Short Channel Effect 검색 결과

10 개의 검색 결과가 있습니다.

[딴딴's 비밀노트] Threshold Voltage, Vth #1편 : 'Flat Band Voltage'

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2022. 8. 23. 21:43

반도체사관학교 훈련과정/반도체 물리 및 소재

[반도체 소재] "High-k / Low-k 소재에 대해서 설명하세요"

여러분들 반도체 소자 카테고리에서 High-k 소재에 대해서 배우셨습니다. 정전용량을 높이기 위해서 High-k 소재가 도입되었는데, 오늘은 그 High-k 소재의 특성에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. 그리고 반도체 공정에서 Low-k 소재도 매우 중요합니다. 함께 다루어보겠습니다. [질문 1]. High-k 소재가 도입된 이유에 대해서 설명하세요. High-k 소재의 도입은 집적도를 높이는 데에서 시작합니다. 소자 Dimension이 미세화되면서 Subthreshold leakage current를 억제하기 위해 gate oxide thickness가 점점 얇아졌습니다. oxide thickness를 줄이는데 한계에 봉착하게 되면서 High-k 소재가 도입되었습니다. Transistor의 크기가 작아..

2022. 3. 6. 18:37

[반도체 소자] 3D MOSFET의 진화, Gate-All-Around / 차세대 소자

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2022. 2. 8. 16:06

반도체사관학교 훈련과정/반도체 소자

[반도체 소자] "Silicon on Insulator, SOI 기술에 대해서 설명하세요."

Off-state current를 억제하기 위한 여정을 달려왔습니다. [Background review] "gate oxide thickness가 얇아져야 하는 이유" Channel length, L가 짧아지면 depletion capacitance, Cdep가 증가합니다. Cdep이 증가하면, oxide capacitance, Cox에 인가되어야 하는 gate voltage가 분배되어 게이트 구동력이 저하됩니다. 게이트 구동력이 저하되면 leakage current가 증가하고, 이를 억제하기 위해 게이트 구동력을 향상시키기 위해 Cox를 높여야 합니다. Cox를 높이기 위해서 gate oxide thickness가 얇아져야 합니다. '무작정 숙지하는 것보다, 원인과 결과로 논리적으로 접근하시는 편이 좋..

2022. 2. 7. 18:08

반도체사관학교 훈련과정/반도체 소자

[반도체 소자] "I-MOS, TFET, NC-FET, Suspended FET"

Short Channel Effect에 대한 정리가 마무리됐습니다. Short channel effect를 억제하기 위해 방법들이 머리속에 그려지시나요. 이제는 더이상 공정으로 억제하기 어렵다 보니 새로운 구조의 소자가 도입되었습니다. [지난 교육 review] 이전 교육에서는 반도체 소자의 dimension이 작아지면서 생기는 이슈에 대해서 다루어보았습니다. 그 중 subthreshold slope이 "60mV/decade"의 한계를 가진다는 것을 알고 계실 것입니다. 이 의미는 즉, Threshold voltage, Vt와 off state current (Ioff)와의 경쟁이라고 경쟁이라고 생각하시면 됩니다. 잠깐 요약하자면, Drain saturation current를 높이기 위해서는 thres..

2022. 2. 7. 17:44

반도체사관학교 훈련과정/반도체 소자

[반도체 소자] : [Short Channel Effect #6] "심화내용, Channel length Effects"

지난 교육에서 body doping profile에 따른 threshold voltage, Vt에 끼치는 영향에 대해서 배웠습니다. Short channel effect 에서 정말 중요한 내용이니 꼭 본인 것으로 만드시길 바랍니다. 이상. 1. Short Channel Effect Short channel effect는 channel length, L의 감소하면서 threshold voltage가 감소하는 현상을 의미합니다. 앞선 교육에서 threshold voltage가 작아지는 이유를 source/drain 부근의 depletion region 내 전하의 charge sharing으로 gate oxide 아래에 depletion region의 width를 maximum, Wdmax 도달하는 것을 도와..

2022. 2. 5. 22:52

반도체사관학교 훈련과정/반도체 소자

[반도체 소자] : [Short Channel Effect #5] "심화내용, body doping effect"

금일 교육에서는 Short Channel Effect, SCE의 심화적인 내용을 다루도록 하겠습니다. 반도체 소자의 dimension이 작아지면서 생기는 Channel length effect에 대해서 다루도록하겠습니다. Channel length가 짧아지면서 반도체 소자에는 Subthreshold current를 증가시키고, 이는 반도체 소자의 성능과 신뢰성 저하를 야기합니다. Subthreshold leakage의 원인은 다양한 short channel effect들이 존재하지만, 모두 threshold voltage, Vt와 직접적인 연관이 있다고 보면 됩니다. threshold voltage가 작아지면서, on/off 동작이 불가능해지고, 이는 gate 구동력이 낮아지기 때문입니다. 이번 장에서는..

2022. 2. 5. 22:09