[딴사관 정주행 프로젝트] 반도체 공정 - "포토공정, 기초+심화 편"

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 Basic 1. ArF-immersion, DPT, QPT

• Q1. ArF-immersion 공정에 대해서 설명하세요.
• Q2. 물을 매질로 사용하면 어떤 효과가 있는지 설명해보세요.
• Q3. ArF-i 공정에서 Resolution이 향상되는 메커니즘에 대해서 설명하세요.
• Q4. ArF-i 공정에서 발생할 수 있는 불량 이슈에 대해서 설명해주세요.
• Q5. ArF-i 공정에서 발생한 불량이슈를 개선할 수 있는 방법에 대해서 알고 있나요.
• Q6. Double Patterning Tech (DPT) 공정에 대해서 설명하세요.
• Q7. Quadruple Patterning Tech (QPT) 공정에 대해서 설명하세요. 

[포토공정] 훈련 9 : "ArF-immersion, DPT, QPT에 대해서 설명하세요"

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 Basic 2. EUV 공정 기초

• Q1. EUV 공정에 대해서 설명하세요.
• Q2. EUV와 DUV Photo Lithography 공정의 차이에 대해서 설명하세요.
• Q3. 알고 있는 EUV 공정의 Challenge에 대해서 설명하세요.
• Q4. EUV 공정의 광 발생 기술에 대해서 설명하세요.
• Q5. EUV 공정 프로세스에 대해서 설명하세요.
• Q6. EUV Mask에 대해서 설명하세요.
• Q7. EUV Mask의 구조를 설명하고 그 이유에 대해서 설명하세요.
• Q8. EUV 공정의 Pellicle 이슈에 대해서 설명하세요.
• Q9. EUV 공정의 Photo Resist 이슈에 대해서 설명해주세요.
• Q10. 극초미세 공정에서 EUV 공정을 사용해야하는 이유에 대해서 설명해주세요.

[포토공정] 훈련 10 : "EUV의 이슈에 대해서 설명하세요"

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Advance 1. Photoresist Technology 

• Q1. Photoresist 선정 기준에 대해서 간단하게 설명해주세요.
• Q2. Sensitivity가 높으면 좋나요. 아니면 작은 게 좋은가요?ㅎ
• Q3. Line Edge Roughness (LER) 개선 방법에 대해서 설명해주세요.
• Q4. EUV의 광 에너지와 광수율에 따른 Resist의 Sensitivity를 설명해주세요.
• Q5. 고에너지의 적은 포톤이 Resist에 도달할 경우, LER 특성은 어떻게 되나요.

[포토공정] 추가교육 : "교육생들 질문 photoresist technology #1 "

• Q6. EUV Photoresist 개발의 Challenge에 대해서 설명해주세요.
• Q7. Photoresist의 신뢰성이 미치는 영향에 대해서 설명해주세요.
• Q8. EUV 공정의 RLS Trade-off 이슈는 개선 방향성에 대해서 알고 있나요.
• Q9. 무기나노입자 레지스트에 대해서 설명해주세요.
• Q10. 무기나노입자 레지스트의 감광 메커니즘은 기존 레지스트와 어떻게 다른가요.
• Q11. 무기나노입자 레지스트는 Positive type PR인가요?, Negative Type PR인가요?
• Q12. 이러한 Resist가 상용화 되기 까지 어떤 이슈가 있는지 공정 관점에서 설명해주세요.
• Q13. Resist를 얇게 만들면 해결되는 것인가요?
• Q14. 무기 PR이 기존의 유기 PR 대비 어떤 경쟁력이 있는지 설명해주세요.

[포토공정] 추가교육 : "교육생들 질문 photoresist technology #2"

• Q15. 무기 Photoresist가 갖는 장점에 대해서 설명해주세요.
• Q16. 무기 나노입자 레지스트의 Challenge에 대해서 설명해주세요.
• Q17. Dry resist에 대해서 설명해주세요.
• Q18. Dry resist의 장점을 구체적으로 설명해주세요.

