[반도체 시사] "EUV 마스크, 펠리클 (투과율 90%) 개발 성공"

EUV 공정의 양산을 앞두고 EUV 마스크의 이슈 중 하나인 반사형 mask, 보호를 초박막 펠리클의 이슈 개선에 대한 소식입니다. EUV 마스크 및 Pelicle 이슈에 대한 교육은 아래 링크를 참조해주세요.

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[훈련 10. 포토공정 : 대위, "EUV의 이슈에 대해서 설명하세요"

에스앤에스텍, "차세대 EUV용 블랭크마스크 앞두고 결함개선 총력"

 에스앤에스텍 사는 EUV용 블랭크 마스크의 대량 양산을 앞두고 준비 작업에 총력을 기울이고 있습니다. 차세대 EUV용 마스크의 양산 체제를 구축하기 위해서는 결함 개선이 매우 중요합니다. 2024년까지 각 EUV용 마스크의 대량양산 체제를 갖추는 것을 목표로 하고 있습니다. 기존 블랭크 마스크가 최소 60nm 크기 이상의 결함이 없어야 했다면, 차세대 euv용 마스크 결함은 최소 30nm 사이즈까지 개선시켜야 합니다. 최근에는 결함 개수를 100개 이하로 줄이고 내년에는 흡수체 등 표면결함을 30nm 까지 검사할 수 있는 장비를 도입해 에스앤에스텍 사는 결함 개선에 속도를 낼 계획을 갖고 있습니다.

[기사 요약]

•  에스앤에스텍이 EUV용 블랭크마스크 대량 양산을 위한 준비작업에 속도를 내고 있습니다. 에스앤에스텍은 차세대 EUV용 블랭크마스크 양산체제를 구축하기 위해 결함개선에 심혈을 기울이고 있습니다. 오는 2024년까지 각 EUV용 블랭크마스크의 대량양산(HVM) 체제를 갖추는 것을 목표로 하고 있습니다.
•  EUV 블랭크마스크는 EUV 노광공정에서 웨이퍼 회로를 새기는 데 활용되는 패턴마스크의 원판입니다. 나노미터 수준의 얇은 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 나노 단위로 다층으로 쌓고, 이를 흡수체인 탄탈륨(Ta) 기반 합금으로 또 다시 코팅하는 과정을 거쳐 제작됩니다.
•  하드마스크 형식의 EUV용 블랭크마스크 외에도 EUV 흡수도를 더 높인 High-k 고 유전율 마스크, 노광공정에서 빛이 변형되는 것을 방지하는 위상변이 마스크(PSM) 등 차세대 EUV용 블랭크 마스크를 동시에 개발하고 있습니다.
•  기존 블랭크마스크가 최소 60nm 사이즈 이상의 결함이 없어야 했다면, 차세대 EUV용 블랭크마스크 결함을 최소 30nm 까지 개선해야 합니다. 최근 결함개수를 100개 이하로 줄이고 내년에는 흡수체 등 표면결함을 30nm까지 검사할 수 있는 장비를 도입해 결함개선 속도를 낼 계획입니다.
  
  

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 에스앤에스택, "투과율 90%" EUV 펠리클 개발 성공!

EUV 용 마스크 생산업체인 에스앤에스텍은 투과율 90%의 EUV 공정용 펠리클 개발에 성공했다는 보고입니다. 이번에 개발한 Full size EUV용 펠리클은 89~90%의 투과율을 가지며 투과율 90%를 넘긴 EUV 펠리클은 국내 최초 개발입니다. 펠리클은 반도체 노광공정에서 포토마스크를 먼지나 파티클로부터 보호해주는 초 박막 필름으로 소모성 소재입니다. 최근 반도체 공정 특히 메모리반도체에 초미세공정을 위해 EUV 장비를 도입하면서 EUV용 펠리클의 수요 또한 증가했습니다. 

[부연 설명] : 기존 ArF 노광장비와 달리 EUV는 빛이 거울에 반사돼 웨이퍼에 도달하는 반사형 광학계를 취하기에 광원의 손실이 큰 이슈를 가지고 있습니다. 광원손실을 최소화하려면 투과율 90% 이상의 EUV 전용 펠리클을 사용해야 합니다. 펠리클을 사용하지 않을 수도 있지만, EUV의 반사형 마스크는 설계가 복잡하고 개당 수 억원의 단가를 가지는 고가 부품이기 때문에 먼지와 입자로 인한 마스크 손상을 최소화 하기 위해서는 펠리클이 반드시 시 적용되어야 합니다. 

출처 : 전자부품 전문 미디어 디일렉

전자부품 전문 미디어 디일렉

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반도체 人으로서 EUV이 만들어내는 부가 가치에 큰 기대를 걸어봅니다. K-반도체 화이팅!