직무면접을 앞둔 분들을 위해 단위 공정별 Summary 게시글을 작성하고자 합니다.
많은 글들을 보기에 어려움이 있었죠?
좋은 결과 있길 바라겠습니다!
Basic 1. 포토공정 기본 질문
- Q1. 포토공정에 대해서 설명하세요.
- Q2. 포토공정의 Process에 대해서 설명해주세요.
- Q3. HMDS가 무엇이죠?
- Q4. PEB(Post-Exposure Bake) 공정의 필요성에 대해서 설명하세요.
- Q5. Photoresist에 대해서 설명해주세요.
- Q6. Develop Mechanism에 대해서 설명해주세요.
- Q7. Positive PR & Negative PR의 차이점에 대해서 설명해주세요.
[포토공정] 훈련 1 : "포토공정에 대해서 설명하세요"]
[질문 1]. Photo Lithography 공정에 대해서 설명하세요.Keyword : [반도체 회로, 규격화된 빛, 이미지 패턴, 전사, 미세화, Photoresist, 후속공정의 barrier]포토 공정은 설계한 반도체 회로 정보를 포함한 마
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Basic 2. Photo Mask 편
- Q1. Reticle에 대해서 설명해주세요.
(참고.1 : Photomask와 Reticle의 차이를 알고 있나요?
→ Photomask는 흔이 우리가 알고 있는 회로 패턴을 포함하는 쿼츠 기반의 Mask입니다. Reticle은 반복된 Pattern을 포함하고 있습니다. 이런 표현을 많이 접했을 것이에요. Stepper는 x5 mask, Scanner는 x4 mask. 즉, x4라는 것은 배율을 의미합니다. 1/4 축소된 Pattern을 Wafer 상에 전사할 수 있죠. 이렇게 축소된 Pattern의 배열이 Photomask에 배치된 Mask를 우리는 Reticle이라고 합니다.) - Q2. EUV 반사형 Mask에 대해서 설명해주세요.
- Q3. Mask 전사 방법에 대해서 설명하세요.
- Q4. Scanner와 Stepper의 차이에 대해서 설명해주세요.
- Q5. Scanner 노광장비의 구조에 대해서 설명해주세요.
[포토공정] 훈련 2 : "포토마스크에 대해서 설명하세요"
[질문 1]. 레티클에 대해서 설명하세요. Keyword : [마스크, 펠리클, DUV, ArF, I-line, EUV, 브래그반사경] 레티클은 노광공정에서 설계 도면을 포함하고 있는 포토마스크를 말합니다. 마스크의 세부구조
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Basic 3. Illumination Mode, OPC, PSM 기술
- Q1. 이미지 패턴이 Wafer 상에 이미징 되기 위한 공식에 대해서 설명해주세요.
- Q2. Illumination Mode에 대해서 알고 있는대로 설명해주세요.
- Q3. 복잡한 조리개로 광의 모양을 바꾸면 무엇이 개선되나요.
- Q4. OPC(Optimal Proximity Effect & Correction) 기술에 대해서 설명하세요.
- Q5. PSM (Phase Shift Mask) 기술에 대해서 설명하세요.
[포토공정] 훈련 3 : "Illumination mode, OPC, PSM 기술"
빛이 들어오게 되면서 마스크 패턴들이 웨이퍼에 잘 도달하게 만드는 것이 리소그래피 기술 중에 대부분을 차지합니다. Input layer (설계 마스크), Illumination mode (빛의 경로) [질문 1]. 이미지 패턴
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Basic 4. Resolution & DoF의 관계
- Q1. Resolution에 대한공식에 대해서 설명하시고, Resolution에 영향을 미치는 변수에 대해서 설명하세요.
- Q2. k1 변수는 무엇이죠?
- Q3. Low k1 Technology에 대해서 아는대로 설명해보세요.
- Q4. ArF-immersion 공정에 대해서 간단하게 설명하세요.
- Q5. DoF에 대해서 설명해주세요.
- Q6. DoF와 Resolution의 관계를 설명해주세요.