[포토공정] 추가교육 : "교육생들 질문 photoresist technology #3"

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Advance 2. 포토공정 실무편

• Q1. 포토공정 엔지니어가 수행하는 업무에 대해서 알고 있나요?
• Q2. 간단한 포토 공정 용어에 대해서 질문드릴게요. CD나 Pitch에 대한 개념을 알고 있나요.
• Q3. 포토공정 엔지니어에게 있어 산포 관리가 중요한 이유에 대해서 설명해주세요.
• Q4. 과잉 노광 시 Pattern의 CD는 어떻게 되는지 설명해주세요.
• Q5. 그렇다면 Exposure Dose를 크게할 수록 미세패턴을 구현할 수 있는건가요?
• Q6. Focus Energy Matrix (FEM) 평가에 대해서 설명해주세요.
• Q7. 포토공정의 일련의 과정을 간략하게 설명해주세요.
• Q8. 포토공정에서 발생할 수 있는 불량 이슈에 대해서 설명해주세요.

[딴딴's 속성과외] 포토공정 #01 : "기초부터 차세대 EUV 공정까지" -기초편-

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Advance 3. 포토공정 배경지식편

• Q1. 포토공정에서 Resolution에 대해서 설명해주세요.
• Q2. Rayleigh Equation에 대해서 설명해주세요.
• Q3. 파장이 짧을수록 Resolution이 향상되는 물리적 메커니즘을 설명해주세요.
• Q4. 소자가 미세화 되면서 더 작은 단파장의 빛이 요구되는 이유가 무엇인가요.
• Q5. 회로 이미지가 Wafer 상에 이미징이 되는 메커니즘 설명하세요.

[딴딴'S 속성과외] 포토공정 #02 : "기초부터 차세대 EUV 공정까지" -배경지식 편-

• Q6. Positive type 과 Negative type PR의 감광 메커니즘을 설명해주세요.
• Q7. Positive type 과 Negative type PR의 물질 특성을 설명해주세요.
• Q8. Negative type PR의 해상도가 Positive type PR 대비 낮은 이유 설명해주세요.
• Q9. Photoresist의 개발 로드맵을 간단하게 설명해주세요.
• Q10. Photoresist 개발을 위한 요구 사항에 대해서 설명해주시죠.
• Q11. Photoresist의 Sensitivity에 대해서 설명해주세요.
• Q12. Photoresist의 Resolution에 대해서 설명해주세요.
• Q13. Photoresist의 Robustness에 대해서 설명해주세요.

[딴딴's 속성과외] 포토공정 #03 : 포토레지스트, Photoresist #1편 -기초-

• Q14. Novolac-based Resist의 감광 메커니즘을 간략하게 설명해주세요.
• Q15. Novolac-based Resist의 구성성분과 기능을 간략하게 설명해주세요.
• Q16. Deep UV 공정도 Novolac-based Resist를 사용하나요?
• Q17. 화학증폭형이라는 용어가 어떤 의미인 것이죠.
• Q18. Novolac PR과 CAR type PR의 메커니즘 적인 차이를 설명해주세요.
• Q19. 화학증폭형 Resist의 감광 메커니즘도 자세하게 설명 부탁드립니다.

[딴딴's 속성과외] 포토공정 #04 : 포토레지스트, Photoresist #2편 -심화- "Resist의 구성요소"

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Advance 4. EUV 공정 심화 편

• Q1. EUV 노광 기술의 출현 배경에 대해서 설명해주시죠.
• Q2. ArF-i의 한계에 대해서 설명해주세요. 
• Q3. 판서를 사용해도 좋으니 ArF-immersion이 구현할 수 있는 최소 선폭을 계산하세요.
• Q4. EUV 노광기술과 DUV 노광기술의 차이를 설명하세요.
• Q5. 판서를 사용해서 EUV Mask인 Bragg's Mirror의 반사 메커니즘을 설명하세요.
• Q6. EUV Mask의 Challenge에 대해서 설명하세요.
• Q7. EUV 노광 설비 내에서 빛의 경로에 대해서 간단하게 설명 가능할까요.
• Q8. EUV 광원의 Key Challenge는 무엇인가요.
• Q9. EUV 전용 Resist 개발이 필요한 이유에 대해서 설명해주세요. 
• Q10. EUV 전용 Resist의 Key Challenge에 대해서 설명해주세요.

[딴딴's 속성과외] 포토공정 #05 : EUV 노광기술 총정리, #3편 -심화- "ArF-i / EUV 노광기술 / Photoresist"

• Mask 3D Effect을 최소화 시키는 방법은 무엇이 있을까요.
• 현재 EUV Mask의 요구사항에 대해서 설명해주세요.

