Hot carrier 검색 결과

2 개의 검색 결과가 있습니다.

반도체사관학교 훈련과정/반도체 소자

[딴딴's 비밀노트] MOSFET 소자 신뢰성 이슈 메커니즘 -END-, 소자 열화 Mechanism #Gate Induced Drain Leakage (GIDL), #Hot Carrier Effect, #Negative Bias Thermal Instability (NBTI)

여러분들 오늘은 소자 신뢰성을 열화시키는 이슈의 Mechanism 마지막 시간입니다. 실제로 여러분들이 모두 알고 계시는 DIBL에 의한 Vth Lowering 역시 시간이 지남에 따라 Vth의 Variation이 증가하면서 소자 신뢰성을 떨어트리는 신뢰성 저하 Mechanism 중에 하나죠. 오늘 이야기할 주제는 바로 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) + Hot Carrier Injection (HCI) + Negative Bias Thermal Instability (NBTI) 입니다. [질문 1] Gate Induced Drain Leakage (GIDL) Mechanism에 대해서 설명해주세요. GIDL은 Gate Induced Drain Leakage를 의미합니다. G..

2024. 2. 27. 01:54

반도체사관학교 훈련과정/반도체 소자

[반도체 소자] : [Short Channel Effect #4] "GIDL / Hot carrier injection에 대해서 설명하세요"

GIDL은 Gate Induced Drain Leakage, 게이트 전압에 의한 누설전류에 관한 현상입니다. 질문 1]. Gate Induced Drain Leakage, GIDL에 대해서 설명해보세요. Keyword : [Short channel effect, depletion region, GIDL, tunneling, hot carrier, spacer, LDD] GIDL은 Gate Induced Drain Leakage로 gate oxide thickness가 얇아짐에 따라 gate voltage에 의해 형성된 강한 전계에 의해 drain 쪽으로 터널링에 의한 누설전류가 발생하는 현상입니다. gate oxide의 정전용량을 키우기 위해서 oxide thickness는 계속적으로 얇아지고 있습니다...

2022. 2. 4. 17:23