반도체 산업/시사
[반도체 시사] 램리서치, 삼성 3nm GAA 정에 최첨단 식각장비 공급
램리서치 사는 증착이랑 에치공정에 기술력은 정점이라는 생각이 드네요. 램리서치, 삼성 3nm GAA 공정에 최첨단 식각장비 공급 22년 하반기 삼성전자는 3nm tech node에 Gate-All-Around, GAA 기술을 적용시킨다고 발표했습니다. 경쟁사인 TSMC는 3nm까지는 FinFET을 적용시키고 2nm 노드부터 nanosheet 기반의 GAA 기술을 적용한다고 발표했습니다. 그래서 이번 삼성전자의 3nm GAA 기술은 최초로 3nm 노드에 초미세 선폭의 GAA 기술을 도입시키기 때문에 글로벌 반도체 업계에서 이목을 집중하고 있습니다. 특히, 소자 dimension이 작아지면서 작은 면적에 기능성 박막과 복잡한 profile을 구현하기 위해서는 고도화된 etching 기술력이 요구됩니다. 이번..
2022. 2. 11. 16:42
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