[반도체 시사] 초격차.. 삼성, 차세대 V-NAND 10세대 430단대 직행 검토

요약 기사
"속도내는 이재용 式초격차' 삼성, 차세대 V낸드 10세대 430단대 직행 검토"

---

■ 기사 주요 내용

삼성전자가 2030년까지 1,000단 V-NAND를 개발하겠다고 호언장담 했고, 현재 차세대 V낸드 Roadmap이 윤곽을 드러내고 있습니다. 최근 8세대 V-NAND(236단)의 양산을 시작한 가운데 9세대 V-NAND는 280단으로 알려져 있습니다. 삼성전자는 2025~2025년 양산 예정인 10세대 V-NAND의 경우 300단 대를 넘어 430단 대로 바로 직행하는 것을 검토중에 있습니다. 이재용 회장이 강조하는 '초격차 전략'의 실행속도가 더 빨라지고 있습니다.

• 2013년 세계 최초로 개발한 V-NAND는 수직으로 쌓아올린 평면 단의 3차원 간에 Hole을 뚫어 각 층을 연결하는 구조.
• 2013년 등장한 1세대 V-NAND의 단수는 24단이며, 2세대 (32단), 3세대 (48단), 4세대 (64단), 5세대 (92단), 6세대 (128단)으로 적층 단수를 키움으로써 메모리 용량을 극대화 시킴.
• 지난해 1년 6개월 간 176단의 7세대 V-NAND 제품을 양산하기 시작.
• 7세대 V-NAND의 경우, 이전 세대와 달리 Single-Stack에서 Double-Stack으로 전환한 공정이 최초로 적용.
• Single-Stack의 경우 최상단과 최하단 Cell을 하나의 Hole을 뚫어 연결한 공정이고, Double-Stack의 경우 Signle-Stack 두 개를 묶는 기술로, Cell을 묶는 Hole이 적을수록 Data 손실이 적고 전송속도가 빠름.
• Single-Stack의 경우 적층할 수 있는 단수의 한계. (최상단에서 최하단까지 Hole을 뚫는 기술의 한계)
• 세대가 지남에 따라 8의 배수로 적층단수가 증가했으나, 2년 뒤에 양산 계획인 9세대 V-NAND의 경우 280단으로 추정.
• 8의 배수로 단수가 증가했던 이유는 Memory 용량이 바이트 (Byte) 단위이기에, 1Byte는 8Bit이기 때문임. 하지만 최근에는 공정 기술이 다양해지면서 8의 배수 단수 적용을 할 필요가 없어졌음.
• 기존 Single-Stack에서 Double-Stack 공정기술의 도약이 있었다면, 10세대 부터 300단 이상의 Stack의 경우 Triple-Stack 기술이 적용될 것이라는 전망.
• V-NAND의 경쟁력은 같은 단수이더라도, 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력. 따라서 어떻게 쌓아올리는지가 공정기술의 핵심 타겟이 될 것임.

▼▼▼참고 기사▼▼▼

속도내는 '이재용式 초격차'...삼성, 차세대 V낸드 10세대 430단대 직행 검토 - 전자부품 전문 미디