[포토공정] "Mask 3D Effects에 대해서 설명하세요"

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Advance 5. 이미징 원리 심화

• Q1. 물리학과시네요. 이미징을 위한 빛의 성질에 대해서 설명해주세요.
• Q2. 그럼 이미징이 되는 원리에 대해서 회절과 간섭의 성질을 가지고 설명해주세요.
• Q3. 회절광으로 좀 더 디테일하게 이미징을 설명해주시겠어요.
• Q4. 그렇다면, 파장은 짧게 Lens는 크게하기만 하면 원하는 패턴을 척척 만들 수 있겠네요?
• Q5. 판서 사용해도 좋으니 DoF식 기술해주세요. 

[딴딴's 속성과외] 포토공정 #06 : 포토공정에서 이미징이 되는 원리??

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Advance 6. Low-k1 Technology

• Q1. Resolution 식에서 k1이 가지는 물리적 한계는 어디까지죠.
• Q2. 알고계신 Low-k1 Technology에 대해서 말씀해주세요.
• Q3. Illumination 기법에 대해서 한 번 이야기 해보시죠.
• Q4. 광원의 모양을 Design 하는 이유에 대해서 설명해주세요.
• Q5. Mask를 이용한 Low-k1 기술에 대해서 설명해주세요.
• Q6. Multi Patterning 기술에 대해서 설명해주세요.
• Q7. Multi Patterning 기술에 대한 설명과 로드맵에 대해서 설명해주세요.
• Q8. Self-aligned Multi Patterning 기술에 대해서 설명하세요.
• Q9. Dobule Patterning, SADP, SAQP는 공정 상에서 어떤 Layer에 적용되나요.

[딴딴's 속성과외] 포토공정 #07 : 고해상도 / Low-k1 Technology (#OAI, #OPC, #PSM, #Double Patterning, #SADP, #SAQP)

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Advance 7. New Generation Photolithography

• Q1. 차세대 패터닝 기술에 대해서 설명해주시겠습니까.
• Q2. NIL 패터닝 공정 기술이 기존 공정과 어떤 차이가 있죠.
• Q3. NIL 패터닝 기술의 장점에 대해서 설명해주세요.
• Q4. NIL 패터닝 기술의 한계와 Challenge에 대해서 설명해주시겠어요.
• Q5. 차세대 패터닝 기술 중 하나인 유도자기조립(DSA) 기술에 대해서도 알고 있나요.
• Q6. 상용화가 어려워서 개발이 Hold 된 것으로 알고 있는데, 왜 다시 주목 받게 된 것이죠.
• Q7. High NA EUV 노광 공정 기술에 대해서 설명해주시죠.
• Q8. High-NA 노광기술의 요구사항에 대해서 설명해주세요.
• Q9. 곡선이 들어간 Photomask 기술이 무엇인지 설명해주세요.

[딴딴's 속성과외] 포토공정 #08 : Advanced Lithography & Patterning 경쟁 "#NIL, #DSA, #High-N

• Numerical Aperature, NA에 대해서 설명하세요.
• Low NA(0.33)에서 High NA(0.55)로 높아지면 무슨 장점이 있는가요.
• High NA EUV 공정 기술의 Challenge에 대해서 설명해주세요.
• 아나모픽 기술에 대해서 알고 있나요.
• 아나모픽 기술의 공정적 이슈는 무엇이 있나요.

[포토공정] 추가교육 : "EUV, High-NA 기술원리"

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Advance 8. 포토공정 실무 + 불량 사례 편

• Q1. PR Spin Coating 간 두께에 영향을 미치는 변수에 대해서 설명해주세요.
• Q2. PR Spin Coating 간 발생할 수 있는 불량은 무엇인가요.
• Q3. Soft Baking을 진행하는 목적과 불량 유형에 대해서 설명해주세요.
• Q4. Mask Align과 Exposure 방식에 대해서 알고 있나요.
• Q5. PEB 공정의 기능을 설명해주세요. 
• Q6. Develop 공정을 간략하게 설명해주세요.
• Q7. Hardbake 공정의 기능에 대해서 설명해주세요.
• Q8. Inspection 단계에 대해서 설명해주세요.
• Q9. 포토공정 공정기술 엔지니어이 수행하는 업무에 대해서 설명해주세요.
• Q10. 포토공정 설비 엔지니어가 수행하는 업무에 대해서 설명해주세요.

[딴딴's 속성과외] 포토공정 #09 : 공정 프로세스 및 불량 유형, Engineer's 실무

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여러분들 반복되는 내용이 있지만, 다루고 있는 내용의 깊이가 다를 수 있사오니
꼭 꼼꼼하게 읽어보시는 것을 권해드립니다!