[딴사관 정주행 프로젝트] 반도체 공정 -"에치공정, 기초+심화 편"

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Chap 1. 식각공정 : 용어정리

• Q1. Etch Bias 설명하세요.
• Q2. 식각 공정 시 발생할 수 있는 Over Etch와 Under cut에 대해서 설명해주세요.
• Q3. Etch rate에 대해서 설명해주세요.
• Q4. Selectivity에 대해서 설명해주시죠.
• Q5. Etch Uniformity에 대해서 설명해주세요.
• Q6. Aspect Ratio에 대해서 설명해주세요.
• Q7. Loading Effect에 대해서 설명해주세요.
• Q8. 미세화에 따라 지향하고 있는 Etch Profile에 대해서 간략하게 설명해주세요.
• Q9. 에치공정에서 중요한 End Point Detection (EPD)에 대해서 설명해주세요.

[식각공정] 훈련 1 : "Etching 공정, 용어정리"

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Chap 2. 식각공정 기초 (Wet)

• Q1. 식각공정에 대해서 설명해주세요.
• Q2. Wet Etch / Dry Etch를 구분해서 설명해주세요.
• Q3. Etching 공정 시 Plasma의 중요성에 대해서 설명해주세요. 
• Q4. Wet Etch 공정에 대해서 간략하게 설명해주세요.
• Q5. Wet Etch 공정의 식각 메커니즘에 대해서 설명해주세요.
• Q6. Etch Uniformity에 대해서 설명해주세요.
• Q7. Wet Etch 시 Si Wafer Etch rate에 미치는 요인들에 대해서 알고 있는 것이 있나요.
• Q8. Wet Etch 공정 시 요구되는 기술적 Requirement에 대해서 설명해주세요.
• Q9. Wet Etch Process에 대해서 아는 것이 있다면 설명해주세요. (ex. Si, SiO2, Si3N4, Poly-Si, Al etc)

[식각공정] 훈련 2 : "Etching (식각) 공정에 대해서 설명해주세요"

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Chap 3. 식각공정 기초 (Dry)

• Q1. Dry Etch 공정에 대해서 설명해주시죠.
• Q2. Ion Milling의 메커니즘에 대해서 설명해주세요.
• Q3. Plasma Etch에 대해서 알고 있나요.
• Q4. Plasma Etch 공정 시 Radical에 의한 등방성 식각이 일어난다면 Wet Etch와 별반 차이가 없는 것 아닌가요.
• Q5. Etch Rate과 핵심 성능지수에 대해서 설명해주세요.
• Q6. Plasma Etch 공정의 간략히 Process에 대해서 설명해주세요.
• Q7. 더 높은 수준의 고난이도 Etch 기술이 요구되는 이유에 대해서 설명해주세요.

[식각공정] 훈련 3 : "Dry Etching, 건식 식각 공정에 대해서 설명하세요"

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Chap 4. Reactive Ion Etch (RIE)

• Q1. RIE 공정에 대해서 간략하게 설명해주세요.
• Q2. RIE 공정의 Etch Mechanism에 대해서 간략히 설명해주세요.
• Q3. RIE 공정의 Selectivity 특성에 대해서 설명해주세요.
• Q4. RIE 공정에서 End of Point (EOP)를 구별하는 방법을 알고 있나요.
• Q5. 화학과 군요. Etch 공정의 Chemistry에 대해서 설명해주세요.
• Q6. RIE 공정 시 H2 gas 주입 시 Etch rate은 어떻게 되죠.
• Q7. RIE 공정 시 O2 gas를 주입하면요?
• Q8. RIE 공정 시 N2, Ar, He gas의 역할에 대해서 알고 있나요.

