[반도체 시사] "삼성전자, HKMG 공정을 첫 적용한 512GB DDR5 메모리 개발"

HKMG 공정은 High-k 물질과 Metal gate를 통칭하는 공정을 말합니다.
이 부분에 대해서는 반도체 소자 파트에서 다루도록 하겠습니다.

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삼성전자, HKMG 공정 첫 적용한 DDR5 메모리 개발

 삼성전자가 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 발표했습니다. 동시에 인텔과 협력을 강화함으로써 차세대 DRAM인 DDR5로 전환에 박차를 가하고 있습니다. DDR5는 지난해 상용화한 5세대 D램입니다. 기존 4세대 DRAM인 DDR4 대비 2배 이상 빠른 처리속도의 성능을 보이며, 향 후 데이터 전송속도가 7,200Mbps 정도로 확장될 전망입니다. 

 

[기사 정리]

• 삼성전자의 DDR5의 가장 큰 특징은 업계 최초로 High-k Metal Gate (HKMG) 공정을 적용한 점입니다.
• 기존 공정 대비 전력소모를 약 13% 감소시킨 저전력 반도체로 데이터센터와 같은 전력소모가 심해 전력효율이 중요한 응용처에서 활용도가 높습니다.
• High-k 물질을 공정에 적용하여 고성능과 저전력을 동시에 구현했습니다. 이는 소자 dimension이 작아짐에 따라 발생하는 누설전류의 이슈를 극복할 수 있습니다. 
• DDR5는 범용  DRAM 제품 중에서 최초로 8단 TSV (Through Silicon Via) 기술이 적용됐으며, 1mm 높이에 불과한 얇은 모듈을 가지고 512GB DDR5 모듈을 구현함으로써 고용량 솔루션을 요구하는 데이터 센터, 슈퍼컴퓨터 혹은 차세대 컴퓨터 분야 고객의 니즈에 완벽한 포트폴리오를 제공할 것으로 기대됩니다.
• HKMG 공정기술이 적용된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 전력효율로 자율주행, 스마트카, 스마트 빌딩, 스마트 시티, 의료산업 등 고성능 컴퓨터가 요구되는 분야의 발전을 가속화 시킬 것으로 기대됩니다.
• DDR4의 최고 전송속도는 3,200Mbps, DDR5는 7,200Mbps. 2배 이상의 처리속도를 가지며 클라우드 데이터센터, 네트워크 컴퓨터 분야 등 데이터 처랴링이 급증하는 IT 분야에도 최적의 솔루션을 제공할 것으로 기대 됩니다.

 

[출처 : 전자부품 전문 미디어 디일렉] 

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오늘의 한 줄
나도 들어가서 잘 만들 수 있는데...