Basic 1. ArF-immersion, DPT, QPTQ1. ArF-immersion 공정에 대해서 설명하세요.Q2. 물을 매질로 사용하면 어떤 효과가 있는지 설명해보세요.Q3. ArF-i 공정에서 Resolution이 향상되는 메커니즘에 대해서 설명하세요.Q4. ArF-i 공정에서 발생할 수 있는 불량 이슈에 대해서 설명해주세요.Q5. ArF-i 공정에서 발생한 불량이슈를 개선할 수 있는 방법에 대해서 알고 있나요.Q6. Double Patterning Tech (DPT) 공정에 대해서 설명하세요.Q7. Quadruple Patterning Tech (QPT) 공정에 대해서 설명하세요. [포토공정] 훈련 9 : "ArF-immersion, DPT, QPT에 대해서 설명하세요"드디어 여러분들은 중위..
금일 훈련 내용은 고해상도 달성을 위한 Low-k1 Technology에 대해서 다루어보도록 하겠습니다. 다양한 방법으로 Low-k1 개발을 통해 Resolution을 향상시켜왔는데요. 한 번 면접을 진행해봅시다. [질문 1] Resolution 식에서 k1이 가지는 물리적인 한계는 어디까지죠? (복습) 넵. 답변 드리겠습니다. Resolution과 상관성이 있는 k1의 물리적인 한계는 0.25입니다. 이 0.25라는 값이 가지는 의미는 Mask를 통과해 회절된 빛이 렌즈를 벗어나게 되면서 Wafer 상에 Imaging이 되지 않는 물리적 한계를 의미합니다. Resolution을 향상시키기 위해서 광원의 파장은 점점 더 짧아지고, 회절광을 최대한 많이 포함하기 위해서 NA는 커지게 되었습니다. 허나, 광..
[질문 1]. Mask 3D Effect에 대해서 설명해보세요. EUV의 마스크는 탄탈 (Ta) 기반으로 흡수체가 마스크 위에 3D 형상으로 돌출된 구조를 가집니다. EUV 광은 중심축을 기준으로 6도의 기울기를 가지고 EUV광이 마스크에 입사됩니다. 이때 마스크에 도달한 광은 반사가 되는데 이때 흡수체의 3D 구조에 의해 Shadowing effect 또는 마스크에 의한 이미징 수차가 발생합니다. 그로 인해, 초점과 패턴 배치가 변경되어 원하지 않는 패턴이 형성되는 이슈가 발생합니다. 이를 Mask 3D Effects라고 합니다. [꼬리 1-1]. Mask 3D Effects를 최소화시키는 방법에는 무엇이 있는가. 현재 업계에서는 EUV Mask 3D Effect 이슈를 최소화 시키기 위한 방법을 모색..
[질문 1]. Numerical Aperture, NA에 대해서 설명해보세요. Numerical Aperture, NA는 보통 '렌즈의 크기'를 표현하며, 정확히 말하자면, 렌즈의 유효한 부분을 재현하는 Aperture의 크기를 수치화 한 개념으로 '렌즈가 포착할 수 있는 최대 회절각'을 의미합니다. NA가 커질수록 해상도가 향상되어 미세선폭을 구현하는데 중요한 변수로 작용합니다. 반면에 NA가 커질수록 Depth of Focus, DoF 수직공정마진이 작아지기 때문에 Resolution과 DoF의 Trade off 관계를 고려하여 적절한 NA값을 취해야 합니다. "현재 EUV 장비는 완벽하게 양산이 이루어지고 있는가?, 생태계가 완전히 만들어졌다고 봐야하는가?" 현재 EUV는 양산에 필요한 성능을 모두..
전 개인적으로 계측장비 회사들을 정말 좋아합니다..♥ 나중에 계측장비 회사를 설립하는 것이 제 목표에요! 오로스테크놀로지, 중국시장 뚫었다.. 中메모리 기업에 계측장비 공급 오로스테크놀로지 기업은 중국 메모리업체와 오버레이 계측 장비 데모 테스트를 완료했스빈다. 장비공급은 올해부터 매출 증대에 기여할 것으로 기대됩니다. 中반도체 시장은 현재, 메모리, MOSFET 시장을 점점 확대해 나가기 위해 막대한 투자를 하고 있으며 정부 지원으로 반도체 시장에서 가파른 성장을 전망하고 있습니다. 국내의 오버레이 계측 장비 전문업체인 오로스테크놀로지가 최근 중국 메모리 반도체 기업을 고객사로 확보했습니다. 작년 말에 오버레이 계측장비의 데모 테스트를 완료하고 연초부터 장비 공급을 시작했습니다. 오버레이 계측장비는 웨..
Resist technology에 2번째 추가교육 시간입니다! 오늘 하루도 고생 많으셨어요. [질문 1]. EUV Photoresist 개발이 어려운 이유가 무엇인가요. Photoresist에 들어가는 성분은 정말 다양합니다. 뿐만 아니라 포토레지스트는 물질을 구성하는 성분의 최적화도 요구되지만, 패터닝하는 과정에서도 컨트롤해야 하는 변수가 매우 많습니다. 포토레지스트를 구성하는 고분자가 어떤 특성을 가져야 하며, 분자의 크기는 얼마나 되야 하는지. 또 도포를 했을 경우, 박막 두께는 어떻게 돼야 하는지, 성분끼리의 조화도 고려해야 합니다. 더 나아가 공정을 진행하면서 베이킹 온도는 몇도로 해야하며, Exposure time, 현상액 종류, 현상 시간 등 정말 많은 변수들이 존재합니다. 따라서 이 포토레..
EUV 공정의 양산을 앞두고 EUV 마스크의 이슈 중 하나인 반사형 mask, 보호를 초박막 펠리클의 이슈 개선에 대한 소식입니다. EUV 마스크 및 Pelicle 이슈에 대한 교육은 아래 링크를 참조해주세요. [훈련 10. 포토공정 : 대위, "EUV의 이슈에 대해서 설명하세요" 차세대 노광공정인 EUV를 모르고, 공정 엔지니어 직무에 지원한다면, 그대는 면접관의 눈살을 찌뿌리게 만들 것입니다. [질문 1]. EUV 공정에 대해서 설명하세요. Keyword : [EUV, 반사형 마스크, 13.4nm, sshmyb.tistory.com 에스앤에스텍, "차세대 EUV용 블랭크마스크 앞두고 결함개선 총력" 에스앤에스텍 사는 EUV용 블랭크 마스크의 대량 양산을 앞두고 준비 작업에 총력을 기울이고 있습니다. ..
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