[식각공정] 훈련 4 : "Reactive Ion Etching, RIE 공정에 대해서 설명하세요"

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Chap 5. 에치공정 - Plasma

• Q1. Plasma Etch에 대해서 설명해주세요.
• Q2. Plasma Etch에서 Conductor Etch와 Dielectric Etch 즉, Target Film에 따른 Etch 방식에 대해서 설명해주세요.
• Q3. Tungsten Etching 시 Fluorine과 Chlorine 계열 gas를 사용할 때의 각각의 차이에 대해서 알고 있나요.
• Q4. Tungsten Etching 시 Oxygen gas의 역할에 대해서 설명하세요.
• Q5. Etch 공정 시 Gas Chemistry 외 주요 공정 변수에 대해서 설명해주세요.
• Q6. ICP type & CCP type Plasma Source에 대해서 설명하세요.

[식각공정] 훈련 5 : Conductor & Dielectric Etch 방법 + ICP vs. CCP Type Plasma

 

[딴사관 정주행 프로젝트] 플라즈마 (Plasma) 기초부터 심화까지.

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Chap 6. 에치공정 - Loading Effect 

• Q1. Loading Effect 설명해주세요.
• Q2. Depth가 깊을 때, Etch rate이 저하되는 Loading Effect을 어떻게 개선시킬 수 있을까요.
• Q3. Pattern Size가 큰 곳에 Etch Uniformity가 저하되는 이슈를 어떻게 개선시켜야 할까요.
• Q4. Blocking Mask 이슈에 대해서 알고 있나요.

[식각공정] 훈련 6 : Depth Loading Effect / Blocking Mask 이슈

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Chap 7. 에치공정 - 결정면에 따른 Etch Rate

• Q1. Target 물질에 따른 Etch rate의 특징을 알고 있나요.
• Q2. Si3N4 Etching 공정 시 알고 있는 공정 특징이 있을까요.
• Q3. SiO2 Etching 공정 시 알고 있는 공정 특징은요?
• Q4. SiO2가 Si3N4 보다 Etch rate이 높은 이유에 대해서 설명해주세요. 
• Q5. 결정면에 따른 Etch Rate의 차이가 발생하는 이유에 대해서 설명해주세요.
• Q6. 그렇다면 결정면이 아닌 결정질에 따른 Etch Rate의 차이에 대해서 설명해주세요.

[식각공정] 훈련 7 : SiO2, Si3N4 Etch Rate & 결정면에 따른 Etch Rate

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Chap 8. 에치공정 - RF Frequency

• Q1. Etch 공정에서 RF Frequency가 공정에 미치는 영향에 대해서 설명해주세요.

[식각공정] 훈련 8 : 이온 질량에 따른 RF Frequency가 미치는 영향

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Chap 9. 에치공정 - 차세대 Etch 공정

• Q1. Pulsed Plasma Etch 공정 기술에 대해서 알고 있나요.
• Q2. Pulsed Plasma Etch의 공정 Mechanism을 설명해주세요.
• Q3. Cryogenic Etch 공정 기술이 도입된 이력을 알고 있나요.
• Q4. Cryogenic Etch 공정 기술에 대해서 설명해주세요.
• Q5. Atomic Layer Etch (ALE) 공정 기술에 대해서 설명해주시죠.
• Q6. ALE 공정이 공정 미세화에 있어서 기술적 강점에 대해서 설명해주세요.
• Q7. 그렇다면 ALE 공정의 Challenge는 무엇인가요.
• Q8. ALE 공정 기술 이슈 개선에 대한 사례에 대해서 알고 있는 것이 있나요.
• Q9. Plasma-enhanced ALE 공정 기술의 Challenge는 무엇인가요.

[식각공정] 훈련 9 : Pulsed Etch, Cryogenic Etch - 차세대 에치공정 기술 [1/2]

 

[식각공정] 훈련 10 : Atomic Layer Etching (ALE) 차세대 식각공정 기술 [2/2]

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Chap 10. 에치공정 - Bosch Process

• Q1. MEMS 공정 경험이 있네요. MEMS가 뭐죠
• Q2. Bosch Process 기술의 원리에 대해서 설명해주세요.

[식각공정] 훈련 11 : MEMS : Bosch Process를 파헤쳐보자