지난 교육에서 body doping profile에 따른 threshold voltage, Vt에 끼치는 영향에 대해서 배웠습니다. Short channel effect 에서 정말 중요한 내용이니 꼭 본인 것으로 만드시길 바랍니다. 이상. 1. Short Channel Effect Short channel effect는 channel length, L의 감소하면서 threshold voltage가 감소하는 현상을 의미합니다. 앞선 교육에서 threshold voltage가 작아지는 이유를 source/drain 부근의 depletion region 내 전하의 charge sharing으로 gate oxide 아래에 depletion region의 width를 maximum, Wdmax 도달하는 것을 도와..
Short Channel Effect, SCE의 대표적인 현상 DIBL과 Subthreshold Current에 대해서 알아보았습니다. 이번 교육에서는 Punch through와 Velocity Saturation에 대해서 교육하겠습니다. 질문 1]. Short Channel Effect 현상 중 Punch through에 대해서 설명해보세요. Keyword : [Short channel effect, depletion region, charge path, pocket doping or halo doping] 대부분의 leakage current는 source-body-drain으로 흐르게 됩니다. punch through는 소자 dimension이 작아지면서, source/body, drain/body..
반도체 소자의 미세화는 높은 집적도가 가능해지면서 소자 performance를 향상시키고 원가 절감의 효과를 가지고 있습니다. 하지만 channel 짧아지면서 많은 이슈들이 발생하게 되는데요... 질문 1]. Vt roll-off 현상에 대해서 설명해보세요. Keyword : [#Vt roll-off, Short channel effect, threshold voltage, charge sharing] MOSFET 소자에서 Channel length가 짧아짐에 따라 문턱전압이 감소하는 현상을 'Vt roll-off' 이라고 합니다. MOSFET 소자의 전류방정식을 보면, drain current는 channel length가 짧아지면서 current가 증가하는 것을 기대할 수 있습니다. 하지만 Satur..
이번 교육에서는 Subthreshold Swing 특성에 대해서 정리하겠습니다. 이번 장은 수식이 많으니 가볍게 보고 넘어가시면 될 것 같습니다. 교육 #1]. MOSFET 전류전압 방정식 우선 Inversion charge density에서 출발하겠습니다. Channel voltage (Vc), Source voltage (Vs), Drain voltage (Vd), Channel length (x=0~L) Inversion charge density, Qinv는 gate oxide capacitance에 Vgs, Vt, body back bias, Vsb에 따라 제어가능합니다. Vcs는 source 대비 channel의 전압ㅣ기 때문에 potential x의 함수로 나타낼 수 있습니다. (-)부호는 ..
중국 형님들이 움직이기 시작했네요.. MOSFET 시장, 중국 공격적 투자 나서며 점유율 확대 MOSFET 시장은 지속적으로 성장할 전망입니다. 지난해 코로나19로 인한 소비자 수요 덕분에 성장세를 보였다면, 향후 5년 간 자동차 중심으로 시장이 성장할 것으로 예상됩니다. 최근 중국업체들은 MOSFET 생산량을 늘리기 위해 300mm(12인치) 파운드리 시설에 투자하고 있으며, 중국의 화황그룹의 HH그레이스와 캔세미 등의 파운드리 업체는 이미 12인치 팹에 투자하면서 생산에 시작했습니다. 또한 중국업체들은 인수합병을 통해 MOSFET 점유율을 높이고 있습니다. 중국계 사모펀드인 와이즈로드캐피털도 국내 기업인 매그나칩 인수를 추진 중에 있습니다. 매그나칩의 주력 생산 제품인 MOSFET 전력반도체와 디스플..
모두들 떡국은 드셨습니까. 새해에는 여러분들의 꿈, 목표 달성하시길 기원하겠습니다. 새해 복 많이 받으세요. from. 교관 홍딴딴 질문 1]. Subthreshold region에 대해서 설명해보세요. Keyword : [#Leakage current, #MOSFET, #on/off, #steep slope, #diffusion, #drift] MOSFET 소자의 Transfer Characteristics, 전달특성 (Id-Vgs) 그래프를 보시면 threshold voltage, Vt 이상의 gate voltage가 인가되면 MOSFET 소자는 'ON'이 되며 Drain current가 흐르게 됩니다. 하지만 MOSFET 소자는 off 상태일 때에도 미세한 전류가 흐르게 됩니다. subthresho..
Body effect는 threshold voltage, Vt에 많은 영향을 미칩니다. Body effect를 완전히 이해한다면 반도체 소자 부문에서 우수교육생 수준이라 할 수 있습니다. [질문 1]. Body Effect에 대해서 설명하세요. Keyword : [Threshold voltage, Capacitor, 바디효과 최소화] Body Effect는 threshold modulation이라고도 표현합니다. 간단하게 말하면 문턱전압이 기판바이어스의 함수가 되는 현상을 body effect라고 합니다. 결론부터 말씀드리면, Body에 negative bias를 인가하면 threshold voltage는 증가하게 되고 비이상적인 소자의 특성은 body effect와도 관련이 있습니다. [꼬리 1-2]...
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