- Q7. DoF를 가지고 CMP 공정의 중요성에 대해서 설명해주세요.
[포토공정] 훈련 5 : "Resolution과 DoF의 관계에 대해서 설명하세요"
Resolution 과 Depth of Focus 는 'Trade off' 관계입니다. 이는 공정마진과 관련하여 매우 중요한 파라미터라고 할 수 있습니다. [질문 1]. Depth of Focus에 대해서 설명해주세요. Keyword : [Rayleigh 1st criteria, NA, T
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[포토공정] 훈련 4 : "Resolution에 대해서 공식으로 설명해보세요"
Rayleigh 1st criteria 를 설명하지 못 한다면 면접관을 100% 설득시킬 수 없다. [질문 1]. 포토공정에서 Resolution 에 대한 공식에 대해서 설명해보시고, Resolution 에 영향을 끼치는 변수에 대해서 설명해주
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Basic 5. 포토공정의 공정 마진
- Q1. 포토공정의 제어 단계에 대해서 설명하세요.
- Q2. 과잉 노광(Over-exposure) 시 발생하는 이슈에 대해서 설명하세요.
- Q3. 적절한 노광이 됐는지 확인하는 방법은 무엇이죠.
- Q4. 수직 공정 Margin에 대해서 설명해주시겠어요.
- Q5. Overlay 평가에 대해서 설명해주세요.
- Q6. Overlay 평가를 어떻게 진행하죠?
[포토공정] 훈련 6 : "포토공정, 공정여유 or 공정마진"
포토공정의 3가지 목표 이미지 패턴이 "정확한 모양으로, 균일한 크기로, 정확한 위치"에 전사되었는가. [질문 1]. 포토공정에서 공정의 제어(Control) 단계에 대해서 설명해보세요. Keyword : [Inspection
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Basic 6. Photoresist Technology
- Q1. Deep UV (DUV) Photoresist에 대해서 설명해주세요.
- Q2. I-line PR과 DUV PR의 감광 메커니즘 차이에 대해서 설명하세요.
- Q3. 양산에서 주로 Positive PR이 사용되는 이유에 대해서 설명하세요.
- Q4. EUV 공정의 Photoresist 이슈에 대해서 설명하세요.
- Q5. Photoresist를 채택할 때, 고려해야 하는 지표에 대해서 설명하세요.
[포토공정] 훈련 7 : "Photoresist technology"
EUV 공정의 도입으로 High sensistivity, High speed Photoresist 기술이 요구되고 있습니다. [질문 1]. Deep UV photoresist에 대해서 설명해주세요. Keyword : [화학증폭형, CAR, Polymer resin, Photo Acid Generator, Photo Active Co
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Basic 7. 포토공정의 불량 현상
- Q1. Photo 공정에서 수율을 저하시키는 요인이 무엇이 있을까요.
- Q2. Spint Coating 시 발생할 수 있는 Defects은 무엇이 있나요.
- Q3. Photo 공정 간 발생할 수 있는 불량사례에 대해서 아는대로 설명해보세요.
- Q4. Pattern Topology에 따른 Defocus 현상과 그 외 불량에 대해서 자세히 설명해주세요.
- Q5. Bottom Anti-Reflective Coating (BARC)에 대해서 설명하세요.
- Q6. BARC가 반사억제를 하는 원리에 대해서 설명하세요.
- Q7. BARC Layer의 종류에 대해서 알고 있나요.
[포토공정] 훈련 8 : "포토공정 내 수율을 저하시키는 요인"
공정엔지니어는 데이터를 기반으로 정확한 원인을 분석하고 솔루션을 제공해야 하는 역량을 갖추어야 한다. [질문 1]. 포토공정에서 수율에 영향을 미치는 요인이 무엇이 있을까요. Keyword : [PR
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딴사관 정주행이신 분들. 금일은 기초편에 대한 질문들을 모아보았습니다.
내일은 조금 심화편에 대한 내용에 대해서 다루어보도록 하겠습니다.
오늘 하루도 고생 많으셨습니다.
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