공정에서 Photoresist 유기막은 하부막의 식각을 위한 마스크 layer로 활용됩니다. 반도체 적층구조에서 대부분의 박막들은 비정질이나 다결정 상태입니다. (대표적인 단결정은 Si wafer) 박막이 다결정이다 보니, Wet etching 시 등방성 etch profile 특성을 가지기 때문에 미세패턴 구현에 큰 제한이 있습니다. 그래서 Dry etching이 ..
지난 교육에서는 DC Plasma에 대해서 알아보았습니다. 이번 장에서는 RF Plasma에 대해서 심도있게 다루어보도록 하겠습니다. 출발! [질문 1]. RF Sputter 공정에 대해서 설명하세요. DC 직류 전압을 사용하는 DC Plasma와 달리 RF Plasma는 고주파의 교류전압을 사용하여 글로우방전을 일으킵니다. RF 고주파수 교류전압을 사용하는 이유는 DC Plasma에서 세라믹이나 비금속 등의 부도체 전극을 사용할 경우 플라즈마를 지속적으로 형성하고 유지할 수 없는 이슈가 발생했기 때문입니다. RF Plasma는 전극의 종류에 상관없이 방전을 일으킬 수 있습니다. 이는 전극의 극성을 빠르게 바꿔줌으로써 전극표면에 양이온이 축적되는 것을 방지할 수 있기 때문에 방전을 지속시킬 수 있게 됩니..
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