[반도체 시사] "인프리아, EUV 무기물 PR 생산량 2배 '급성장'"

작년 시사내용이지만, EUV 기술의 핵심 Photoresist 양산에 성공한 인프리아 기업에 대한 소식입니다. 해당 기업은 작년 일본 기업 JSR과 합병한 것으로 알고 있습니다.

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인프리아, EUV 무기물 PR 생산량 2배 "급성장"

인프리아 기업은 미국 스타트업 기업으로 작년 일본기업과 합병한 기업입니다. 인프리아가 굉장히 우수한 패터닝 결과를 홍보하면서 멋진 결과를 이미 확보했다는 것에 실로 놀랍습니다. 인프리아 기술 내용을 보면 기존의 유기물 PR과 비교해서 분자 크기가 5분의 1수준으로 작고 또 광흡수율도 4배에서 5배 높은 우수한 스펙의 레지스트를 개발했습니다. 무기나노입자 레지스트다 보니 etch resistance도 높고 etch selectivity도 10배이상 높습니다.

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• 미국 전자재료 업체인 인프리아(Inpria)가 극자외선 공정용 산화금속 기반 무기포토레지스트 양산을 시작했습니다. 최근 자동화된 HVM(High Volume Manufacturing) 생산시설이 가동되면서 고성능 EUV 무기 PR 수요를 만족시킬 수 있게 됐다며, 구축한 HVM 생산시설의 캐파는 연간 4000갤론, 약 1만 5141리터의 레지스트를 생산할 수 있다고 합니다.
  
  
• EUV Photoresist는 크게 둘로 나뉩니다. CAR (Chemically Amplified Resist)는 기존 표준으로 사용되던 화학증폭형 레지스트입니다. 아크릴레이트, 스티렌 등 주로 유기폴리머가 사용되는 유기물입니다.
  
  
• 유기 PR보다 분자크기가 5분의 1 수준으로 작고 EUV광 흡수율이 4~5배 높아 보다 조밀하고 정확하게, 그리고 효율적으로 패터닝을 할 수 있는 무기나노입자 레지스트입니다. 언더레이어에 식각설계를 개선했고, Etch selectivity도 10배 이상 높습니다. etch selectivity가 높다는 것은 etch의 profile을 구현할 때 추가적인 공정없이 정확하게 필요한 부분만을 에칭하여 제거할 수 있음을 의미합니다.
  
  
• 인프리아의 무기물 레지스트는 기존 레지스트와 같은 방식으로 트랙 설비 내에서 증착하는 스핀-온 방식입니다. 해당 재료는 기존의 방식대로 스핀 코팅할 수 있습니다. 그리고 유기물 레지스트와 무기물레지스트를 동시에 사용할 수 있어 경쟁력을 갖추고 있습니다.
  
  
• 인프리아는 2022년 목표로 3세대 EUV용 레지스트 재료 출시를 준비하고 있습니다. 3나노 공정 생산 수요를 대비하기 위함입니다. 현재는 2세대 재료를 공급하고 있고, 3세대 재료는 흡광성, 방사선 분해 수율 등이 개선됨으로써 고해상도 뿐 아니라 다양한 패턴에 걸쳐 단일 노출이 가능해집니다.

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인프리아의 레지스트는 Negative type입니다. 기존 양산에서는 negative type resist 보다 positive type resist를 많이 사용했습니다. positive PR은 노광 공정 시 빛을 닿은 부분이 제거되고, 반대로 음성 PR은 빛이 닿은 부분이 경화돼서 패턴을 형성하빈다. 5nm 이하로 가면, Negative PR 사용량이 많아집니다. 초미세 구멍(hole)을 뚫을 때, positive PR보다 Negative PR이 훨씬 유리하다고 합니다. 현재 7나노 EUV 공정에서 구멍을 정확하게 뚫는 것이 어려워 애를 먹고 있는 것으로 전해지고 있습니다.

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인프리아, EUV 무기물 PR 생산량 2배 '급성장' - 전자부품 전문 미디어 디일렉

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