반도체사관학교 훈련과정/반도체 소자
[반도체 소자] : [Short Channel Effect #4] "GIDL / Hot carrier injection에 대해서 설명하세요"
GIDL은 Gate Induced Drain Leakage, 게이트 전압에 의한 누설전류에 관한 현상입니다. 질문 1]. Gate Induced Drain Leakage, GIDL에 대해서 설명해보세요. Keyword : [Short channel effect, depletion region, GIDL, tunneling, hot carrier, spacer, LDD] GIDL은 Gate Induced Drain Leakage로 gate oxide thickness가 얇아짐에 따라 gate voltage에 의해 형성된 강한 전계에 의해 drain 쪽으로 터널링에 의한 누설전류가 발생하는 현상입니다. gate oxide의 정전용량을 키우기 위해서 oxide thickness는 계속적으로 얇아지고 있습니다...
2022. 2. 4. 17:23
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